本帖最後由 skywalker167 於 2017-10-16 00:12 編輯
前幾日見到報導話系市場傳出系合肥果間實驗室裡面的試產0%良率
D細節講出來,應該系真掛...
連3DNAND都死埋
10月2號, 之前自由時報的系9月26號
http://www.appledaily.com.tw/app ... /20171002/37799970/
中國拼記憶體 苦吞敗
合肥睿力DRAM良率掛零 長江存儲NAND遇瓶頸
政府扶植
【楊喻斐╱台北報導】繼面板產業之後,DRAM也在中國政府積極扶植之下,全力發展自主記憶體,並大舉向台灣同業挖角,其中,最為低調的合肥睿力的第1期廠房即將於11月完工,但市場傳出,合肥睿力內部實驗室生產的DRAM良率掛零,恐影響後續試產;另外,也傳出主攻3D NAND Flash的長江存儲在32、64堆疊技術也無法突破瓶頸而失敗。
中國發展DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態隨機存取記憶體)在缺乏技術授權之下,自主開發之路坎坷;據了解,相關廠商投入技術開發的良率不如預期,內部實驗室的測試都宣告慘敗。
中國產DRAM系中國用返已經可以當系供應, 已經減少左全球的demand, 有助改善供不應求的情況 |