回復 9# citi321

"或許在新的工藝下,SandForce主控的RAISE冗餘技術就更能發揮作用。

  然而下面這個問題更能被消費者關注,那就是壽命。我們記得當製程從34nm進化到25nm時,閃存的P/E(program/erase)從5000次下降到了3000次 [Intel 話330 有 5000 p/e],這是一個相當沮喪的消息,當再次演變到20nm時,其可擦寫次數還會再降低嗎?

  答案是肯定的,早期的20nm閃存顆粒(F1)其P/E甚至不足1000次,目前量產的F3顆粒也只有1500次的P/E,隨著工藝的改進,閃存的耐用性也會增加,英特爾稱,20nm的NAND Flash可擦寫次數能達到3000次P/E [少330 2000 p/e],到了使用ONFI 3.0標準時,甚至可以達到5000次。"
http://www.expreview.com/19701.html

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但容量多咗, 剩餘空間多咗, 每個HDD既平均壽命會長番.
1q1q1q 發表於 2012-10-23 18:27

咁好視乎用家儲存習慣

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咁好視乎用家儲存習慣
kwm2000 發表於 2012-10-24 22:41



    唔係丫, 制程細左+容量升左=>總寫入次數都會係不變/上升

唔關用家事

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新制程最大的優點係成本下降(同一晶原可以生產更多晶片),令產品價格下降,或者同價格下容量提升;但相對的缺點係擦寫次數下降.
其實家用機黎講,擦寫次數問題唔算得係咩問題,當你擦寫次數得2000次,減去TRIM/GC和其他消耗直接打個一折俾你=200次,要1年內用光,每天要寫入SSD總容量54%(200次除365日),即係一隻120GB SSD每天要寫入約65GB資料才可以一年內用光,明顯遠遠超出一般家用使用情況.

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335 未到貨 330 已回番小小 GOOD~

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等﹗ 我一於等 (清舊貨)... 有新野真好...

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回復 15# Homer

係....除左影相同剪片之外, 其他用途都冇問題. 其實HARDDISK 都會突然死亡.

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