2011-05-25
DRAM廠商轉進至採用30nm製程
20nm門檻極高 2013年前30nm仍屬主流
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 DRAMeXchange

隨著 5 月快將完結, DRAMeXchange 25 日發表五月下旬 DRAM 合約價走勢報告,指出日本大地震後所帶動的上漲動能已轉趨舒緩,加上市場供應逐漸回復, DDR3 2GB 及 4GB 合約均價維持平穩走勢,在整體市場需求減弱下,六月合約價議定將增添變數。

 

據 DRAMeXchange 的調查報告指出,五月下旬 DDR3 2GB 合約均價維持在 18.75 美元 (1Gb $1.02) 水平, DDR3 4GB 合約均價維持在 36.5 美元 (2Gb $2.12) 水平,表現平穩,主要是由於地震後供應鍊已逐步回穩,而且早前傳出兩家 DRAM 廠在 40nm 的良率問題已逐步獲得改善,加上 PC-OEM 廠 DRAM 庫存充裕,因此整體市場需求減弱。

 

另一方面, DRAMeXchange 也分析了 DRAM 廠商對於微縮製程的情況,由於能否優先導入先進製程成為各廠獲利關鍵,廠商製程轉進步伐已加快至一年橫跨兩個製程技術,目前各廠仍積極轉進 40nm 甚至 30nm 製程,雖然透過製程轉進能增加 20%-30% 產出量,但由於良率穩定度困難,令不少廠商受到技術問題所限而影響 30nm 製程後的研發技術能力。

 

據 DRAMeXchange 對廠商們的技術分析指出,目前 SAMSUNG 早已導入 3x nm 制程技術,目前 35nm 製程至第二季末預估將佔 30% 產能,預期年底將有超過 50% 出產是採用 35nm 製程技術,成位業界龍頭。

 

同為韓系廠商的 Hynix 由於 38nm 製程需同時切入 6F2 領域,因此預期今年產出的比例將非常有限;而日系廠商 Elpida 子公司瑞晶在去年第四季已全數導入 45nm 製程,而且預期 38nm 製程將於 6 月量產,預期年底可望達到佔總投片產能的一半。台系廠商方面,南科與華亞科目前仍主力拉高 42nm 的投片比重以及良率穩定度,但 30nm 則有機會於年末進行試產。

 

此外,除了提升投片量之外,各家記憶體廠為了提高獲利能力,正降低標準型記憶體的投片比例,同時將產能轉向毛利較高的伺服器用記憶體與行動式記憶體,以改善近期標準型記憶體走勢疲弱導致 DRAM 廠高財務狀況的影響。

 

DRAMeXchange 預期,除了持續改善 30nm 製程研發進度與良率外,邁入 20nm 製程後將出現摩爾定律的瓶頸,屆時不僅設計難度添增往後生產的不確定性,造價高昂的超紫外光微影設備 (EUV) 更大幅拉高進入次世代製程的門檻。以目前情況來看,除了有獲利能力的國際 DRAM 大廠能負擔價格昂貴的機台外,其餘尚在虧損狀態的 DRAM 廠仍在審慎評估中未來市場的需求。

 

不過,由於 20nm 製程設計難度極高,而且成本進入也擁有高門檻障礙,因此預期在 2012 年底以前仍會是以 30nm 製程顆粒為市場主流,平均落後一至兩個世代的台系 DRAM 廠商將可望得到喘息空間。此外, DRAMeXchange 也指出未來兩年記憶體位元成長率將會趨緩,供過於求的標準型記憶體價格產能彖可望獲得部份紓解,進而使價格得以回復至合理水平。

 

SAMSUNG

 

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