為了確保足夠的 NAND Flash 供應，以滿足不僅是個人電腦及智能手機市場日益增長的需求，中國紫光集團與 Intel 正在洽談根據現有由 Intel 及 Micron合資研發的 IMFlash 技術，授權製造 64 層 3D NAND Flash，紫光集團更是中國政府在未來五年投資 1 萬億元人民幣（約合 1580 億美元）雄心勃勃計劃的最大受益者之一，它將在 2025年 前將中國的半導體自給率提高到 70%。

在 2017 年，Intel 向市場發布了首款採用 IMFlash 技術的 64 層 3D NAND Flash，目前正在開發 96 層 3D NAND Flash 晶片，並將更新 10nm 矽製造工藝，可以將密度提高到為目前 64 層晶片的兩倍。

若果 Intel 與中國紫光集團合作成功的話，此舉將大大增加 NAND Flash 的供應量，並可為對手韓國 NAND Flash 巨頭 Samsung、SK-Hynix 及日本 Toshiba 帶來威脅。