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【XBOX、PS5 新機配置升級掀起搶硬件大戰?!】 預警!! 記憶體、SSD 加價潮快要來了
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在未踏入 2020 年,已有不少的消息指出 DRAM、NAND Flash 將會漲價,日前再有產業鏈透露,隨著 PS5、新 Xbox 遊戲機即將上市,下半年記憶體及 SSD 需求將會增加,預計將會掀起硬件的搶購潮,看來記憶體、SSD 快要加價了。

據 DRAMeXchange 的報告指出,SONY 與 Microsoft 兩大遊戲機廠商之前已不約而同披露 PS5 與 Xbox Series X 的上市計劃,將在 2020 年聖誕檔期上市,從 GPU 來看,兩者的新遊戲主機均採用 AMD 的解決方案,細節雖略有不同,但預計都會支援高解像度並加入光線追蹤技術,整體架構與 PC 相近,故在遊戲的開發甚至跨平台移植都將更容易。

而為了應對更出色的畫面表現,PS5 與 Xbox Series X 兩款新機都將採用目前最先進的 GDDR6 記憶體,當中 SONY PS5 的記憶體高達16GB,而 Xbox Series X 因為規格不同,將採用 16GB 與 12GB 二種記憶體。SONY 與 Microsoft 預計會從年中之後進入超級採購週期,加上 NVIDIA 亦會在今年下半年正式銷售代號為 Ampere 的新一代 GPU,預料將會掀起一波 GDDR6 的搶貨大戰。
【CES 2020】單條 64GB 容量、4800 MHz SK-Hynix 展示下代 DDR5 RDIMM 實物
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在踏入 2020 年,SK-Hynix 會將旗下的 SSD 產品升級用上自家的 128 層 1Tb 4D NAND Flash 之外,亦都告訴我們「DDR5 記憶體要來了!!」在 CES 2020 上展示了一條最新的 DDR5 EEC 記憶體實物,單條容量為 64GB,而速度更達到了 DDR5-4800 MHz。

DDR5 是下一代 DDR 記憶體,將會替代現時主流的 DDR4 記憶體,DDR5 的容量、時脈將達到 DDR4 兩倍以上。得益於最新的技術,DDR5 有可能帶來單片 32Gb 的 DDR5 顆粒,這樣單條記憶體支援的容量將可提升至 64GB~128GB。而規格上,目前 DDR5 的記憶體規格從 DDR5-3200MHz 起跳,最高可到 DDR5-6400MHz。

在 2018 年 11 月,SK-Hynix 推出了 DDR5 記憶體的樣品,採用的晶片容量為16Gb,速度為 5200 MT/s,比上一代產品快 60%,而在去年 2 月舉行的 ISSCC 國際固態電路會議,SK-Hynix 介紹全新基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶片,設計師 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正積極量產 16Gb DDR5 SDRAM 模組產品,全新的新 DDR5 SDRAM 模組製造節點為 1Ynm,基於四金屬 DRAM 工藝,封裝面積 76.22 平方毫米,是一款16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM,工作電壓為1.1V,可打造出高階的 DDR5-6400 記憶體。
【CES 2020】最高 6400MHz、1.1V 電壓 Micron DDR5 正式出樣,有望 2021 年上市
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據目前的發展方向,在 2020 年 AMD、Intel 將會推出的新一代 CPU 處理器暫時仍只會支援 DDR4 記憶體,但是下一代 DDR5 記憶體已經近在眼前,預計會在 2021 年正式上市,在 CES 2020 大會期間,Micron 公佈其 DDR5 記憶體研發已獲得重打的進展,全新的 DDR5 記憶體基於 1Znm 工藝,密度提高了一倍,性能提升了 85%,並現已開始向客戶出樣。

1Znm 工藝是 DRAM 新一代技術,Micron 已在 2019 年 8 月大規模生產 1Znm 16Gb DDR4 產品,與上一代 1ynm 製程相比,可提供更高的密度,顯著的增強性能以及更低的成本。如今,Micron 再將 1Znm 導入到 DDR5 中應用,將更具市場競爭優勢。

DDR5 是 DDR4 的後繼產品,而且 DDR4 向 DDR5 過渡所代表的意義遠不止技術迭代所帶來的變化,因為以前 DRAM 新一代產品升級著重於降低功耗,且受到移動和終端等因素的推動,而 DDR5 則驅動更大頻寬需求增加,滿足當下 CPU 核心數提升的速度,Micron 基於先進的技術不僅將 DRAM 密度提高了一倍,同時也提高了可靠性。
【加價先兆?!】部份 DRAM、NAND 生產線暫停 Samsung 晶圓廠 2019 最後一日發生停電事故
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目前 DRAM、NAND Flash 價格處於一個很敏感的拐點階段,不過在踏入 2020 年的首日就有消息指出 Samsung 位於韓國華城的 DRAM 及 NAND Flash 工廠在本週二突然遭遇停電事故,導致部份晶片生產線暫停,目前正在檢查生產線以備重新啟動,對於斷電事故可能造成的損失,知情人士稱雖然沒有造成重大破壞,但預計會有數百萬美元的損。

Samsung 的消息稱,在韓國當地 2019 年 12 月 31 日下午位於華城的晶片工廠發生斷電事故,持續大約一分鐘,導致其部分生產線暫停,目前正在檢查生產線以備重新啟動,並評估造成的損失。

據媒體報導,此次斷電是因為區域電力傳輸電纜出現問題,受影響的包括 Line 12 的 NAND Flash 晶片廠、Line 13 的 DRAM 晶片廠、Line 11 及 Line 13 的 LSI 晶片廠,目前相關的 DRAM 及 NAND Flash 生產線已經暫停,預計需要大約 2 至 3 天時間才能全面恢復,這代表將會損失最多三天的產能,而這無疑將會使得 Samsung 本月的 DRAM 及 NAND 產能的供應受到影響。
【NAND 價一個月升 20%,DRAM 都會跟住?!】 要買要快哦?! RAM、SSD 跌價好日子快結束
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2019 年可以說是 DIY 玩家最幸福的一年,不僅可以看到 AMD、Intel 在 CPU 市場上的激烈競爭,另外記憶體、固態硬碟的價格亦出現了比較明顯的下降,砌機成本相比以往降低了不少,不過記憶體、SSD 等硬件價格並非一直不變,NAND Flash 跌價已經兩年了,好日子快要結束了!!

自從 6 月份 Toshiba、WD 位於日本的 NAND Flash 工廠斷電停工一個月之後,NAND Flash 市場就一直有各種漲價的傳聞,而實際上在 2019 年第三季度 NAND Flash 價格就已經開始收窄,這兩個月來價格甚至是突變。

從 NAND Flash 價格來看,11 月底到現在的 12 月底價格漲勢最為明顯,從 NAND Flash 市場的報價來看,512Gb TLCNAND Flash 在 11 月底不過 4.10 美元,現在已經達到了 4.32 美元,漲幅大約 5%。
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