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【加價先兆?!】部份 DRAM、NAND 生產線暫停 Samsung 晶圓廠 2019 最後一日發生停電事故
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目前 DRAM、NAND Flash 價格處於一個很敏感的拐點階段,不過在踏入 2020 年的首日就有消息指出 Samsung 位於韓國華城的 DRAM 及 NAND Flash 工廠在本週二突然遭遇停電事故,導致部份晶片生產線暫停,目前正在檢查生產線以備重新啟動,對於斷電事故可能造成的損失,知情人士稱雖然沒有造成重大破壞,但預計會有數百萬美元的損。

Samsung 的消息稱,在韓國當地 2019 年 12 月 31 日下午位於華城的晶片工廠發生斷電事故,持續大約一分鐘,導致其部分生產線暫停,目前正在檢查生產線以備重新啟動,並評估造成的損失。

據媒體報導,此次斷電是因為區域電力傳輸電纜出現問題,受影響的包括 Line 12 的 NAND Flash 晶片廠、Line 13 的 DRAM 晶片廠、Line 11 及 Line 13 的 LSI 晶片廠,目前相關的 DRAM 及 NAND Flash 生產線已經暫停,預計需要大約 2 至 3 天時間才能全面恢復,這代表將會損失最多三天的產能,而這無疑將會使得 Samsung 本月的 DRAM 及 NAND 產能的供應受到影響。
【NAND 價一個月升 20%,DRAM 都會跟住?!】 要買要快哦?! RAM、SSD 跌價好日子快結束
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2019 年可以說是 DIY 玩家最幸福的一年,不僅可以看到 AMD、Intel 在 CPU 市場上的激烈競爭,另外記憶體、固態硬碟的價格亦出現了比較明顯的下降,砌機成本相比以往降低了不少,不過記憶體、SSD 等硬件價格並非一直不變,NAND Flash 跌價已經兩年了,好日子快要結束了!!

自從 6 月份 Toshiba、WD 位於日本的 NAND Flash 工廠斷電停工一個月之後,NAND Flash 市場就一直有各種漲價的傳聞,而實際上在 2019 年第三季度 NAND Flash 價格就已經開始收窄,這兩個月來價格甚至是突變。

從 NAND Flash 價格來看,11 月底到現在的 12 月底價格漲勢最為明顯,從 NAND Flash 市場的報價來看,512Gb TLCNAND Flash 在 11 月底不過 4.10 美元,現在已經達到了 4.32 美元,漲幅大約 5%。
【RAM 貴定金條貴?!】2x128GB 賣 HK$46,800!! Apple 新款 256GB DDR4 ECC 記憶體套裝上架
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Apple 在今年 WWDC 發表的一款「地表最貴電腦」全新的 Mac Pro,除了主打是目前市面上效能最頂級的主機之外,由於 Mac Pro 是採模組化設計,所以用戶可以訂製自己想要的規格,將規格全部選擇最頂級的版本,並且把周邊配件、軟體也全部一起加訂的話,就可以組裝一台港四十多萬的電腦。而隨著新 Mac Pro 的上市,Apple 也藉機上架了自家的記憶體,根據 Apple 官方的資料全新的 DDR4 ECC 記憶體套件已經上架,分別提供了 16GB 至 256GB 容量五款套裝,而當中的 256GB (2x128GB) 套裝,售價是 HK$46,800,你無睇錯,真係四萬幾蚊一對啊,貴得可能讓果粉懷疑人生!!

根據 Apple 官網的資料,最新上架的 5 款 DDR4 ECC 記憶體套件產品分別為 16GB (2x8GB) DDR4 ECC 2933MHz R-DIMM、32GB (2x16GB) DDR4 ECC 2933MHz R-DIMM、64GB (2x32GB) DDR4 ECC 2933MHz R-DIMM、128GB (2x64GB) DDR4 ECC 2933MHz LR-DIMM 及 256GB (2x128GB) DDR4 ECC 2933MHz LR-DIMM 五款套裝,而 5 款 DDR4 ECC 記憶體全部都可以兼容 Mac Pro ( 2019 年) 型號。

需要注意的是,R-DIMM 及 LR-DIMM 不可在同一系統中混合使用,因此在 Mac Pro (2019 年機型) 中的所有 DIMM 必須一致。
【寫入速度提升 1000 倍?!可擦寫 1 億次!!】 傳 Samsung eMRAM 記憶體良率已達 90%
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傳統 HDD 機械硬碟速度太慢,但 SSD 固態硬碟的讀寫次數有限,而 NAND Flash 堆疊已達 100+,未來發展恐難避免瓶頸挾制,究竟有沒有新的方案可以替代呢?! 為了解決以上問題,Samsung 在今年三月份宣佈量產首款商用的 8Mb 容量的 eMRAM,為,而最近再有哨消息指 Samsung 已經開始生產 1Gb 容量 eMRAM,良率已經達到 90%,使得 eMRAM 實用性大大提升。

早在 2013 年,Samsung 已成功量產 3D NAND Flash,經過從 2D 向 3D 轉換的“青黃不接”之後,進入 2018 年,3D NAND 產能大規模爆發,現在已經實現了 128 層 NAND Flash 量產。

不過隨著 NAND Flash 堆疊層數的增加,對鍍膜均勻性和蝕刻縱深比的要求越來越高,工藝越來越複雜將造成良率越來越低,產品成本將會隨之增加。一旦成本增加到不足以支撐廠商在激烈的市場競爭中保持優勢地位時,這種工藝就將要面臨淘汰。
【我有的就是錢!!】不計盈利,燒錢虧損都要攻 中國公司殺入記憶體市場:不賺錢也要幹
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中國是全球最大的半導體市場,一家就佔了全球市場份額的 1/3,2018 年進口晶片價值 3120 億美元,其中儲存晶片就佔了 1230 億美元。國內的記憶體、NAND Flash 國產率基本為 0,所以這個領域也是國內重點發展,今年合肥長鑫、長江存儲分別在 9 月份量產了記憶體、NAND Flash。

記憶體市場尤其重要,所以合肥長鑫是下了血本的 —— 長鑫內存自主製造項目總投資 1500 億元,將生產國產第一代 10nm 工藝級 8Gb DDR4 記憶體晶片,並獲得了工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

在長鑫之外,本來還有福建晉華公司的國產記憶體,他們是跟聯電合作的,但是去年被 Micron 起訴,又被美國製裁,導致晉華公司無法獲得至關重要的半導體裝備,現在只能低調,何時量產還是個問題。
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