【好消息 ... ⚠️】韓國媒體報導，SAMSUNG 計劃減產 HBM3 及 HBM3E 晶片，並把當中 40% 的產能轉投至通用 DRAM，包括 DDR5、LPDDR5X、LPDDR6 和 GDDR7 記憶體，預計每月可釋放約 8 萬片 DRAM 晶圓產能。

 

據《DealSite》報導，這並非三星突然良心發現，而是其「利潤最大化」策略之一。由於 HBM3/3E 記憶體正過渡至 HBM4，舊有 HBM3/3E 產能的利潤率已跌至約 30%，相比近期通用 DRAM 超過 60% 的利潤率差距明顯，因此三星才願意作出轉換。

 

現時，三星計劃把約 30–40% 的產能，從 10 奈米級第四代 1a 製程轉換至通用 DRAM 的 10 奈米級第五代 1b 製程，預期每月可額外釋放約 8 萬片 DRAM 晶圓產能。

 

隨著 DRAM 需求創新高，所有可用 DRAM 幾乎都會被人工智慧產業吸收，將需求開始走弱的 HBM3/3E 轉為通用 DRAM，對 SAMSUNG 來說並無損失。不過，供應鏈變動需要數月時間才會反映，因此短期內對 DDR5、LPDDR5X、LPDDR6 和 GDDR7 記憶體價格未必會有影響。

 

 

 

資料來源:

 

• 삼성전자, HBM3E 생산 감소…1a 40% '범용 D램' 전환