2009-10-29
Intel與Numonyx取得研究突破
為可擴展、密度更高的相變儲存器
文: John Lam / 新聞中心
文章索引: IT要聞 INTEL 半導體

Intel 與 Numonyx B.V. 29 日宣佈發現一項突破性的相變儲存器 (phase change memory , PCM) 研究成果,這項嶄新的非易失性 (non-volatile) 儲存器技術結合了目前各種儲存器的優勢。研究人員首次展示了能夠在單一矽晶上堆疊或放置多個 PCM 陣列的 64Mb 測試晶片。這些研究成果爲製造容量更高、能耗更低的儲存器設備作好準備,能夠爲隨機存取非易失性儲存器和儲存應用降低所佔用的空間。

 

這項成果由 Numonyx 和英特爾聯合開發,雙方一直共同探索在多層或堆疊式 PCM 單元陣列方面的研究。 Intel 和 Numonyx 的研究人員現在能夠展示名為相變儲存器與開關 (phase change memory and switch , PCMS) 的垂直整合型儲存器單元。 PCMS 由一個 PCM 組件和新型雙向定限開關 (Ovonic Threshold Switch , OTS) 以真正的交叉點陣列方式組成。堆疊多層 PCMS 陣列的能力提供了實現更高儲存器密度的可擴展性,同時保持 PCM 的性能特徵,而基於傳統儲存器技術則越來越難以實現。

 

Intel 院士兼儲存器技術開發總監 Al Fazio 表示,將會繼續開發儲存器的相關技術,以推動運算平台的進步。這項研究里程碑的成果令人振奮,認爲對於擴展儲存器在運算解决方案中的作用以及提高性能和儲存器擴展能力, PCMS 等未來儲存器技術至關重要。

 

Numonyx 公司高級技術院士 Greg Atwood 表示,這項研究成果大有可為,打開為 PCM 産品開發密度更高、可擴展的陣列和類似 NAND 使用模式的可能性。傳統快閃儲存技術一直面對物理限制和可靠性問題,然而從手提電話到數據中心等設備對儲存器的需求卻越來越高,因此這項研究成果意義極為重大。

 

儲存器單元通過堆疊儲存組件和選擇器而製造,由幾個單元構成儲存器陣列。 Intel 和 Numonyx 的研究人員能夠將薄膜以及雙終端 OTS 部署爲選擇器,其物理和電氣特性非常適合 PCM 擴展。現在,薄膜型 PCMS 的兼容性讓多層交叉點儲存器陣列成爲可能。分層陣列一旦整合起來,並按照真正的交叉點陣列進行嵌入,可與 CMOS 電路結合,用作解碼、傳感和邏輯功能。

 

在 12 月 9 日即將在美國巴爾的摩市舉行的 2009 年國際電子設備大會 International Electron Devices Meeting (IEDM) 上,兩家公司將聯合發表標題爲 << 可堆疊交叉點相變儲存器 >> A Stackable Cross Point Phase Change Memory 的論文,披露更多有關儲存器單元、交叉點陣列、實驗以及結果的詳情,這篇論文由 Intel 和 Numonyx 的技術人員共同撰寫,英特爾高級首席工程師 DerChang Kau 將於會上進行相關演講。

 

Intel Headquarter

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