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【價值十億美元?!】Intel 對前員工提出訴訟 疑竊取 3D XPoint 商業機密帶到 Micron
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Intel 及 Micron 在今年 1月份正式宣布兩者之間共同合作的 NAND Flash 業務於完成第三代 3D-NAND Flash(96層)開發之後終止,結束 12 年的合作夥伴關係,當大家以為 Intel 及 Micron 可以和平分手之時,近日就出現一個戲劇性的新發展,Intel 最新已經對一名前僱員提起訴訟,聲稱該名員工竊取其 3D XPoint 技術的絕密文件,並將資料交到 Micron 手中。

3D XPoint 是由 Intel 及 Micron 合作開發的技術,兩者合資的 IM Flash 晶圓廠成立於 2006 年,孕育的首批產品是 72nm NAND,為 Intel 與 Micron 生產 non-volatile memory ( NVDIMM ) 非揮發性記憶體,並負責生產用於 SSD、手機、平板電腦等產品中的 NAND Flash。IM Flash 晶圓廠於 2015 年開始研發 3D XPoint 技術,這是 25 年來第一個全新的記憶體方案,該技術的開發是為了滿足不同類型客戶快速增長的數據需求。

到 2012 年,Intel 將 IMFT 工廠的股份賣給了 Micron,保留位於猶他州的 Lehi 工廠,Intel 與 Micron 兩者最重要的 3D XPoint Optane 快閃記憶體,則會在 Lehi 工廠聯合研發製造,據了解,3D XPoint 的價值號稱高達數十億美元,全球只有幾百個人知道當中的機密技術,儘管 3D XPoint 是 Intel 及 Micron 共同研發,但是雙方是獨立運作,不少技術都並非共同擁有的。
分析師:DRAM 降價比預期更快 2019 年 Q1 跌幅高達 15%
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DRAM 價格持續上漲了兩年多終於開始有下跌的跡象,市場亦預測需求將會持續下降,因此三大 DRAM 巨頭 Samsung、SK Hynix 及 Micron 紛紛計劃削減 2019 年的 DRAM 產能,在需求放緩的情況下保持供應緊絀及維持價格在理想水平。最新 UBS 瑞銀分析明年第一季度 DRAM 環比降幅高達 15%,高於預期的 10%-12%,看來 2019 年的 DRAM 價格將會更陡峭。

UBS 瑞銀分析師 Timothy Arcuri 最新的一份報告中表示,歸咎於 CPU 短缺導致主流級 Desktop 平台、伺服器、移動 DRAM 等需求減弱,DRAM 價格的下跌速度比先前預測的更快,預計 2019 年第一季度 DRAM 混合合同定價將連續下降 12%-15%,而預計下降 10%-12%。

至於 NAND Flash 方面,PC OEM 製造商正在削減 SSD 庫存,智能手機的需求也繼續疲軟,影響了 NAND Flash 的需求,預計 2019 年第一季度 NAND Flash 價格將下降 10-15%。
供過於求導致價格跌幅加劇 DRAM 價格漲勢 10 月份正式告一段落
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DRAMeXchange 日前發布了 2018 年第三季度全球 DRAM 記憶體市場報告,2018 年第三季 DRAM 整體產業營收較上季成長9%,再創歷史新高。觀察各產品類別的報價走勢,除了 Graphic DRAM 繪圖卡記憶體受到 cryptocurrency 虛擬挖礦需求驟減與基期太高的影響,出現 3% 左右的跌幅,以及消費性市場應用主流 DDR3 因需求轉弱而率先走跌外,其餘主流應用別的記憶體(包含標準型、服務器、行動式內存)仍維持 0-2% 的季漲幅。

DRAMeXchange 指出,有別於過去兩年多來營收成長主要由報價上揚所帶動,由於 DRAM 產能已在下半年陸續開出,第三季價格漲幅基本已接近持平,因此營收成長主要來自於位元出貨量的持續提升。展望第四季,10 月份的 DRAM 合約價已經正式走跌,除了宣告 DRAM 價格漲勢告一段落,供過於求加上高庫存水位的影響更導致價格跌幅劇烈。預期在供給端、渠道端、採購端庫存尚未完全消化前,2019 年第一季的合約價恐將面臨更大的跌價壓力。

從營收角度觀察,DRAMeXchange 指出,在產業邁向反轉之際,小廠受到的衝擊較龍頭廠來得實時且劇烈,因此大小廠商的表現在第三季開始出現分歧。產業龍頭 Samsung 受惠於新增產能逐漸放量,位元出貨成長顯著,儘管平均銷售單價未有明顯變化,但營收仍較上季成長13.6%,來到127.3億美元的新高,在三大廠中表現最為亮眼。而 SK Hynix 在產出提升及平均銷售單價小幅上揚 1% 的助力下,營收季增 6.0% 至 81.5 億美元。兩大韓廠營收市佔分別為 45.5% 與 29.1%,合計約 74.6%。
5200 Mbps 數據傳輸、1.1V 工作電壓 SK-Hynix 成功開發 16 Gb DDR5 DRAM
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DDR4 記憶體發展已經非常成熟並是現時 PC 平台的主流產品,因此各 DRAM 廠商亦推向下一個新的階段 —「DDR5」,SK-Hynix 最新宣佈已成功開發出16 Gb DDR5 DRAM,是業界首款符合 JEDEC 標準的 DDR5,傳輸速度最高可達 5200 Mbps,為公司帶來了業界領先的競爭優勢。

SK-Hynix 表示,旗下全新推出的 DDR5 是下一代 DRAM 的新標準,並是業界首款符合 JEDEC 標準的 DDR5 DRAM,相比現時主流的 DDR4,新的 DDR5 DRAM 擁有更高的傳輸速度、更高密度及更低的功耗,非常適合用於大數據、人工智能和機器學習等數據密集型應用。

SK-Hynix 成功地將 16 Gb DDR5 DRAM 的工作電壓從 1.2V 降至 1.1V,與上一代 DDR4 DRAM 相比,功耗降低了 30%,同時全新的 16 Gb DDR5 DRAM 支援 5200 Mbps 的數據傳輸速率,比上一代 3200 Mbps 快約 60%,頻寬高達41.6GB/s,能以每秒傳輸 11 部全高清電影。
追加圖騰美學元素 Team Group T-Force XCALIBUR RGB 特別版
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Team Group 推出全新「T-Force XCALIBUR RGB」圖騰特別版記憶體模組,設計理念沿自皇者之劍置於散熱片上,頂端全幅 120°超廣角導光燈條設計,再加上獨特圖騰元素,令 RGB 燈光效果更精緻細膩,可支援 ASUS、ASROCK、GIGABYTE、MSI等主機板大廠進行燈光同步技術,效果相當出眾。

近期 Team Group 氣勢如虹,敢於創新的設計加上優秀的超頻能力,在 RGB記憶體市場已追貼對手 G.SKILL ,今次收到廠方送測「T-Force XCALIBUR RGB」特別版記憶體模組,在沿有的皇者之劍設計上加入獨特的圖騰元素,效果相當特別。備有 DDR4-3600 與 DDR4-4000 兩種速度的 16GB (8x2) Kit 可供選擇。

「T-Force XCALIBUR RGB」屬於TEAM RGB 記憶體的旗艦級型號,設計慨念沿自皇者之劍置於散熱片上,頂端設有全幅式120°超廣角導光燈條,配合超高亮RGB LED顆粒,燈光漸變效果相當均勻,設有厚重的黑色鋁合金壓鑄散熱器,提供良好的散熱效果,特別版在燈條上加入圖騰元素,相當搶眼。
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