Intel 自顧不暇，Nikon 光刻機滯銷，或者成為中國的希望

palmtree

https://hk.news.yahoo.com/intel- ... C%9B-165115626.html


Intel 自顧不暇，Nikon 光刻機滯銷，或者成為中國的希望
Ben2020年11月25日週三 GMT+8 上午12:51
文章來源：Qooah.com
眾所周知，美國在半導體行這一方面一直都處於壟斷地位，因此華為才會輕易地被收拾。明顯中國是想救華為的，但中國沒有製造晶片的設備，因此中國更加重視半導體行業的研發，尤其是光刻機的研發，晶片設計技術中國早已掌握，只有中國研發出了光刻機，中國晶片業才有救。

但此次中國無法和以前一樣從外國購置一台光刻機進行研究摸索或者叫「逆向研發」，因為目前的光刻機都被美國規則所限制，無論是 ASML 的 EUV，還是 Nikon、Canon 的光刻機中國都難以購買使用。
美國的規則讓全球的光刻機銷量陷入僵局，影響最明顯的要數 Nikon，它一度是全球最大的半導體設備廠商，但現在份額大降，只有 7% 的份額了。對此公司日前宣布裁員10%，大約有 2000人會失業，Nikon 的光刻機部門也要尋求新客戶了。
在宣布裁員前，Nikon 其 70-80% 的光刻機營收都是來自 Intel 公司，這兩家公司一直以來都是親密合作夥伴，2002年 Nikon 陷入危機的時候，Intel 還慷慨解囊花費 9633萬元幫扶了 Nikon。但過於單一的銷路也確實讓 Nikon 難以良性發展，今年 4月到9月份 Nikon 收到的訂單量大幅下滑，光刻機採購數量只有 9台，比以往下滑了一半。
為了改變一直下滑的業績，日媒表示 Nikon 將把重點放在中國廠商上，一方面中國公司正在大力發展半導體行業，另一方面日本與中國沒有什麼糾紛，不受限制。不過現時看來，Nikon 亦不會貿然向中國出售光刻機，原因有二，一是 Nikon 光刻機究竟有多少美國技術仍是未知數，二是 Nikon 光刻機仍在 DUV 水平，即是勉強可生產 7nm 晶片(會良率低)，如果要追到最頂尖 5nm 水平，又或者想穩定生產 7nm，就需要 EUV 的光刻機。

ten123456789

ASML無出口管制嘅都做到14nm 7nm 走去買nikon

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基本上無乜可能無美國國家實驗室既參與

skywalker167

DELDELDELDEL

freefdhk

Nikon 可能會賣完幾台比佢之後 ,
果邊開始自己生產賣返俾 Intel .
最後連最後既客戶都無埋.

palmtree

相信 中 日 南韓  企業 是 進攻 EUV 技術 挑戰  ASML 壟斷 !


市場 利潤 鉅大 吸引力強 , 邊國企業 唔想 分食一杯羹 ,  市場導向 吧

palmtree

https://www.mpfinance.com/fin/da ... &issue=20200630

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國產28nm光刻機傳明年量產

內地媒體近日報道稱，上海微電子（SMEE）有望在2021至2022年交付第一部可以達到28nm製程的國產沉浸式深紫外（DUV）光刻機。甚至有說，該項目為「十三五」規劃的目標之一，設定於今年12月要交給有關方面驗收，即是暗示在驗收後，2021至2022年正式量產交貨應無問題，有望初步解決內地完全倚賴從外國進口先進光刻機的問題。

據悉，上海微電子為內地技術最好及最主要光刻機生產商，擁有超過2400項專利。暫時來說，其深紫外（DUV）光刻機最多只能夠達90nm的晶片製程，這已經是該公司研究17年才造出的最先進光刻機，與荷蘭ASML差距非常大。

雙工作台由華卓精科供應

此外，上海微電子只是負責光刻機整體設計和技術集成，零部件由多家內地企業供應。例如，光源系統由北京科益虹源提供，投影物鏡系統（鏡頭）由北京國望光學提供，曝光光源系統由國科精密提供，雙工作台由北京華卓精科提供，浸沒系統由浙江啟爾機電提供。據悉，光刻機可分成10多個子系統，其中光源系統、投影物鏡系統（鏡頭）、工作台被認為是最核心三個子系統。

光刻機運作過程非常複雜，簡單來說，是利用紫外光和約20塊鏡片折射對焦，將晶片電路的設計圖縮小至四分之一，以投影在塗上光刻膠的矽晶圓上。以往光刻機只有一個工作台，需要先測量，再曝光，ASML為業內率先設計出兩個工作台，實現測量與曝光同時進行。現時看來，上海微電子新款光刻機（至少將會達到28nm製程）也採用雙工作台設計，華卓精科就是其雙工作台的生產商。

業內消息說，上海微電子這部光刻機SSA/800-10W將會在今年底正式「下線」，單次曝光可以直接實現28nm製程，從而一舉超越日本的Nikon和Canon（兩者製程應在30nm至40nm之間），成為繼荷蘭ASML之後，全球第二先進的光刻機生產商。

多次曝光間接達更精密製程

有說這部光刻機經多次曝光下，能夠間接實現11nm製程晶片生產。如果將來改用華卓精科套刻精度更高的工件台，在多重曝光下，將能夠實現7nm製程的晶片生產。所謂多重曝光，大意是指使用原本28nm製程的光刻機，但將14nm設計的晶片的電路分開2次投影，將7nm設計的晶片的電路分開4次來投影。這樣，便可以間接達到更精密的晶片製程。內地某證券行一份100餘頁的光刻機行業分析報告亦有這個說法，特別引人注目。

筆者不敢說這個方法不行，但亦非容易做得到。不然，Nikon和Canon的光刻機早就做了。而上海微電子現時的90nm製程光刻機，也可以透過雙重曝光，達到45nm製程；透過四重曝光，達到22.5nm製程。再者，使用多重曝光的方式，也會令生產時間以倍數的延長，令產量大減，究竟是否合乎成本效益，亦是另一個問題。

當然，若將之視為被技術封鎖之下，無辦法中的辦法，應該沒有人會反對。





******下一步是 EUV 技術 突破 中 日 聯手 資金 市場 科技技術 互有得益

isvh5

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國產28nm光刻機傳明年量產

內地媒體近日報道稱，上海微電子（SMEE）有望 ...
palmtree 發表於 2020-11-25 19:28

以日本同美國關係，日本點可能同中國合作。

skywalker167

DELDELDELDEL