inone2

回覆 20# 高登阿伯


    我係講緊香港，1960年香港有大量使用電梯嗎?? 不過我認我講得唔清楚，我係指扶手電梯，唔係LIFT!!!!

inone2

回覆 19# ~Mars~


        我認我講得唔清楚，我係指扶手電梯，唔係LIFT!!!

inone2

千倍於快閃記憶體！三星量產eMRAM嵌入式磁阻記憶體：28nm工藝
https://news.mydrivers.com/1/618/618164.htm

就在不久前，Intel宣佈已經準備好大規模量產MRAM(磁阻式隨機訪問記憶體)，這種綜合了RAM記憶體、NAND快閃記憶體的新型非易失性存儲介質斷電後不會丟失資料，寫入速度則數千倍於快閃記憶體，可以兼做記憶體和硬碟，甚至統一兩者。

同時很關鍵的是，它對製造工藝要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品價格自然不會太離譜。

現在，三星電子又宣佈，已經全球第一家商業化規模量產eMRAM(嵌入式磁阻記憶體)，而且用的是看上去有點“老舊”的28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上矽)成熟工藝，可廣泛應用於MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智慧領域。

三星指出，基於放電存儲操作的eFlash(嵌入式快閃記憶體)已經越來越難以進步，SLC、MLC、TLC、QLC、OLC一路走下來，密度越來越高，但是壽命越來越短，主控和演算法不得不進行越來越複雜的補償。

eMRAM則是極佳的替代者，因為它是基於磁阻的存儲，擴展性非常好，在非易失性、隨機訪問、壽命耐久性等方面也遠勝傳統RAM。

使用28nm工藝量產成功，則進一步證明三星已經克服了eMRAM量產的技術難題，工藝上更不是問題。

三星表示，28nm FD-SOI工藝的eMRAM可以帶來前所未有的能耗、速度優勢。由於不需要在寫入資料前進行擦除迴圈，eMRAM的寫入速度可以達到eFlash的大約一千倍，而且電壓、功耗低得多，待機狀態下完全不會耗電，因此能效極高。

另外，eMRAM可以輕易嵌入工藝後端，只需增加少數幾個層即可，因此對於前端工藝要求非常低，可以輕易地使用現有工藝生產線進行製造，包括Bulk、Fin、FD-SOI電晶體。

三星還計畫今年內流片1Gb(128MB)容量的eMRAM晶片。

YES_MAN

咪興奮住.
subarray density = 10.6Mbits/mm2
1Gb = 1024Mbits
die size = 1024/10.6 ~ 100mm2
同粒1151 chipset H370差不多大小,
8粒1GB就一條DIMM鋪滿

inone2

回覆 24# YES_MAN


    未用3D XPOINT技術就係咁咋吓!???? 一轉96層的話你都唔好睇少佢!!!

    1層 1Gb，96層= 96 * 1Gb =12 * 1GB =12 GB

inone2

又出新圖啦!!!

下載 (17.57 KB)

2019-3-8 16:18

下載 (16.18 KB)

2019-3-8 16:18

燕飛

咪興奮住.
subarray density = 10.6Mbits/mm2
1Gb = 1024Mbits
die size = 1024/10.6 ~ 100mm2
同粒1151 ch ...
YES_MAN 發表於 2019-3-7 14:32

而家d ram係 stack chip 的
一個package可以有幾層ram

via HKEPC Reader for Android

skywalker167

而家d ram係 stack chip 的
一個package可以有幾層ram

via HKEPC Reader for Android
燕飛 發表於 2019-3-8 16:35

即系而家都做到接近DRAM的密度同成本??
而且比DRAM更容易shrink個fab node...
因為其實DDR5單條16GByte會系一開始就系主流，你當一條RAM成本大約2-3百，1000HKD成本應該有64GB DRAM，如果MRAM有差不多成本，其實64都夠，可以裝windows+常用軟件+一隻中等大小的game都夠裝，已經可以部分代替NAND，而且耐久度好過NAND好多你NAND大容量都無用.....

第時5/7nm MRAM分分鐘1000HKD成本可以有256-512GB MRAM，就算你話類似價錢買到2,3TB NAND又點，做backup HDD最穩陣

不過我覺得最後MRAM不能替代DRAM，可能有D野你想好容易就消失，例如reboot，斷電

inone2

Samsung is rolling out eMRAM for the IoT
Subject: General Tech | March 11, 2019 - 01:16 PM | Jeremy Hellstrom
Tagged: everspin, eMRAM, Samsung, iot, Optane
Embedded magnetic RAM has been around for a bit, usually thanks to the work of Everspin whom have licensed their technology to GLOBALFOUNDRIES, though today Samsung has announced they are developing their own.  It is less expensive to produce than STT-RAM, PC-RAM or memristors yet offers many of the same advantages over flash memory, namely much higher performance and lower electrical requirements.  

Samsung is a ways from production, according to The Register Samsung doesn't expect to tape out a 1Gb eMRAM test chip until later this year.  This would be a big leap forward for the performance of embedded systems, as ARM is working with Samsung to ensure compatibility and we may even see eMRAM onboard ARM chips once Samsung's production lines ramp up.  It will be interesting to see what effect this will have on the market once it arrives; hopefully a larger splash than a certain other type of non-volitile memory!

下載 (96.85 KB)

2019-3-17 07:34

https://www.pcper.com/news/Gener ... lling-out-eMRAM-IoT