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Micron 與 Intel 將中止 NAND Flash 研發合作 拆分結盟後影響於 2020 年浮現
文章索引: DRAMeXchange
Micron 與 Intel 在 1 月 8 日宣布其 NAND Flash 合作夥伴關係將於完成第三代 3D-NAND Flash(96層)開發之後終止,各自研發未來的 NAND Flash 技術,以符合雙方品牌產品所需,並維持 Lehi 廠 3D XPoint 的合作關係。針對該項消息,TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,由於 96 層 3D-NAND 直到 2019 年才逐漸成為主流,研判 Micron 與 Intel 拆分結盟的決議要到 2020 年後才會影響雙方產品的規劃與結構。

DRAMeXchange表示,Micron 與 Intel 之間的 NAND Flash 採購協議並未因此中止,短期內不會對雙方產能的銷售與分配上產生劇烈衝擊。從產出端來看,後續 Intel 將專注以大連廠產出供給伺服器 SSD 之用,而 Micron 則擁有新加坡兩座 3D-NAND Flash工廠產能,並搭配生產 DRAM 優勢,具有彈性的策略發展及產品組合。
受擴產與淡季影響 2018 Q1 NAND Flash 供過於求致價格走跌
文章索引: DRAMeXchange
根據 DRAMeXchange 最新的研究指出,2018 年第一季在需求端面臨到傳統淡季的衝擊,預計智慧型手機、平板電腦裝置量需求將較 2017 年第四季下跌逾 15%,而伺服器需求相對持平,整體位元需求量較 2017 年第四季呈現 0-5% 下跌。另一方面,NAND Flash 供應商仍持續提升 3D-NAND Flash 的產能及良率,位元產出成長亦較第四季高於 5%,預期 NAND Flash 市場將進入供過於求態勢,2018 年第一季固態硬碟、NAND Flash 顆粒及 Wafer 等合約價皆將翻轉走跌。

回顧 2017 年上半年,第一季在供給端由於 2D-NAND 轉往 3D-NAND 導致產能損失,加上中國手機廠商如 Huawei、OPPO、Vivo 的強勁備貨需求,加劇 NAND Flash 缺貨狀況,包含 eMMC/UFS、Client SSD 及 Enterprise SSD 合約價都有至少 10% 以上的價格漲幅。進入第二季後,儘管工作天數回復,促使筆記型電腦及平板電腦等裝置的需求較前一季增加,但中國品牌手機表現不如預期,價格漲幅因此較前季趨緩。

觀察 2017 年下半年 NAND Flash 市場變化,第三季在蘋果十周年新機上市以及伺服器的雙頭馬車帶動下,整體供應缺口進一步擴大,但價格經過數季的調漲以後,已經來到各個 OEM 廠所能接受的上限,致使價格調漲空間受限。第四季在伺服器需求稍踩剎車的影響下,僅剩蘋果的需求動能較為顯著,而東芝晶圓報廢一事亦不如外傳嚴重,加上 3D-NAND 的擴產腳步未停,致使市場更趨向供需平衡狀態,整體合約價以持平或小漲開出。
DRAM營收再創新高  2017 Q3升16.2%  Q4 DRAM合約平均價已突破 30 美元
文章索引: DRAMeXchange
DRAMeXchange 日前公佈記憶體儲存研究調查報告,指出 2017 年第三季度的 DRAM 產業營收表現又再度創下歷史新高,受惠於傳統銷售旺季加上供給端成長有限,各類 DRAM 產品合約價普遍較前一季再上漲約 5%。從市場面觀察,第三季度 DRAM 總營收較上季再成長 16.2%,整體產業仍處於供貨吃緊的狀態。

展望下一個季度,2017 年第四季 DRAM 價格平均漲幅將落在 10%。其中,PC-OEM 廠已議定第四季度合約價格,就一線大廠訂價來看,均價已正式突破 30 美元,落在 30.5 美元,較上一季平均漲幅約達 7%;從市場面來觀察,此波漲幅主要受到行動式記憶體接棒漲價帶動,配合 DRAM 供給吃緊的狀況延續,以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應,以 Samsung 為首的 DRAM 廠決定調升行動式記憶體報價,而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受,因此行動式記憶體在第四季漲幅約有 10-20% (取決於不同的容量);而伺服器記憶體拉貨動能亦十分強勁,第四季度合約價繼續上漲 6-10%。

綜觀第三季營收表現,Samsung 依然穩坐 DRAM 產業的龍頭,營收來到 88 億美元,較第二季成長 15.2%,再度創下歷史新高;而 SK-Hynix 營收金額來到 55 億美元,較前一季成長 22.5%,成長動能顯著,兩大韓廠的市占各為45.8% 與 28.7%,合計已囊括 74.5% 的市占率。Micron 仍舊維持第三,營收金額為 40 億美元,季增 13.0%,市占 21.0%。由於 SK-Hynix 本季平均銷售單價高於美光,導致兩者三季的市占差距持續擴張;展望第四季,由於 Micron 逆勢成為價格領導者,價格漲幅超越兩大韓系廠,預計將縮減與第二名的市占差距。
供需由緊俏轉爲平衡 2018 年 NAND Flash 供給年增 42.9%
文章索引: DRAMeXchange
記憶體儲存研究 DRAMeXchange 指出, 2017 年 NAND Flash 產業需求受到智慧型手機搭載容量與伺服器需求的帶動,加上供給面受到製程轉進進度不如預期的影響下,供不應求的狀況自 2016 年第三季起已持續六個季度; 2018 年 NAND Flash 供給將增加 42.9% ,需求端將成長 37.7% ,整體供需狀況將由 2017 年的供不應求轉為供需平衡。

從 NAND Flash 的供給面來看,因為 NAND 製程從 2D 轉進 3D 不如預期,導致 201 7 年非 Samsung 陣營的新增產能沒有百分之百完善利用,再加上轉換期間所帶來的產能損失,讓 2017 年市場呈現整體供不應求的狀態, 2018 年隨著非 Samsung 陣營供應商在 64/72 層 3D-NAND 製程成熟後,整體 NAND Flash 產業供給量年成長率預估將達 42.9% 。

然而,觀察 2018 年需求面狀況,在第一季淡季影響下,智慧型手機、 PC 、平板電腦等出貨量預期都將比 2017 年第四季來得明顯下滑,綜觀供給與需求面狀況, 2018 年 NAND Flash 市場將從供不應求轉為供需平衡。
2018 年 DRAM 產業供給年成長預估僅 19.6% 延續供給吃緊走勢
文章索引: DRAMeXchange
隨著時序已近 2017 年第四季,三大 DRAM 廠已陸續在下半年召開針對明年產能規劃的年度戰略會議,根據 DRAMeXchange 的調查, 2018 年各 DRAM 廠的資本支出計畫皆傾向保守,意味著產能擴張甚至技術轉進都將趨緩,除了欲將價格維持在今年下半年的水準,持續且穩定的獲利也將是明年首要目標,預估 2018 年 DRAM 產業的供給年成長率為 19.6% ,維持在近年來的低點,加上 2018 年整體 DRAM 需求端年成長預計將達 20.6% ,供給吃緊的態勢將延續。

DRAMeXchange 研究協理吳雅婷指出,從需求端來看,智慧型手機記憶體容量的升級,以及伺服器 / 資料中心的強勁需求,皆拉升了 2018 年需求的成長;就供給面來看,在 DRAM 產業產能吃緊下,興建新工廠滿足市場需求已經是必要的決策,然而,興建一座 12 吋廠動輒需要一年的時間,加上機台移入與試產,產能開出時間將會落在 2019 年。從目前三大 DRAM 廠的產能規劃來看,預計 2018 年各家新增投片量僅約 5-7% ,這些新增產能皆來自現有工廠產能的重新規劃與製程轉進。

分析個別 DRAM 廠產能, Samsung 產能增加的空間已相當有限,其每月平均投片量約 390K ,目前僅有 Line17 以及部份 Line15 空間可以增加產能。在新廠計畫方面, Samsung 屬意於平澤興建第二座 12 吋廠,此工廠將會以 DRAM 為主力產品。
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