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【DRAM 庫存過剩,價格跌近 30%】 記憶體晶片 8 年來單季最大跌幅!!
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在過去半年,全球記憶體市場供過於求的影響續步浮現,合約價已有下跌的跡象,2019年第一季還有二十多日就完結,究竟市況會變成怎樣? DRAMeXchange 最新公佈的調查顯示,由於庫存過剩 DRAM 產業大部分交易已經改為月結價(Monthly Deals),2月份更罕見出現價格大幅下修,目前季跌幅從原先預估的 25% 調整至逼近 30%,是繼 2011 年以來單季最大跌幅。

半導體研究中心 DRAMeXchange 指出,從市場面來觀察,整體合約價自去年第四季開始下跌,隨後庫存水位持續攀升。近期 DRAM 原廠庫存(含wafer bank) 普遍來到至少一個半月的高水位。同時,Intel 低階 CPU 缺貨情況預期將延續至今年第三季末,在需求受到壓抑的情況下,PC-OEM 也無法消化供貨商的DRAM顆粒,整體市場呈現出“無量下跌”的窘況。這代表即使原廠願意大幅降價求售,也無法有效刺激銷量。如果需求沒有強勁回歸,高庫存水位將導致今年 DRAM 價格持續下修。

放眼一至二年後的 DRAM 市場,三大廠在市佔率上的競爭不會停歇。SK Hynix 日前宣布將斥資 120 兆韓元(約1,070億美元)興建4家晶圓廠,維持競爭優勢。Micron 集團則加碼於台灣興建封測廠,同時在台中後里的台灣 Micron 記憶體,正考慮新建全新的 12 寸 DRAM 廠,最快可能於明年年底完工,2021年可以放量,而最大廠 Samsung目前也正在興建平澤二廠。
【容量、時脈將達到 DDR4 兩倍以上】 Samsung、SK-Hynix 計劃今年底發佈 DDR5 模組
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DDR4 記憶體基本上在 PC 平台已非常普及,各 DRAM 廠商都開始為為新一代「DDR5」作好準備,其中,兩大 DRAM 廠 Samsung 及 SK-Hynix 已計劃在 2019 年底之前發佈 DDR5 產品,Samsung 將專注生產用於移動設備上的「DDR5」產品,而 SK-Hynix 則專注於台式機市場。

在 2 月中舉行的 ISSCC 國際固態電路會議,SK-Hynix 首次介紹全新基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶片,設計師 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正積極量產 16Gb DDR5 SDRAM 模組產品,全新的新 DDR5 SDRAM 模組製造節點為 1Ynm,基於四金屬 DRAM 工藝,封裝面積 76.22 平方毫米,是一款16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM,工作電壓為1.1V。

至於Samsung,在會上則詳述了一些關於 LPDDR5 SDRAM 的計劃,採用 10nm 工藝、工作電壓僅 1.05V,同時提供高達 7.5G/s 的速度,主要將用於移動設備上,包括筆記本電腦、平板電腦及智能手機等產品。
整合 PCIe 及 NVMe 最高 985MB/s 傳輸 SD 卡協會發佈「microSD Express」格式
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無論用於電腦平台或是行動裝置,儲存裝置的讀取速度都會是用家購買時的考慮因素之一,為了滿足未來幾年不斷成長的儲存需求,SD Association 最新公佈了 microSD Express 格式,採用與 SD Express 同樣的 PCIe 3.1 及 NVMe v1.3 介面,不僅擁有低功耗的特點,同時更可提供高達 985 MB/s 的傳輸。

全新「microSD Express」基於 SD 7.1 規範,與 SD Association 之前已公佈的 SD Express 卡同樣, microSD Express 亦可提供 microSDHC Express (最大 32GB )、 microSDXC Express (最大 2TB ) 及 microSDUC Express (最大達 128TB ) 三種格式,並採用傳統的 microSD 接口,以便實現與舊設備向後的兼容性。

「microSD Express」在第二排插腳上分別採用 PCIe 3.1 及 NVMe v1.3 規範,PCIe 3.1 包括低功耗子狀態 (L1.1, L1.2),可為行動市場實現 SD Express 的低功耗,並提供高達 985 MB/s 速度。同時,「microSD Express」支援Multi Queue Support 多核心處理器、Host Memory Buffer 及 Bus Mastering 等功能,Host Memory Buffer 可以去除「microSD Express」記憶卡上的靜態記憶體需求降低成本,直接向主機 RAM 借一部分動態記憶體進行緩存,至於Bus Mastering 則可讓接在匯流排的裝置直接對其它裝置發出 I/O 請求,允許除 CPU 以外的產品(例如調製解調器、相機等)將數據發送到儲存設備,而無需 CPU 介入。
手機記憶體升級!! 速率最高可達 6,400 MT/s JEDEC 正式發佈新一代 LPDDR5 規範
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隨著在全球移動設備對記憶體的需求不斷增長,JEDEC 最新發佈了 LPDDR5 標準,新一代的LPDDR5最高能提供 6400 MT/s,速度比上代的 LPDDR4 高出50%,將顯著提高包括智能手機、平板電腦及超薄筆記本電腦等設備的記憶體運行速度及效率。

自 LPDDR4x RAM 發佈以來已近 4 年,接下來就輪到 LPDDR5 了,JEDEC 表示新發佈的「JESD209-5」LPDDR5 規範帶來了大量的功能和改進,提供更快的速度、更高的效率及更佳的電源管理。

全新的 LPDDR5 新標準由 LPDDR4 的 3200 MT/s 增加到 6400 MT/s,是LPDDR4X 晶片4266Mb/s 速率的 1.5 倍,為了在 LPDDR5 中實現更高的記憶體效能,LPDDR5 新標準經重新設計,將 “memory banks ”的數量由 8 倍增加到 16 倍,新儲存器可以在降低功耗的同時獲得更高的速度,全新 LPDDR5 還採用了先進的速度優化電路架構,可以驗證並確保晶片的超高速性能。
【組成 192GB 容量無難度!!】 CORSAIR Vengeance LPX DDR4 套裝記憶體
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針對Intel 最新推出的「Xeon W-3175X」處理器,CORSAIR 發佈了全新頂級的 Vengeance LPX DDR4 記憶體套裝,最多可以搭配 12 條 16GB DDR4 模組,組成 192GB 記憶體容量,能夠應付超級工作站及發燒級的 28 核心「Xeon W-3175X」處理器平台。

CORSAIR 全新 Vengeance LPX DDR4 192GB 套裝提供了四款型號,分別為DDR4-2666 CL16、DDR4-3200 CL16、DDR4-3600 CL18 及 DDR4-4000 CL19,工作電壓為1.20V 及 1.35V,每個套裝由 12 條 16GB 容量的記憶體組合而成,在全新「Xeon W-3175X」處理器及其他允許 UDIMM 操作的 LGA3647 處理器上能夠以六通道模式運行。

「Vengeance LPX DDR4 記憶體套裝」採用薄型散熱器設計,全黑色的散熱器由陽極氧化鋁材質製成,同時每個套裝都配有兩個 Vengeance Airflow 散熱系統,能夠用於目前唯一支援「Xeon W-3175X」處理器的 ASUS ROG Dominus Extreme主機板之上,將記憶體運行時的廢熱帶走。
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