BW

回復 9# citi321

"或許在新的工藝下，SandForce主控的RAISE冗餘技術就更能發揮作用。

　　然而下面這個問題更能被消費者關注，那就是壽命。我們記得當製程從34nm進化到25nm時，閃存的P/E（program/erase）從5000次下降到了3000次 [Intel 話330 有 5000 p/e]，這是一個相當沮喪的消息，當再次演變到20nm時，其可擦寫次數還會再降低嗎？

　　答案是肯定的，早期的20nm閃存顆粒（F1）其P/E甚至不足1000次，目前量產的F3顆粒也只有1500次的P/E，隨著工藝的改進，閃存的耐用性也會增加，英特爾稱，20nm的NAND Flash可擦寫次數能達到3000次P/E [少330 2000 p/e]，到了使用ONFI 3.0標準時，甚至可以達到5000次。"
http://www.expreview.com/19701.html

kwm2000

但容量多咗, 剩餘空間多咗, 每個HDD既平均壽命會長番.
1q1q1q 發表於 2012-10-23 18:27

咁好視乎用家儲存習慣

hihihi123hk

咁好視乎用家儲存習慣
kwm2000 發表於 2012-10-24 22:41

    唔係丫, 制程細左+容量升左=>總寫入次數都會係不變/上升

唔關用家事

Homer

新制程最大的優點係成本下降(同一晶原可以生產更多晶片),令產品價格下降,或者同價格下容量提升;但相對的缺點係擦寫次數下降.
其實家用機黎講,擦寫次數問題唔算得係咩問題,當你擦寫次數得2000次,減去TRIM/GC和其他消耗直接打個一折俾你=200次,要1年內用光,每天要寫入SSD總容量54%(200次除365日),即係一隻120GB SSD每天要寫入約65GB資料才可以一年內用光,明顯遠遠超出一般家用使用情況.

SLOPE

335 未到貨 330 已回番小小 GOOD~

uncle9

等﹗ 我一於等 (清舊貨)... 有新野真好...

月南星

回復 15# Homer

係....除左影相同剪片之外, 其他用途都冇問題. 其實HARDDISK 都會突然死亡.

yanjar

Anandtech 有Review, 好似麻麻地
http://www.anandtech.com/show/6388/intel-ssd-335-240gb-review