記憶體近年成為中國重點發展的項目之一，日前有網上有消息指中國「紫光國芯」研發出中國第一條自主的 PC DDR4 記憶體，然而「紫光國芯」最新接受內地媒體的訪問，表明 DDR4 記憶體儲器晶片及模組目前仍處於研發階段，並非如消息報導指已大量上市。

根據網上的圖片，可見該記憶體貼上 UnilC「紫光國芯」的標識，單條容量為 4GB，用上裸條設計未有配上任何散熱片。

「西安紫光國芯半導體有限公司」的核心業務是儲存器設計開發，自有品牌儲存器產品量產銷售，以及專用集成電路設計開發服務。今年 1 月紫光集團投資2000 億元在南京建設半導體產業基地，一期建成後將是中國規模最大的芯片製造工廠，月產晶圓 10 萬片。去年 7 月，紫光還參與了長江存儲的投資，後者計劃總投資 1600 億元，打造國產 3D NAND Flash，還組建了 500 人的研發團隊，主攻 DRAM 記憶製造技術。

網上流傳紫光自主 DDR4 記憶體實物

「紫光國芯」特別就傳聞作出澄清，表示網上關於公司 DDR4 產品的這個報導不太確切，公司開發的 DDR3 產品已經正常銷售中。而公司的 DDR4 儲存器晶片及模組目前還處於研發階段，從產品開發完成到實現批量銷售還需要花比較長的時間，按照計劃產品將在明年開始逐步推向市場。

以現階段的技術來看，中國發展記憶體的策略在未來 3~5 年將是極其重要的關鍵期，即使「紫光國芯」2018 年能將自主 DDR4 記憶體推出市場，但Samsung、Micron、Rambus 等已積極研發 DDR5 記憶體，最快會在 2019 年底推出市場，因此內地記憶體廠商相信還需要一段時間才能追得上步伐。