ricky1992

結論係
買得電子零件就要講手氣

soho888

ssd 根本上就係放os ...

掃馬想機

ssd 根本上就係放os ...
soho888 發表於 2016-3-1 23:32

Notebook好難囉

lwk0022

回覆 5# verykin

文章係話：影響SSD可靠性的是其年齡，而不是使用程度。
師兄係咪理解錯左？

yjfoeg

回覆  verykin

文章係話：影響SSD可靠性的是其年齡，而不是使用程度。
師兄係咪理解錯左？ ...
lwk0022 發表於 2016-3-2 02:04

er...其實之前都有研究講過，日日著係好過擺喺度唔通電...
不過呢篇文又好似冇提呢樣

johnnyluhk

..."而根據第五條，不用擔心頻繁使用SSD會縮短其壽命，閒著不用才會更讓其短命。這和很多電子設備其實是一 ...
hardtoy 發表於 2016-3-1 15:34

原文係While wear-out from usage is often the focus of attention, we note that independently of usage the age of a drive, i.e. the time spent in the field, affects reliability.
佢係講駁電後的時間才是決定因素而不是使用頻率,個翻譯.......

sniperX

Notebook好難囉
掃馬想機 發表於 2016-3-2 00:03

Think PAD 240X係SSD加hard disk。但係要夠大，120GB一般用幾年就會俾Windows撑爆。winsxs已經有16BG file，仲有D唔知咩食晒空間。

windkit

唔通電會有data loss關乎NAND flash chip內部原理

寫資料可以理解成將電子存入一個cell trap住
讀ge時候就係去個cell睇下有幾多電子(voltage level) 多過一定數量就係 1 否則就係 0 (以SLC計)
不過電子其實會慢慢走(半導體問題) 而溫度會影響導電性能 越高越易走入/走出
所以寫ge時候溫度高d可以trap多d 唔用ge時候溫度低d可以keep耐d

只係要留意當年(原原文係幾年前ge report後來突然俾人挖返出o黎)係講緊一個已經過左rated壽命ge SSD, 再放係到data retention ge狀況

如果再扯遠d可以講埋只讀唔寫都會影響壽命 (read disturb)... 不過留返自己google

YES_MAN

即係用或不用
SSD都會折壽
但好似SSD的SMART裏
Life estimation formula
忽略了Aging這因素
變成存放沒用多年的SSD
SMART life仍100%
但實際life是打了折扣

ccccchoho

我剛剛睇完英文原文 極之建議大家要睇原文 個個中譯結論解錯左

7、30-80％ SSD起初就有至少一個壞塊，2-7％使用四年後會有至少一個芯片損壞。
• Bad blocks and bad chips occur at a signicant rate: depending on the model, 30-80% of drives develop at least one bad block and and 2-7% develop at least one bad chip during the first four years in the field. The latter emphasizes the importance of mechanisms for mapping out bad chips, as otherwise drives with a bad chips will require repairs or be returned to the vendor.

佢係講係4年之內30-80%會有bad blocks，2-7%會有bad chips

而且報告主要係講廠商標明既UBER(Uncorrectable Bits Error Rate)唔直接影響實質操作時既Uncorrectable Error。而且報告話UBER唔會影響以後既Error rate，因為controller已經處理左個block。
但係個個UE已經發生左，入面既data都已經死左，如果係重要資料你就gg了。
而且中譯本無講有關nm問題，大家睇返原文figure 2。如果係同樣大小(50nm SLC vs 50nm MLC)，MLC既UC同FC(final error)大約比SLC高1倍，即係資料完整性，SLC會比較高。
而且P/E cycle仍然會影響RBER 然後 UE發生，只不過唔係預期咁大。(記住睇返同nm，你用34nm SLC比較50nm MLC無乜意思，因為nand體質會隨nm變小而下降)
而且原文係講RBER會隨P/E cycle + 零件老化而影響阿。並唔係PE cycle無意義，只需要睇新舊! 兩者都有影響，只係PE cycle影響無預期中大!