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【高達 3.2GB/s!!】1 秒內傳輸 82 部 FHD 影片 Samsung 第三代 HBM2E 記憶體「Flashbolt」
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目前,高階及主流級的 NVIDIA GeForce RTX 20 系列及 AMD Radeon RX5000 系列繪圖卡都已經搭載了新一代的 GDDR6 記憶體,至於相對更高階的 Titan V、Radeon VII 繪圖卡就採用了另一款的 HBM2 記憶體,在上週,JEDEC 就正式發佈了全新升級、第三版的 HBM2E 記憶體標準「JESD235C」,作為儲存晶片生產大廠的 Samsung 亦隨即宣佈推出名為 Flashbolt 的第三代 HBM2E 記憶體,HBM2E 單顆最大容量為 16GB,由 8 顆 16Gb 的 DRAM 顆粒堆疊而成,單個封裝可實現 16GB 容量,最高可提供 3.2Gbps 的穩定數據傳輸速度,預計新的 HBM2E 記憶體將在今年上半年開始量產。

Samsung 在 2019 年 3 月宣佈成功研發了業界首款符合 HBM2E 規範的記憶體,HBM2E 是 HBM2 的升級版標準,HBM2 的最大數據傳輸速度可達 2.4Gbps ,在此之前使用 HBM2 記憶體的繪圖卡分別有 AMD Radeon VII 及 NVIDIA Titan V,其中 Radeon VII 的記憶體介面為 4096-bit 、頻寬最高可達 1TB/s,至於Titan V 的記憶體介面為 3072-bit、頻寬也達到了 653GB/s。

至於 JEDEC 最新發佈的第三版 HBM2E 標準「JESD235C」,電壓依舊保持在 1.2V,不過其針腳頻寬提高到 3.2Gbps,較前一代最高 2.4Gbps 的最大數據傳輸速度提升 33%。按照 JEDEC 給出的設計規範,單 Die 最大可達 2GB、單堆疊 12Die 能達到 24GB 的容量,將其配備在支援四堆疊的 GPU 繪圖晶片上,便可為繪圖卡提供 1.64TB/s 的總頻寬。
KATANA 武士刀再亮 !! ANTEC KATANA DDR4 記億體模組
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ANTEC 推出全新「KATANA」DDR4 RGB 記憶體模組,取其日文「武士刀」之匠意在頂部勾勒出刀身造型,並柔合 ARGB 導光設計帶來「刃 の 光影」構想,配合極致 CNC 切割工藝及陽極噴砂處理,採用 SpeckTek J-Die 顆粒 DDR4-3200 規格竟可超上 DDR4-4600 !? 具備出色的超頻能力與性價表現,正打算砌機的玩家們不容錯過。

▲ ANTEC KATANA DDR4-3200 CL16 16GB Kit 記憶體模組

ANTEC 針對 DIY 玩家市場推出全新「KATANA」DDR4 ARGB 記憶體模組,取其日文「武士刀」之匠意,廠方在記憶體頂部勾勒出刀身造型,並柔合 ARGB 導光設計帶來「刃 の 光影」構想,配合極致 CNC 切割工藝及
【XBOX、PS5 新機配置升級掀起搶硬件大戰?!】 預警!! 記憶體、SSD 加價潮快要來了
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在未踏入 2020 年,已有不少的消息指出 DRAM、NAND Flash 將會漲價,日前再有產業鏈透露,隨著 PS5、新 Xbox 遊戲機即將上市,下半年記憶體及 SSD 需求將會增加,預計將會掀起硬件的搶購潮,看來記憶體、SSD 快要加價了。

據 DRAMeXchange 的報告指出,SONY 與 Microsoft 兩大遊戲機廠商之前已不約而同披露 PS5 與 Xbox Series X 的上市計劃,將在 2020 年聖誕檔期上市,從 GPU 來看,兩者的新遊戲主機均採用 AMD 的解決方案,細節雖略有不同,但預計都會支援高解像度並加入光線追蹤技術,整體架構與 PC 相近,故在遊戲的開發甚至跨平台移植都將更容易。

而為了應對更出色的畫面表現,PS5 與 Xbox Series X 兩款新機都將採用目前最先進的 GDDR6 記憶體,當中 SONY PS5 的記憶體高達16GB,而 Xbox Series X 因為規格不同,將採用 16GB 與 12GB 二種記憶體。SONY 與 Microsoft 預計會從年中之後進入超級採購週期,加上 NVIDIA 亦會在今年下半年正式銷售代號為 Ampere 的新一代 GPU,預料將會掀起一波 GDDR6 的搶貨大戰。
【CES 2020】單條 64GB 容量、4800 MHz SK-Hynix 展示下代 DDR5 RDIMM 實物
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在踏入 2020 年,SK-Hynix 會將旗下的 SSD 產品升級用上自家的 128 層 1Tb 4D NAND Flash 之外,亦都告訴我們「DDR5 記憶體要來了!!」在 CES 2020 上展示了一條最新的 DDR5 EEC 記憶體實物,單條容量為 64GB,而速度更達到了 DDR5-4800 MHz。

DDR5 是下一代 DDR 記憶體,將會替代現時主流的 DDR4 記憶體,DDR5 的容量、時脈將達到 DDR4 兩倍以上。得益於最新的技術,DDR5 有可能帶來單片 32Gb 的 DDR5 顆粒,這樣單條記憶體支援的容量將可提升至 64GB~128GB。而規格上,目前 DDR5 的記憶體規格從 DDR5-3200MHz 起跳,最高可到 DDR5-6400MHz。

在 2018 年 11 月,SK-Hynix 推出了 DDR5 記憶體的樣品,採用的晶片容量為16Gb,速度為 5200 MT/s,比上一代產品快 60%,而在去年 2 月舉行的 ISSCC 國際固態電路會議,SK-Hynix 介紹全新基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶片,設計師 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正積極量產 16Gb DDR5 SDRAM 模組產品,全新的新 DDR5 SDRAM 模組製造節點為 1Ynm,基於四金屬 DRAM 工藝,封裝面積 76.22 平方毫米,是一款16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM,工作電壓為1.1V,可打造出高階的 DDR5-6400 記憶體。
【CES 2020】最高 6400MHz、1.1V 電壓 Micron DDR5 正式出樣,有望 2021 年上市
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據目前的發展方向,在 2020 年 AMD、Intel 將會推出的新一代 CPU 處理器暫時仍只會支援 DDR4 記憶體,但是下一代 DDR5 記憶體已經近在眼前,預計會在 2021 年正式上市,在 CES 2020 大會期間,Micron 公佈其 DDR5 記憶體研發已獲得重打的進展,全新的 DDR5 記憶體基於 1Znm 工藝,密度提高了一倍,性能提升了 85%,並現已開始向客戶出樣。

1Znm 工藝是 DRAM 新一代技術,Micron 已在 2019 年 8 月大規模生產 1Znm 16Gb DDR4 產品,與上一代 1ynm 製程相比,可提供更高的密度,顯著的增強性能以及更低的成本。如今,Micron 再將 1Znm 導入到 DDR5 中應用,將更具市場競爭優勢。

DDR5 是 DDR4 的後繼產品,而且 DDR4 向 DDR5 過渡所代表的意義遠不止技術迭代所帶來的變化,因為以前 DRAM 新一代產品升級著重於降低功耗,且受到移動和終端等因素的推動,而 DDR5 則驅動更大頻寬需求增加,滿足當下 CPU 核心數提升的速度,Micron 基於先進的技術不僅將 DRAM 密度提高了一倍,同時也提高了可靠性。
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