根據台灣多間媒體的報導，晶片代工龍頭 TSMC 台積電在 25 日下午向所有客戶發佈通知，宣佈晶片代工價格將全面作出調整，包括 16nm 及以上的成熟製程晶片、7nm 及更先進製程晶片價格將會上調 10%~20%，價格調整會即時生效。

其實早在幾星期前已有供應鏈傳出 TSMC 將於 2022 年第一季起開始調整晶圓代工報價，但實際情況比預期的更快，在昨日再有爆料指 TSMC 最新通知價格上調是立即生效，打得客戶們一個猝不及防。

據了解，7nm 至更先進製程晶片價格將上調 10%，16nm 以上的成熟製程晶片價格將上調10%~20%，並會在即日起生效，代表從今天開始上線生產的訂單都是漲價後的價格，已下單未生產的同樣如此。

自疫情爆發開始至今，全球晶片短缺問題已持續 1 年多的時間，衝擊全球電腦製造、手機、平板電腦、電子製造、汽車製造等行業，更導致一些消費電子產品價格上漲。Susquehanna Financial Group 近日公佈了晶片供應的最新調查數據，在 7 月份晶片交貨期再次延長，比 6 月份增加超過 8 天達到 20.2 個星期，創 4 年來最長的交貨時間。

根據市調機構 Susquehanna Financial Group 的報告，7 月份目前晶片製造商需要 20.2 個星期才能履行訂單 ( Order-filling time, 即半導體從訂購到交貨的時間 ) ，相比 6 月多出超過 8 天，是 Susquehanna 公司開始統計這項數據以來的新高，而以往的交貨時間通常為 6-9 個星期。

目前，擁有全球市場佔有率超過 50% 的 TSMC 台積電已經穩坐晶圓代工廠皇者之位，而 TSMC 近日再有好消息，有台灣媒體報導指 TSMC 位於台南的 3nm 晶圓代工廠已經開始進廠安裝設備，在完成裝機作業後隨即在今年試產 3nm 製程晶片，2022 年開始量產。

據了解，TSMC 3nm 製程將繼續使用 FinFET 晶體管，相比前一代的 5nm 晶體管密度增加了 70%，因此在性能上將提升 10%~15%，並降低 25%~30% 的功耗。而在較早前舉行的 ISSCC 2021 大會上，TSMC 表示 3nm 製程依計劃推進，甚至比預期還超前了一些。

多間台灣媒體均報導，TSMC 位於台灣南部科學園區 Fab 18 的 3nm 廠在近日開始裝機，要完成過 50 台 3nm EUV 光刻機裝機作業大概需時一個月以上，因此 TSMC 最快可於今年 Q4 開始 3nm 的風險試產，屆時將生產 3 萬塊先進製程晶片。

紫光集團在上週被債權人申請破產重整的消息傳出後震驚中國科技業，雖然母公司紫光集團目前正面臨破產申請的困境，但旗下多間子公司卻表明將不受影響，而在近日紫光股份就透露公司基於 16nm 製程的處理器正進行產品測試，預計擁有 256 個核心、4096 個線程的智擎 660 系列將會在今年第四季發佈，不過這款處理器只是用於網絡產品之上，而並非大家常用的 Desktop 處理器。

據紫光股份的資料，旗下的新華三 ( H3C ) 今年 4 月份發佈了其自家研發的智擎 600 系列晶片，基於 16nm 製程，擁有 256 個處理核心，4096 個硬件線程，共 180 億個晶體管，效能高達 2.4Tbps，可廣泛應用於路由器、Switch 交換器、安全/無線數據通訊領域，能夠滿足運營商及互聯網骨幹網絡的需要。

紫光股份表示，智擎 600 系列目前正處於產品測試階段，預計搭載智擎 600 系列處理器晶片的網絡產品將會在今年第四季發佈。

目前，TSMC 台積電及 Samsung 在 5nm、7nm 製程都依賴胡正明教授在 1999 年發明的 FinFET 技術，然而到了 3nm FinFET 的三面柵控制作用減弱，短通道效應再次突顯，因此在 3nm 及以下製程微縮變得更加困難。繼 IBM 早前宣佈突破 3nm 極限率先造出推出全球首款 2nm 晶片後，在日前網上舉行的 TSMC 2021 Technology Symposium 技術論壇公佈了未來新製程進展，TSMC 除了官宣 6nm、5nm、4nm、3nm 製程技術最新進展外，同時更對外公佈 2nm 製程已取得重大突破，對將於今年內在台灣建成 2nm 超尖端半導體試生產線。

TSMC 表示，目前已完成 3nm 製程能夠支援智能手機及 HPC 高性能運算集群應用，相比 5nm 製程，3nm 邏輯密度提升了 1.7 倍，同時提供快 10% - 15% 的速度，但功耗則降低 25% - 30%，TSMC 一直將開發可靠且符合規範的低功耗芯片作為研發目標，並穩步實現中。在仔細評估客戶的需求、技術性能和成熟度之後，預計 3nm 製程在 2022 年投入量產。

面對 3nm 製程在微縮及開發可靠且符合規範的低功耗晶片面臨的挑戰，TSMC 提到 FinFET 技術暫時只會用到 3nm，2nm 將會是採用真正全新設計技術，最大特點就是會首次引入 Nanosheet 納米片晶體管取代現有的 FinFET 結構。