super_hkg

回覆  super_hkg


    基本上只有controller附近果part（近金手指，變壓嘅晶片）要散熱， nand晶片本身係 ...
godofcomputer 發表於 2026-8-19 17:32

應該唔係，工業級的NAND 上會有散熱，加上NAND 老化測試都係用加熱，熱得耐會data corrupt

godofcomputer

應該唔係，工業級的NAND 上會有散熱，加上NAND 老化測試都係用加熱，熱得耐會data corrupt ...
super_hkg 發表於 2026-8-19 19:06

    你上網search下先，耶穌講過啲NAND 快閃記憶體特性，SSD 在高溫（約 40°C - 65°C）下寫入時，氧化層晶體結構較軟，能減少物理磨損，從而提升寫入資料的長期保存能力。

AI：根據半導體物理原理，NAND 快閃記憶體在「高溫下寫入（Active）」可減少隧道氧化層的物理破壞，在「低溫下斷電存放（Storage）」則能有效降低電子漏失，這是延長資料保存壽命（Data Retention）的黃金組合。相比低溫寫入，40°C - 65°C 下寫入能以較低應力完成，大幅降低氧化層的物理結構破壞

jerrychan0610

PCI-E 插卡，顯示卡網卡
super_hkg 發表於 2026-8-19 19:01

    主板上, 除咗PCIE插槽仲有好幾個插位, 唔知要嚟插咩.

另外, 有些PCIE 90度轉接板有NVME接口:

下載 (119.62 KB)

昨天 08:55

主板係X8, 轉接板的PCIE 係X4, 每個NVME可以分到X1 ?

super_hkg

主板上, 除咗PCIE插槽仲有好幾個插位, 唔知要嚟插咩.

另外, 有些PCIE 90度轉接板有NVME接口:
主板 ...
jerrychan0610 發表於 2026-8-20 08:51

你件野好似只可以用係920x ，920q 無pci-e bifurcation，唔可以拆channel

super_hkg

你上網search下先，耶穌講過啲NAND 快閃記憶體特性，SSD 在高溫（約 40°C - 65°C）下寫入時，氧化 ...
godofcomputer 發表於 2026-8-20 03:46

40度係迷你機notebook就算加左heatsink 都好容易達到，係盡量不要超過75度，出問題機率會低D

heatsink 效降低溫度並不是太重要，只係令升溫降溫速度慢D