2009-07-23
Samsung宣佈推出低成本2Gb DDR3
採用40nm制程 1.35v可達DDR3-1600
文: John Lam / 新聞中心

三星 22 日宣佈將採用 40nm 制程量產 2Gb 容量的 DDR3 記憶體顆粒,全新的晶圓制程將令 2Gb 容量 DDR3 記憶體顆生產成本大幅降低,令 2Gb 容量顆粒加速普及化,此舉很大機會令市場預載 PC 系統記憶體容量進一步提升。

 

三星指出,全新 40nm 制程相較舊有 50nm 制程在相同尺寸的晶圓下提升六成生產力,令生產成本大幅下降,全新 40 奈米制程 2Gb 容量 DDR3 記憶體顆粒時脈可達 DDR3-1600 ,電壓則只需要 1.35V ,而且良率令人滿意。

 

據三星記憶體事業群副總裁 Jim Elliott 表示,全新 40 奈米將令 DDR3 記憶體售價進一步普及,同時容量將上升一倍,用家只需要接上用上兩組 DIMM 便能提成 8GB 容量,並保留一定的升級能力,用於伺服器市場則可令系統記憶體倍增,大幅提升伺服器運算效能。

 

三星引用市調機構 iSuppli 數據,指出 2Gb DDR3 顆粒於 2012 年將佔 82% 市佔,三星能搶先推出低成本的 40 奈米產品,搶下頭香並將保持記憶體顆粒龍頭地位。由於 DDR3 記憶體顆粒售價大幅下調,並與 DDR2 記憶體顆粒相距不達, iSuppli 預期 DDR3 記憶體產品將會於 2010 年超越 DDR2 成為市場主流。

 

40nm 2Gb DDR3

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