2012-09-20
Samsung量產2GB LPDDR3 記憶體
同時亦正式量產128GB 快閃記憶體
文: Samuel Wong / 新聞中心

除傳統 PC 記億體市場外,近年流動裝置用記憶體市場的需求量亦隨著智能手機、平板電腦及 Ultrabook 變得十分龐大,為進一步加強容量及速度, Samsung 針對高容量儲存高需求量正式宣佈開紿量產 2 GB LPDDR3 記憶體及 128GB 快閃記憶體。

 

Samsung  2 GB low power double-data-rate 3 (LPDDR 2) 記億體採用 30 nm 制程,傳輸速率高達 1,600 Mbit/s ,相對上一代 LPDDR2 DRAM 快達 50% 之多,於封裝等級上,頻寛亦高達 12.8 GB/s ,令其支援流暢實時全高清影片播放視覺體驗。

 

同時, Samsung 亦宣佈為下一代流動裝置作好預備,開始量產高達 128 GB 的儲存 eMMC ,據了解, Samsung 早前於 8 月底生產 128 GB eMMC Pro Class 1500 ,而且在一個月後 eMMC Pro 16 GB 、 32 GB 及 64 GB 己開始付運,令 Samsung eMMC 產品線寛度大大加強。

 

基於 JEDEC 組織所制定的 eMMC V4.5 規範製造,藉由 NAND 快閃記憶體與 MMC 控制晶片的多晶片 FBGA 封裝方式,使 eMMC 可達成流動裝置所要求的輕薄外型,另外, eMMC 的電性規格則比一般 MMC/SD card 強調省電、資料安全以及隨機存取速度。

 

另外, Samsung eMMC PRO 讀取速度達 140MB/s 及寫入速度達 50MB/s ,配備高效能控制晶片及智能閃存管理固件,於讀寫速度及效能方面提得很大提升。另外其體積亦十分微細,僅為 12 x 16mm ,可達到擁有更高的數據、更快的數據傳輸速度細小的體積,於未來的流動裝置帶來多方面的優勢。

 

從 Samsung 大規模量產行動記憶體上產品來看,反映出 Samsung 對此市場十分憧憬,預計 Samsung 在 NAND 快閃記憶體市場上的佔有率將會進一步上升。

 

Samsung 2GB LPDDR RAM insi

 

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