2007-09-19
Intel展示業內第一款32奈米晶圓
第二代High-K技術 09年開始量產
文: John Lam / 新聞中心
文章索引: IT要聞 INTEL 半導體 IDF
Intel 總裁兼 CEO Paul Otellini 於舊金山 IDF 論壇上宣佈, Intel 在 32 奈米制程上取得了重大突破,並在現場展示了業內第一款 32 奈米晶片,將超過四百萬個電晶體集成在僅有小數點大小的面積內, Intel 預期 32 奈米將於 2009 年下半年開始量產。

據 Paul Otellini 表示, Intel 成功打造第一款使用下一代 32 奈米制程技術製造的 300 毫米晶圓,這些先進測試晶片的成功開發標誌著英特爾在下一代 32 奈米制程技術規模製造方面取得的重大成就,並帶來最先進的製造技術,實現業內持續領先

據了解, Intel 在大會所展示的 32 奈米測試晶片,是邏輯和靜態隨機存取記憶體( SRAM ),集成電晶體數量超過 19 億個,使用英特爾第二代高 -k 與金屬柵極電晶體技術,每個記憶位元的晶格面積為 0.182 平方微米,整體裸晶面積為 118 平方毫米,總記憶容量達 291Mbits ,內擁有 PROM 陣列、高速暫存器檔案(暫存器集合群)、高速 I/O 電路、高頻相鎖迴路與時脈電路,最底端則是離散、分離式的測試結構,容納了超過 10 億個電晶體。


Intel SRAM Test Chips32nm Test Chip
( 左 )Intel 保持每兩年推出全新制程 ( 右 ) 32nm Test Chips 內建 19 億個電晶體

根據 Intel 最新制程規劃, 32 奈米產品將會在 2009 年下半年開始量產,加入全新 Tri-gate 電晶體、 High-K 物料及 Strained Silicon 技術,代號為 P1268 的 32 奈米制程,採用 193 浸沒式微影技術 (immersion lithography) 於重要的金屬層、配搭 193 奈米或 248 奈米乾式微影技術 (dry lithography) 於非重要的金屬層,首顆 32 奈米處理器家族為「 Westmere 」, 2010 年將會再推出全新微架構的 32 奈米處理器「 Sandy Bridge 」。

Paul Otellini 極具信心表示, Intel 可望在 2010 年前,讓每瓦效能 (performance per watt) 比現今處理器增加高達 300% ,不僅持續精進功耗與效能表現,同時亦會不斷研發與製造嶄新產品,許多令人振奮的全新功能將會是市場焦點所在 。

Paul Otellini - 32nm SRAM 
Intel 總裁兼 CEO Paul Otellini 手時業內首片 32 奈米晶圓
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