2008-02-12
NAND Flash整體營收輕微下跌
韓國Samsung仍穩坐龍頭地位
文: Kopo Ko / 新聞中心

受到 2007 年第四季 NAND Flash 價格劇跌的影響,品牌 NAND Flash 廠商整體營收表現較第三季微幅下跌 2.7% 至 38 億美元, 2007 年全年度 NAND Flash 整體品牌廠商營收則達到 133 億美元,韓國三星( Samsung )仍然居於龍頭地位。

由於次級房貸所引發的金融市場風暴延燒到第四季,造成傳統歐美年終採購旺季需求不如預期,再加上主要 NAND Flash 供應商的 5Xnm 新製程產品產出量也較第三季運轉順暢,使得第四季整體產出位元成長約 45% ,從原本的供貨吃緊轉為小幅供過於求;而市場對 2008 第一季全球經濟成長趨緩的悲觀心態,更加劇了 NAND Flash 價格的急跌現象,第四季 NAND Flash 平均價格下跌約 33% 。

根據 DRAMeXchange 最新公佈的快閃記憶體第四季營收排行,三星( Samsung )仍然居於龍頭地位,其次為東芝( Toshiba )與海力士( Hynix ),但兩者的市佔率隨著美光( Micron )及英特爾( Intel )的市佔率提升而呈小幅下滑。整體而言,三星、東芝、海力士意法半導體和 IM Flash 的營收約佔整體品牌 NAND Flash 市場的 98.7% ,形成四強爭鋒的新局面。

三星第四季營收市佔率為 41.2% ,繼續穩坐 NAND Flash 廠商龍頭寶座,在新的 51nm 製程產品逐漸增加下,第四季位元出貨量成長了 44% ,然而受到 NAND Flash 價格大幅下跌的影響,營收僅呈現持平狀況,為 15.81 億美元。

東芝仍維持亞軍的地位,第四季營收市佔率為 22.4% ,儘管新的 56nm 製程產出量已經在第四季明顯增加,但受到價格大幅下跌的影響下,整體營收仍下滑 11.4% 到 8.58 億美元。

第四季營收市佔率 20.9% 的海力士則位居季軍,雖然海力士已將 200mm 廠的製程技術由 60nm 再升級到 57nm ,使得位元出貨量成長了 43% ,然而均價的下跌 34% ,也帶動第四季整體營收下跌 7.9% 至 8.02 億美元。

英特爾與美光在第四季隨著 50nm 製程的量產與新的 300mm Fab Lehi 正式量產下,位元出貨成長仍達 65% ,能夠抵銷部份價格下跌的影響,使得第四季整體營收持續成長約 15% 以上,因此美光與英特爾第四季的營收分別達到 3.07 億美元及 1.46 億美元,而市佔率也分別提高到 8% 及 3.8% 。

意法半導體第四季雖然有手機相關 NAND Flash 應用的需求,以及海力士產能支援下位元出貨量持續成長,但價格大幅下跌 , 也使得營收呈現持平的狀況,第四季市佔率為 2.4% 。


另一方面,瑞薩( Renesas )在第四季持續減少 AG-AND Flash 的生產量,雖然合作夥伴力晶已經開始投入 70nm MLC NAND Flash 的生產,但是受到價格的大幅下跌的影響仍使瑞薩力晶陣營第四季營收下跌了 33.3% ,市佔率成為 1.3% 。

 

Branded NAND Flash Makers’ Revenues Ranking

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