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受價格持續上揚帶動 第一季全球行動式記憶體產值再創新高
文章索引: DRAMeXchange
根據記憶體儲存研究 DRAMeXchange 調查顯示,去年下半年智慧型手機的新機發表並未如預期帶來換機效應,因此自去年第四季中開始,市場提早進入傳統淡季。品牌廠在歷經 3 個月的庫存水位調節後,於今年二月底才見市場需求轉旺,並重啟拉貨動能,其中又以旗艦新機需求的大容量記憶體居多。整體而言,第一季受到智慧型手機市場回溫、新機發表,以及行動式記憶體平均單價上漲的影響,全球行動式記憶體產值來到 84.35 億美元,較去年第四季提升約 5.3%,一反以往第一季營收衰退的軌跡,再度刷新歷史記錄。

展望第二季行動式記憶體產值表現,儘管合約價格漲幅趨緩,但受惠中國四大品牌 HUAWEI、小米、OPPO、vivo 的需求持續看旺,以及 Android 陣營、Apple 陣營旗艦新機主流搭載容量上升的影響,預估第二季行動式記憶體總產值仍有機會較第一季成長。

以個別供應商的營收表現來看,Samsung 作為全球第一大的 DRAM 供應商,第一季及第二季的報價都因而較過去幾季收斂,報價上的受限讓 Samsung 另謀出路,透過積極行銷大容量記憶體並且結合自家先進奈米製程技術,成功取得多數的大容量訂單,交出第一季營收 47.66 億美元的亮眼成績,鰲占市場龍頭寶座。製程進度上,三星的行動式記憶體幾乎已全採用 18nm 製程,僅少數 LPDDR3 eMCP 組合還有微量供應 20nm 產品。
中國三大陣營 2018 年投入 DRAM 試產 預計 2019 年將成為中國記憶體生產元年
文章索引: DRAMeXchange
DRAMeXchange 記憶體儲存研究指出,中國記憶體產業目前以長江存儲、合肥長鑫以及晉華集成三大陣營為主,以目前的進度來看,其試產時間預計將在 2018 年下半年,隨著三大陣營的量產的時間可能皆落在 2019 年上半年,揭示著 2019 年將成為中國記憶體生產元年。

合肥長鑫的廠房已於去年 6 月封頂完工,去年第三季開始移入測試用機台,試產時程將會落於今年第三季,量產則暫定在 2019 年的上半年。此外,由於合肥長鑫直攻三大 DRAM 廠最重要產品之一的 LPDDR4 8Gb,之後面臨專利爭議的可能性也較高,為了避免此一狀況,除了積極累積的專利權外,初期可能將鎖定於中國銷售。

另外,專注於利基型記憶的晉華集成,在 2016 年 7 月宣布於福建省晉江市建 12 吋廠,投資金額約 53 億美元,以目前進度來看,其利基型記憶體的試產延後至今年第三季度,量產時程也將落在明年上半年。
NAND Flash 第二季維持小幅供過於求 價格有望持續下跌
文章索引: DRAMeXchange
記憶體儲存研究 DRAMeXchange 表示,NAND Flash 市場第一季已呈現供過於求,儘管第二季隨工作天數回復後需求有所增長,但成長力道仍偏弱,預期 NAND Flash 將維持小幅供過於求態勢,價格方面也將持續走跌。

針對下半年 NAND Flash 市場走勢,DRAMeXchange 指出,從需求面來看,下半年除了有旺季效應之外,通路市場隨著價格下修而出現復甦態勢,以及智慧型手機搭載容量持續提升等因素帶動,位元需求成長表現穩健。

觀察供給面,DRAMeXchange 指出,因應上半年的市場走勢,部分供應商已減緩擴產速度,下一個世代的 9x 層 NAND Flash 製程要至 2019 年起才會有較具規模的出貨,對 2018 年的供給影響有限,而備受外界關注的中國供應鏈長江存儲的產能也要到 2019 年起才會較具規模,同樣對 2018 年的市況影響甚微。
Micron 與 Intel 將中止 NAND Flash 研發合作 拆分結盟後影響於 2020 年浮現
文章索引: DRAMeXchange
Micron 與 Intel 在 1 月 8 日宣布其 NAND Flash 合作夥伴關係將於完成第三代 3D-NAND Flash(96層)開發之後終止,各自研發未來的 NAND Flash 技術,以符合雙方品牌產品所需,並維持 Lehi 廠 3D XPoint 的合作關係。針對該項消息,TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,由於 96 層 3D-NAND 直到 2019 年才逐漸成為主流,研判 Micron 與 Intel 拆分結盟的決議要到 2020 年後才會影響雙方產品的規劃與結構。

DRAMeXchange表示,Micron 與 Intel 之間的 NAND Flash 採購協議並未因此中止,短期內不會對雙方產能的銷售與分配上產生劇烈衝擊。從產出端來看,後續 Intel 將專注以大連廠產出供給伺服器 SSD 之用,而 Micron 則擁有新加坡兩座 3D-NAND Flash工廠產能,並搭配生產 DRAM 優勢,具有彈性的策略發展及產品組合。
受擴產與淡季影響 2018 Q1 NAND Flash 供過於求致價格走跌
文章索引: DRAMeXchange
根據 DRAMeXchange 最新的研究指出,2018 年第一季在需求端面臨到傳統淡季的衝擊,預計智慧型手機、平板電腦裝置量需求將較 2017 年第四季下跌逾 15%,而伺服器需求相對持平,整體位元需求量較 2017 年第四季呈現 0-5% 下跌。另一方面,NAND Flash 供應商仍持續提升 3D-NAND Flash 的產能及良率,位元產出成長亦較第四季高於 5%,預期 NAND Flash 市場將進入供過於求態勢,2018 年第一季固態硬碟、NAND Flash 顆粒及 Wafer 等合約價皆將翻轉走跌。

回顧 2017 年上半年,第一季在供給端由於 2D-NAND 轉往 3D-NAND 導致產能損失,加上中國手機廠商如 Huawei、OPPO、Vivo 的強勁備貨需求,加劇 NAND Flash 缺貨狀況,包含 eMMC/UFS、Client SSD 及 Enterprise SSD 合約價都有至少 10% 以上的價格漲幅。進入第二季後,儘管工作天數回復,促使筆記型電腦及平板電腦等裝置的需求較前一季增加,但中國品牌手機表現不如預期,價格漲幅因此較前季趨緩。

觀察 2017 年下半年 NAND Flash 市場變化,第三季在蘋果十周年新機上市以及伺服器的雙頭馬車帶動下,整體供應缺口進一步擴大,但價格經過數季的調漲以後,已經來到各個 OEM 廠所能接受的上限,致使價格調漲空間受限。第四季在伺服器需求稍踩剎車的影響下,僅剩蘋果的需求動能較為顯著,而東芝晶圓報廢一事亦不如外傳嚴重,加上 3D-NAND 的擴產腳步未停,致使市場更趨向供需平衡狀態,整體合約價以持平或小漲開出。
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