2012-03-07
預期 Ultrabook 發展強勁
加速 DRAM、NAND Flash 激烈競爭
文: Cherry Kwok / 新聞中心

市調機構 DRAMeXchange 就 DRAM 與 NAND Flash 產業作出預估,預測 2012-2015 年間產業發展中,將會有六大趨勢的改變, SSD 單位成本在 2012 年下半年可望跌破一美元水準,而 DDR3 將主宰市場至 2014 年,並會直接影響 DRAM 與 NAND Flash 產業發展。

 

記憶體模組 DDR3 自 2011 年開始成為主流,並預期主流地位至少將維持到 2014 年。 JEDEC 組織雖於 2012 年將正式發佈 DDR4 的標準規格,但 DRAMeXchange 對 DDR4 是否能遵循 DDR 與 DDR2 的歷史軌跡,在 2014-2015 年期間取代 DDR3 成為市場主流抱持保守的看法,原因在於 DDR4 帶給 PC 效能提升的邊際效益幅度是相對有限的,而最後關鍵決定權仍掌握於 Intel 手中。

 

未來隨著 Intel 新一代平台 Ivy Bridge 與 Haswell 上市,可搭載的 DRAM 規格將新增 DDR3L 與 LPDDR3 ,表示 Ultrabook 未來將成為 PC-DRAM 與 Mobile DRAM 首次交鋒的戰場。後者的優勢在於同樣支援 Ultrabook 所要求的 AOAC(Always-on-Always-Connected) 與快速回復等功能上,相較 PC-DRAM 更省電,並達成 Ultrabook 所規定的待機時間要求。 DRAMeXchange 認為未來 Mobile DRAM 若成功打入 Ultrabook 供應鍊時,總市場規模甚至可能在 2015 年時超越 PC-DRAM ,進而轉變成 DRAM 應用的最大市場。

 

然而, DRAM 與 NAND Flash 兩者雖然在功能上是呈現互補,但在 Ultrabook 、智慧型手機等系統產品逐漸走向平價時尚(高價值 / 低價格)的趨勢下, DRAMeXchange 預期 DRAM 與 NAND Flash 未來競爭的程度將會逐漸提升,並預計相關 OEM/ODM 業者在有限預算下,將會把資源用於 NAND Flash 而非 DRAM ,因為如此一來才能讓消費者明顯感受到產品效能的提升,以吸引消費者的青睞。

 

正當各 SDD 廠商進行激烈減價戰,最新製程等級的 SSD 在 2012 年下半年亦正式進入量產,單位成本將可望下降至一美元以下的水準。預期 Ultrabook 將由傾向採用 Hybrid HDD 的解決方案,轉變成 Pure SSD 的解決方案,主流容量將大幅提升至 128GB 水準。估計 Ultrabook 的市場佔有率將自 2012 年第三季快速拉升,使得固態硬碟的 NAND Flash 消耗量也將從 2011 年的 5.1% 大幅成長至今年的 15% ,成為眾多 NAND Flash 應用產品中,成長爆發力道最強的類別之一。

 

於 2011 年 PC 用固態硬碟所採用的標準傳輸介面仍以 SATA 2.0 為主,隨著 2012 年開始 Ivy Bridge 處理器上市後, SATA 3.0 將逐漸成為主流介面,並將 BW 推升至 600MB/s 水準。日後隨著 ONFI 3.0 與 Toggle DDR 2.0 介面的 NAND Flash 開始進入量產,將使得提升 SSD 產品傳輸速度瓶頸,轉移至控制晶片身上。其發展使得 SATA-IO 在 2011 年開始建立「 SATA Express 」的標準制定工作。 SATA Express 為結合 SATA 的軟體基礎架構 (software infrastructure) 與 PCIe 的傳輸介面,其最大傳輸速度將上升至 1000MB/s 與 2000MB/s 的水準。預計 Intel 最快會在 2014-2015 年推出的 CPU 平台支援 SATA Express 或「 PCIe-like 」的高速介面,以發揮 ONFI 3.0 與 Toggle DDR 2.0 的最大效能。

 

行動手持式裝置於 2011 年大行其道, Mobile DRAM LPDDR 2Gb 顆粒於 2011 年開始成為主流,預計 2012 年開始 LPDDR2 2Gb 顆粒的出貨量將快速成長,以取代 LPDDR 的主流地位。行動手持裝置對於頻寬 (BW) 的需求隨著影音往 3D 發展,使得 LPDDR2 只能滿足 2012 年之前的需求。 2013 年以後的趨勢,已確定由轉為趨向 LPDDR3 。為滿足 2014-2015 年期間的 BW 需求, DRAMeXchange 認為 LPDDR 系列與 Wide I/O 仍將持續之前的競爭,並預期 TSV 與 2.5D/3D IC 技術未來的成熟度,將扮演影響 Wide I/O 崛起與否的重要關鍵。

 

 

NAND Flash

 

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