Intel QLC NAND 成本或比前代 TLC NAND 更貴
根據網上最新的消息,Intel 與 Micron 合資的企業 IMFlash Technologies ( IMFT ) 公司現面臨著巨大的障礙,用於生產新一代 SSD 產品的 3D QLC NAND Flash 良率低於 50%,估計之下只有一半的晶圓核心可以用於製造 SSD,並將直接影響到 QLC NAND 的成本價格,以每 $/GB 計算的成本比當前一代 3D TLC NAND 更貴。
在 2018 年,各大 NAND Flash 供應商包括 Samsung、Micron、SK Hynix、Toshiba、WD、Intel 等都先後宣佈正打造基於 3D QLC NAND 的產品,當中 Micron 就先拔頭籌在 5 月入份發佈了全球首款為數據中心而設的 QLC NAND SSD「Micron 5210 ION 」,至於其合作夥伴 Intel 則在 8 月發佈面向消費用家的 64 層 3D QLC NAND SSD「660p」,並以低於每 GB 0.20 美元的價格發售作青睞。
根據 Intel 兩星期前發佈的資料,全新 Intel SSD 660p 是業界第一款基於 QLC 客戶端的 PCIe SSD, SSD 660p 提供了 512GB、1TB 及最大的 2TB 容量,採用 M.2-2280 外形尺寸及 PCIe Gen 3 x 4 接口,相比 PCIe x2 接口帶來更寬的總線,因此可提供更高的傳輸速率。
SSD 660p 系列的核心是由 Intel 及 Micron 合資的 IMFlash Technology 研發,採用新型 64 層 3D QLC NAND Flash,搭配 SIlicon Motion SMI 2263 控制器。該晶片是流行的 SMI2262EN 的衍生產品,採用更新的工藝製造,支援 QLC NAND,具有更小的 PCB 尺寸,並由 Intel 提供了定制固件驅動。
然而,最新來自 Tweaktown 的消息指出,Intel 新型 64 層 3D QLC NAND Flash 良率低於預期,目前晶圓的產量只有 48% ,即剩餘的 52% 的晶圓不適合用作生產 SSD,至於 64 層 3D TLC NAND 的產量高於 90%,計算之下 QLC 的製造成本比 TLC 更昂貴。
隨著時間的推進晶圓製造商會將 NAND Flash 的產量提高,但消息卻提到 IMFT 面對的 3D QLC NAND 良量低這個問題或不能完全解決,因此很大機會將目前的 64 層 QLC NAND Flash 轉移至更有利可圖的 96 層 NAND Flash,即使 Intel 對外公佈推出 SSD 660p 產品,但這並不代表 QLC 已準備好取代 TLC。