本帖最後由 s84292 於 2018-8-25 21:26 編輯
Intel 自己講, 自己10nm 同人地 7nm 同級.
跟住自己 10nm 比自己 14nm+++ 有大幅進步.
Intel 原來洗錯腦 ...
kkclf 發表於 2018-8-25 19:48 
INTEL 10NM的目標SET得太高,
依家小量量產的10nm 已經同某間EUV 的7nm差唔多
不過ARF-I 多重曝光成本高,14nm+++ 對比對手12nm又仲有優勢
似乎又唔係好急出,想再改到10nm+
INTEL下一代想直接跳到GEN 3 全EUV ,唔想用混合多重曝光再賭下一代
但係INTEL要個量 ,ASML 短時間又造唔到高功率EUV機, 7NM睇怕應該真係要2022年
(目前ASML的EUV光刻機使用40對蔡司鏡面構成光路,每個鏡面的反光率為70%。
這也就是說,在經過40對鏡面反射后,只有不到2%的光線能投射到晶元上。
ASML 依家最大功率的實驗EUV係250W[2019年投入服務], INTEL曾經講過要達到他們的量產標準需要1000W)
今年gf 7nm應該仲係DUV產品, EUV最快都要下年中,精度比EUV 差唔少
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