DIY 玩家或多或少對於 HBM 記憶體都有少許認識，AMD 在 2015 年的 Fury 系列顯示卡上首次商用第一代 HBM 技術，超高頻寬、超低的佔用面積徹底改變了當時的顯示卡設計，隨後 NVIDIA 在 Tesla P100 上亦採用了 HBM 2 技術，不過消費級市場上使用 HBM2 技術還只有 AMD 的 RX Vega 顯示卡，雖然 HBM 記憶體技術成本相對 GDDR 昂貴，不過記憶體廠商仍然繼續研發更新的 HBM 技術，用於應付未來顯示卡對主流 DRAM 更高容量、更高速度、更高頻寬、封裝大小等的需求。

外媒 Tom's Hardware 最新的報導，雖然 JEDEC 仍未正式公佈 HBM3 技術規範，但過往積極推動 HBM 技術的 SK-Hynix 已致力開發下一代 HBM3 高速記憶體，將會接替目前升級版的 HBM2e 技術。

第三代高頻寬記憶體（HBM3）首次於 2016 年出現，HBM3 標準擴大了記憶體容量、提升了記憶體頻寬 ( 512GB/s 或更高) 並降低了電壓與價格。AMD 曾經在 Radeon 顯示卡上使用了 HBM 記憶體，儘管 RX Vega 顯示卡在用上 HBM2 後時脈大幅提升，但實際記憶體介面卻減少一半，加上成本超高 AMD 再沒有在消費級遊戲卡上用上 HBM 記憶體，現在 AMD 及 NVIDIA 都在運算加速卡、超級電腦上應用 HBM2 或 HBM2e 記憶體，晶片封裝在運算核心旁。

SK-Hynix 官方網站中顯示，公司「正在研發」採用 3D 堆疊式設計的 HBM3 技術相關產品，相比現有 HBM2e 技術的 3.6 Gbps I/O Speed，HBM3 已提升至 ≥ 5.2 Gbps，同時頻寬亦由 HBM2e 的 460 GB/s 提升至 ≥ 665GB/s，計算後 I/O Speed 及頻寬分別提高了 44.4% 及 44.6%，另外亦已有廠商提及將會把 HBM3 技術的 I/O Speed 拓展至 7.2 Gbps。

這樣的話，若果一顆處理器晶片中配備四顆 HBM3 記憶體，記憶體介面就可以達到 4096bit，總頻寬 2.66TB/s。

不過，SK-Hynix 官網未有透露 HBM3 記憶體的發佈日期，加上 JEDEC 仍未正式公佈 HBM3 技術規範，預計不會這麼快進入消費級市場應用在顯示卡上。