2011-04-15
Intel、Micron合成最先進20nm制程
20nm NAND Flash可望於下半年投產
文: Spike Lam / 新聞中心
文章索引: IT要聞 INTEL 半導體

Intel 15 日宣佈與 Micron 合作推出全新 20nm 制程的 8GB MLC NAND Flash 晶片,是現時業界最先進的 NAND Flash 制程,晶片大小只有 118mm2主要針對 SmartPhone 、 Tablet 、 SSD 產品市場等要求高容量市場,與兩家公司現時最先進的 25mm 相比,可令產品減少 3 至 4 成的 PCB 空間,讓開發者有更具彈性的 PCB 佈局空間。

 

全新 20nm NAND Flash 制程是由 Intel 與 Micron 合資的 IM Flash Technology 所生產,它在 NAND Flash 生產及制程上取得了重大突破,讓晶圓廠提升約 50% 的 GB 容量出貨總數, 20nm 制程 8GB 快閃記憶體目前尚處於樣品階段,可望於今年下半年正式投產。

 

此外, Intel 和 Micron 預期會在今年內再推出 20nm 制程的 16GB MLC NAND Flash 晶片,可在體積與郵票相約的大小下,提供高達 128GB 的儲存容量,將進一步令 SmartPhone 、 Tablet 產品擁有更高的儲存空間。

 

由於日本 311 大地震影響,全球 NAND Flash 供貨出現緊張,而未來日本能否在短期內回復到原有產能仍是未知之素,因此 Intel 與 Micron 宣佈全新 20nm 制程,並且預期可在下半年正式投產,相信在一定程度上可舒緩 NAND Flash 需求緊張。

NAND Flash

 

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