三星 22 日宣佈将採用 40nm 制程量产 2Gb 容量的 DDR3 记忆体颗粒，全新的晶圆制程将令 2Gb 容量 DDR3 记忆体颗生产成本大幅降低，令 2Gb 容量颗粒加速普及化，此举很大机会令市场预载 PC 系统记忆体容量进一步提升。

三星指出，全新 40nm 制程相较旧有 50nm 制程在相同尺寸的晶圆下提升六成生产力，令生产成本大幅下降，全新 40 奈米制程 2Gb 容量 DDR3 记忆体颗粒时脉可达 DDR3-1600 ，电压则只需要 1.35V ，而且良率令人满意。

据三星记忆体事业群副总裁 Jim Elliott 表示，全新 40 奈米将令 DDR3 记忆体售价进一步普及，同时容量将上升一倍，用家只需要接上用上两组 DIMM 便能提成 8GB 容量，并保留一定的升级能力，用于伺服器市场则可令系统记忆体倍增，大幅提升伺服器运算效能。

三星引用市调机构 iSuppli 数据，指出 2Gb DDR3 颗粒于 2012 年将佔 82% 市佔，三星能抢先推出低成本的 40 奈米产品，抢下头香并将保持记忆体颗粒龙头地位。由于 DDR3 记忆体颗粒售价大幅下调，并与 DDR2 记忆体颗粒相距不达， iSuppli 预期 DDR3 记忆体产品将会于 2010 年超越 DDR2 成为市场主流。