國產光刻機有望取得突破首台國產28nm工藝沉浸式光刻機最快年底交付

國產光刻機一直是中國半導體工業極力爭取的目標。日前，有消息稱上海微電子有望最快年底向市場交付首台國產28nm工藝沉浸式前道光刻機。

上海微電子有望在2023年年底向市場交付首台國產28納米工藝沉浸式前道光刻機設備，這是中國半導體工業一直以來努力追求的目標。雖然中國在最先進的EUV光刻機方面與國外巨頭存在很大差距，但在非最先進製程的中高端光刻機方面，上海微電子已經具備自主生產、成熟穩定的產品，並有著較高的市場佔有率。此外，上海微電子還擁有2.5D/3D封裝光刻機，其精度在0.6微米左右，屬於世界領先水平。此前，上海微電子也表示在泛半導體方面有所研究，但具體細節不能透露。根據數據顯示，中國在清洗、熱處理、去膠設備的國產化率已達到高水平，而在其他方面的國產化率仍然有待提高。

快科技引述《証卷日報》消息，上海微電子已經在28nm沉浸式光刻機的研發取得了重大進展。預計在2023年年底，他們將向市場推出國產的第一台SSA/800-10W光刻機設備。光刻機是決定半導體生產工藝水平高低的核心技術，由光學系統、微電子系統、計算機系統、精密機械系統和控制系統等構件組成，因此極為複雜和精密。上海微電子裝備(集團)股份有限公司（SMEE）成立於2002年，專注於半導體裝備、泛半導體裝備和高端智能裝備的開發和技術服務。他們的產品廣泛應用於集成電路前道等製造領域。

雖然中國在最先進的EUV光刻機方面起步晚了50年，與國外巨頭存在很大的差距，但在非最先進製程的中高端光刻機方面，上海微電子已經具備自主生產、成熟穩定的產品，並有著較高的市場佔有率。即將推出的SSA/800-10W光刻機就是這一系列的最新產品之一。此外，上海微電子還擁有2.5D/3D封裝光刻機，其精度在0.6微米左右，儘管與前道光刻機有所差距，但仍屬於世界領先水平。此前，上海微電子公開表示在泛半導體方面有所研究，有多個技術路線，但具體細節不能透露。根據數據顯示，中國在清洗、熱處理、去膠設備的國產化率分別達到34％、40％、90％，在塗膠顯影、刻蝕、真空鍍膜的國產化率達到10-30％，而在原子層沉積、光刻、量測檢測、離子注入方面的國產化率暫時低於5％。
https://ezone.ulifestyle.com.hk/ ... 5%E4%BA%A4%E4%BB%98

28NM 其實已經可以滿足大部份電子產品既要求

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hiyato

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發表於 2023-8-4 13:18 | 只看該作者

据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破
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http://search.zqrb.cn/search.php ... wsdate_DESC&p=2

14 国产光刻机如何突围？

作者:本报记者李昱丞时间:2023年07月31日栏目:A3媒体:证券日报电子报

　　本报记者李昱丞　　见习记者丁蓉　　近日，有消息称，上海微电子正致力于研发28纳米浸没式光刻机，预计在2023年年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场。此前，国家知识产权局公布了一项华为新的专利“反射镜、光刻装置及其控制方法”，在极紫外线光刻机核心技术上取得突破性进展。　　半导体产业是全球主要国家的战略高地。美国、荷兰、日本先后对光刻机等半导体制造设备出口进行限制，我国将于8月1日起对镓、锗相关物项实施出口管制。想要不被“卡脖子”，在关键环节实现自主可控是必经之路。光刻机“卡脖子”问题具体体现在哪儿？我国企业已经取得了哪些进展？国产量子芯片领域能否把握发展先机？《证券日报》记者近日就此调研了部分上市公司，采访了学术界、产业界多位专家。　　业内人士普遍表示，我国企业加快核心领域自主研发，光刻机产业链上下游正不断涌现出新进展、新成果，国产化加速向前。“中国芯”正在崛起。......

http://epaper.zqrb.cn/html/2023-07/31/content_968877.htm

对不起！您所访问的页面不存在或者已删除。
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新华网
http://www.news.cn/politics/2023-07/31/c_1129777520.htm

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https://www.txrjy.com/thread-1292662-1-1.html
新华网也删了

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palmtree

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發表於 2023-8-4 17:09 | 只看該作者

歐美禁令擋不住！　研調：中國晶圓代工成熟製程市占率續增長

原文網址: 歐美禁令擋不住！　研調：中國晶圓代工成熟製程市占率續增長 | ETtoday財經雲 | ETtoday新聞雲 https://finance.ettoday.net/news/2533905#ixzz89PLw9HkA
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記者高兆麟／綜合報導

荷蘭上月底跟進發布先進製程設備出口管制細則，但TrendForce認為，即便受到美、日、荷相繼對中國出口祭出管制，中國晶圓代工12吋約當產能市占率仍將由2022年24%，預估增長至2026年26%。此外，若40/28nm設備出口最終仍將取得許可，預估中國晶圓代工12吋約當產能市占率仍有機會在2026年擴張至28%，成長規模仍不容忽視。

根據荷蘭公布最新半導體設備管制措施，由於曝光、沉積、磊晶製程等多項半導體製程設備均在限制出口範圍內，受管制品項出口皆需申請許可，9月1日將正式生效。TrendForce表示，以中國晶圓代工產業發展進程來看，目前專注發展的55nm、40nm以及28nm等成熟製程，包含沉積等設備已可大致由中國本土設備商進行替代，擴產及發展上較無虞，荷蘭此次關鍵限制焦點鎖定在曝光機台。

TrendForce調查，荷蘭出手規範首當其衝的業者包含中芯國際（SMIC）北京廠、上海廠，以及合肥晶合集成（Nexchip）A3/A4廠區。而合肥晶合集成因短期內仍以55nm及更成熟的製程節點為主要量產重點，TrendForce研判影響較輕。至於中芯國際北京與上海廠，預期將可能被迫延緩其擴產計畫，等待設備商取得出貨許可才能持續進行。

以製程來看，依據美國EAR（Export Administration Regulations）原則，半導體禁令旨在限制中國先進製程發展，成熟製程並非主要目標。由於美國、日本、以及荷蘭設備出口管制條例雖有部分機台橫跨成熟及先進製程世代，因而明訂由45nm開始至更先進的製程皆須經過審核，但主流用於45~28nm等成熟製程的機台仍將有機會取得出口許可。儘管會面臨冗長的設備審查流程，導致中國晶圓代工廠40nm及28nm擴產計畫被迫延緩，但就中國晶圓代工廠布局28nm市場的積極度來看，其發展速度仍相當強勢。

值得一提的是，1Xnm等先進製程發展方面，儘管目前已非中國晶圓代工廠發展主流，但在美國、日本及荷蘭管制下，中國未來發展先進製程的可能性，預期將隨著全面性的出口管制被進一步阻擋。

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ricky1992