2018-03-12
紫光存儲正積極擬定長期合約
為 Intel 生產 3D NAND Flash
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 INTEL

為了確保足夠的 NAND Flash 供應,以滿足不僅是個人電腦及智能手機市場日益增長的需求,中國紫光集團與 Intel 正在洽談根據現有由 Intel 及 Micron合資研發的 IMFlash 技術,授權製造 64 層 3D NAND Flash,紫光集團更是中國政府在未來五年投資 1 萬億元人民幣(約合 1580 億美元)雄心勃勃計劃的最大受益者之一,它將在 2025年 前將中國的半導體自給率提高到 70%。

 

在 2017 年,Intel 向市場發布了首款採用 IMFlash 技術的 64 層 3D NAND Flash,目前正在開發 96 層 3D NAND Flash 晶片,並將更新 10nm 矽製造工藝,可以將密度提高到為目前 64 層晶片的兩倍。

 

若果 Intel 與中國紫光集團合作成功的話,此舉將大大增加 NAND Flash 的供應量,並可為對手韓國 NAND Flash 巨頭 Samsung、SK-Hynix 及日本 Toshiba 帶來威脅。

 

Tsinghua Unigroup

 

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