1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...
【平過 DRAM!!但比 3D NAND 速度更快】 WD 開發 Low-Latency Flash 低延遲儲存技術
文章索引: 硬盤機
在較早前舉行的 Storage Field Day 18 中,Western Digital 宣佈正開發一種名為「Low-Latency Flash」的全新低延遲驅動器,「Low-Latency Flash」的定位介乎在 DRAM 及3D NAND 之間,比普通 3D NAND 擁有更快的速度,而價錢則比 DRAM 更便宜,與 Intel Optane 及 Samsung Z-NAND 儲存器相類似。

在 2015 年,2D 技術瓶頸越發凸顯,Flash 原廠紛紛向 3D 技術轉移,旨在降低每 GB 的成本,經過 32 層和 48 層 3D NAND 的發展,當前主流的 64 層 3D NAND 已較 2D NAND 成本低,使得 NAND Flash 價格從 2017 下半年開始下滑,下一代 96 層 3D NAND 成本將更低。

Western Digital 儲存產品解決方案副總裁 Luca Fasoli 表示:“全新的 Low Latency Flash ( LLF ) 技術主打低延遲、高性能和長壽命,實際上可以創造出非常快速的定制設備,延遲處於微秒 (μs) 級範圍內。”
【NAND 技術再發展!!寫入性能達 132MB/s】 Toshiba 正在研發 128 層堆疊 3D TLC
文章索引: 硬盤機
在過幾多 NAND FLASH 的技術不斷急速發展,將更多的Cells整及在同一包裝內以實現更大的儲存容量,同時並擁有低功耗及更高的性能,Toshiba 繼去年 9 月宣佈96 層 BiCS FLASH 樣品已出貨後,最新再公人佈與其戰略合作夥伴Western Digital幾乎完成了最新的迭代:128層3D NAND,並稱之為「BiCS-5」,預計最快可於2020 - 2021年實現商業化生產。

在一年前,NAND FLASH產品已經來到48層及64層堆疊技術,到 2019 年更會有 96 層堆疊的產品開始量產,至於下一代的 128 層堆疊亦準備要來,Toshiba與Western Digital合作正在積極開發「BiCS-5」NAND Flash,相比 96 層的「BiCS-4」,新技術額外多出的32層,能夠輕鬆將容量提升 1/3,並可大幅降低製造同等容量終端產品的成本。

據了解,全新的「BiCS-5」NAND Flash邏輯電路層在晶片的底部,而數據層則堆疊在上方,採用了陣列下電路(CuA)設計與非CuA技術相比可把晶片尺寸縮小15%。消息指全新的128層堆疊 3D NAND 採用了TLC設計,儲存密度接近96層堆疊的3D QLC,與96 層的BiCS-4 相比,BiCS-5 可讓模具總體縮小23%,密度亦相較96層堆疊3D TLC提升了29.8%。
【嵌入式儲存救星!!】比 eFlash 快 1000 倍 Samsung 大規模量產 28nm 工藝 eMRAM
文章索引: 硬盤機
Samsung 最新宣佈已經開始大規模生產首款商用 eMRAM ( 嵌入式磁隨機存取儲存器 ),該產品基於 28nm FD-SOI 工藝技術,可廣泛應用於 MCU 微控制器、IoT 物聯網、AI 人工智能領域,並計劃在今年擴大高密度新興的非易失儲存器 (eNVM) 解決方案,包括 1Gb EMRAM 晶片。

MRAM 一種非易失性的磁性隨機儲存器,除了 MRAM,還有 eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM 等次世代存儲器,能夠用於通用微控制器(MCU)、物聯網、工業、消費類電子、汽車等,提升數據保存的能力。

Samsung 指出,eFlash (嵌入式閃存) 要進步已經非常困難,由 SLC、MLC、TLC、QLC 到 OLC 技術 ,雖然密度越來越高,但是相對來說壽命亦越來越短,主控和算法不得不進行越來越複雜的補償。
極速讀寫 + RGB Fusion 燈效 GIGABYTE AORUS RGB M.2 NVMe SSD
文章索引: 硬盤機
GIGABYTE 針對高階玩家市場推出全新「 AORUS RGB NVMe M.2 SSD」,擁有極速傳輸性能提供最高 3,400MB/s Read、2,000MB/s Write,4K 隨機讀取最高達到 440,000 IOPS,厚重的鋁合金散熱器進一步提升散熱效果,更支援全新 RGB Fusion 2.0 技術可與主機板進行燈效同步,絕對信仰十足。

AORUS 粉絲們又要破費了,GIGABYTE 針對高階玩家推出全新「AORUS RGB M.2 NVMe SSD」,採用新一代 PHISON PS5012-E12 主控制器,搭配 TOSHIBA BiCS3 3D TLC NAND Flash,最高速度可達 3,400MB/s Read、2,000MB/s Write,4K 隨機讀取最高達 440,000 IOPS,特別採用厚重鋁擠合金散熱器,中央設有 AORUS 標誌支援 RGB Fusion 燈效技術,運作時可與 GIGABYTE 主機板進行燈效同步控制,絕對信仰十足。

收到廠方送測為 512GB 容量版本,型號為「GP-ASM2NE2512GTTDR」,採用 M.2 2280 Form Factor、PCI Express 3.0 x 4 傳輸介面,支援 NVMe 1.3 傳輸規格,具備厚重的鋁擠合金日工藝散熱器,能令 SSD運作溫度更低更穩定,另備有 256GB 容量版本可供選擇。
【庫存難清加劇 NAND Flash 跌勢!!】 1TB SSD 價格較 2018 年跌幅超過 50%
文章索引: 硬盤機
在 2017 年大家都要挨貴價買 SSD,但自 2018 年第二季開始 NAND 價格急劇下滑,不少分析都認為今年 SSD 的跌勢將持續擴大,最新有消息指 1TB SSD 價格相較於 2018 年跌幅已超過 50%,在 2019 年第一季 PC 類 SSD 在總位元需求與價格走弱下,價格跌幅將達到 15% 以上。

根據 Digitimes 的報導,NAND Flash 跌勢在今年會非常動盪,從電競 SSD 市場需求來看,受到上游 NAND Flash 價格從 2018 年以來快速走跌,過去 1TB 等級 SSD 價格為台幣 1 萬元 ( 約 HK$2,630 ) 以上 ,2018 年已看到價格滑落至 8,000 元台幣 ( 約 HK$2,100 ) 左右,但隨著 NAND Flash 原廠產出增加、跌價壓力擴大,目前市面上可看到 4,000~5,000 元左右 ( 約 HK$1,050 ~ HK$1,320 ) 的價格,甚至可能殺至 3,000元 ( 約 HK$850 )。
1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...