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規格曝光! 10nm工藝制程時代啟動 Qualcomm 2017 新旗艦處理器
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Qualcomm 早前公佈了下代旗艦級手機或平板必配的高階處理器 - Snapdragon 835 ,但未有就規格細節作進一步說明,僅表示以最新 10nm 工藝制程製造,引起市場人士注意,近日該處理器規格細節正式曝光,讓用家率先窺探下代新處理器特點。

相對 12nm - 14nm 制程, 10nm 的世界更為精密複雜,經過多年以 14nm 制程生產經驗, Qualcomm 正式將 10nm 制程帶到用家裝置內,率先於最新 Sanpdragon 835 以 10nm 工藝制程生產,並是首枚支援 Windows 10 的 ARM 處理器,搭配該處理器的智能手機將 2017 年上半年正式推出,令市場期待。
Snapdragon 835 各項效能大幅強化 Qualcomm 積極加快10nm 發展時程
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Qualcomm 上月正式透露即將推出 2017 年高階行動處理器 - Snapdragon 835 ,高調表示該處理器為業界首款採用 10nm 工藝製程處理,效能功耗大幅優化,雖然官方尚未正式公佈規格,但市場人士已得到該平台,並已進行評測,一賭為快。

Qualcomm Snapdragon 835 由 Qualcomm 及 Samsung 共同開發,率先採用 10nm 工藝制程,官方表示,晶片封裝比 14nm 晶片減少達 30% ,效能上亦得到 27% 的提昇,功耗方面更減低 40% ,更加入 Quick Charge 4.0 快速充電技術,整體令人期待。

據市場人士表示,相對近兩代均採用四核心為高階處理器構架的藍圖, Snapdragon 835 改用 8 組處理核心構成,時脈為 2.2GHz ,內建 Adreno 540 GPU ,繪圖效能比 Snapdragon 821 亦提升 30% ,效能頂級。
率先採用10nm 工藝制程 加入QC4.0快充 Qualcomm Snapdragon 835 下年初面世
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Qualcomm 17 日宣佈下一代旗艦流動處理器 - Snapdragon 835 (QS835) 正式投產,預計內建 QS 835 的裝置將於 2017 年上半年面世,該處理器由 Qualcomm 及 Samsung 共同開發,據稱採用 10 nm 工藝制程製造,並加入 Quick Charge 4.0 快充技術。

市場上主流高階手機 / 平板大部份均採用 Qualcomm Snapdragon 821 處理器,但很快將會改朝換代,因 Quclomm 近日發出消息指下代 Snapdragon 835 已經開始量產,由 Samsung 代工,將於 2017 年上半年正式面世。
加強數據傳輸效能、充電速度及語音通話穩定性 Qualcomm 發佈三款中階/入門流動處理器
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Qualcomm 最新推出的三款針對中階及入門級市場的處理器,包括 Snapdragon 653 、 Snapdragon 626 及 Snapdragon 427 ,三款新品亦改用 X9 LTE 調解器晶片組,提供 Cat 7 下載及 Cat 13 上載能力,傳輸速率最高分別為 300 Mbps 下載速度及最高 150Mbps 上載速度,相對上代 X8 LTE 晶片提升 50% 效能。

另外,為滿足用家對充電速度的需求,加入 Quick Charge 3.0 快充技術於晶片內,據官方表示只需 35 分鐘左即可為電池充入 80% 電量。同時,拍攝模組方面新增支援雙鏡頭功能,為新鏡頭技術作出準備。
 mmWave 頻譜  最高可達 625Mbps Qualcomm 推出全球首款 5G 晶片
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5G 時代即將來臨, Qualcomm 率先為全球帶來首款 Snapdragon X50 5G Modem , 預告 2017 年底將會向各大廠商送出樣本,而整合 Snapdragon X50 5G Modem 的流動裝置將於 2018 年上半年正式面世。

Qualcomm 日前發佈三款全新處理器之外,更為流動數據市場帶來好消息,宣佈針對 5G 流動數據傳輸制式開發的 Snapdragon X50 5G Modem 正式推出,為下一代數據網絡率先作出支援,進入通訊界別的新里程。

Snapdragon X50 5G Modem 於初期將支援 28GHz 頻段的 mmWave 頻譜,其採用 Beaming 及 Beam Tracking 技術自動搜尋收發端的傳輸途徑,延伸 mmWave 的流動性,讓被阻隔的訊號收發兩端亦能穩定及持續地進行數據傳輸。
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