DIY 玩家或多或少對於 HBM 記憶體都有少許認識，AMD 在 2015 年的 Fury 系列顯示卡上首次商用第一代 HBM 技術，超高頻寬、超低的佔用面積徹底改變了當時的顯示卡設計，隨後 NVIDIA 在 Tesla P100 上亦採用了 HBM 2 技術，不過消費級市場上使用 HBM2 技術還只有 AMD 的 RX Vega 顯示卡，雖然 HBM 記憶體技術成本相對 GDDR 昂貴，不過記憶體廠商仍然繼續研發更新的 HBM 技術，用於應付未來顯示卡對主流 DRAM 更高容量、更高速度、更高頻寬、封裝大小等的需求。

外媒 Tom's Hardware 最新的報導，雖然 JEDEC 仍未正式公佈 HBM3 技術規範，但過往積極推動 HBM 技術的 SK-Hynix 已致力開發下一代 HBM3 高速記憶體，將會接替目前升級版的 HBM2e 技術。

第三代高頻寬記憶體（HBM3）首次於 2016 年出現，HBM3 標準擴大了記憶體容量、提升了記憶體頻寬 ( 512GB/s 或更高) 並降低了電壓與價格。AMD 曾經在 Radeon 顯示卡上使用了 HBM 記憶體，儘管 RX Vega 顯示卡在用上 HBM2 後時脈大幅提升，但實際記憶體介面卻減少一半，加上成本超高 AMD 再沒有在消費級遊戲卡上用上 HBM 記憶體，現在 AMD 及 NVIDIA 都在運算加速卡、超級電腦上應用 HBM2 或 HBM2e 記憶體，晶片封裝在運算核心旁。

SK Hynix 於 2021 IEEE 國際儲存研討會上，執行長 Seok-Hee Lee 發表主題演講中指出，現時 NAND Flash 的發展重點並不是更先進的制程，也不是 QLC、PLC 技術，而是堆疊層數將不斷增加，現時 SK Hynix 已量產 176 層的 NAND Flash，原本預計 3D 堆疊極限會是約 500 層，但 SK Hynix 已找到新的技術將極限推展至約 600 層。

要做到 600 層的 3D NAND Flash，需要在技術方面進行更多創新突破，其中一個重點是加入原子層沉積 (ALD) 技術，能在堆疊層數大大增加後依然保持電荷一致性。

此外，為了解決薄膜應力 film stress 問題，SK Hynix 加入了獨立的電荷阱氮化物 (CTN) 結構，解決堆疊層數增加後存儲單元之間的干擾，電荷丟失問題。

目前，AMD 及 Intel 都雙雙部署全新「DDR5 計劃」，如無意外的話最快在明年就會有支援 DDR5 記憶體的非消費級平台推出，作為全球三大 DRAM 半導體廠之一的 SK Hynix 在今日宣佈正式推出全球首款 DDR5 DRAM 產品，率先推出的初版 DDR5 DRAM 支援 4800 ~ 5600 Mbps 的傳輸速度，比上一代初版的 DDR4 快 1.8 倍，頻寬也高達 4 1.6GB/s，工作電壓亦降至 1.1V， 配合 TSV 封裝能夠組成容量高達 256GB 容量的 DDR5 模組。

早在 2018 年 11 月 SK Hynix 已成功開發旗下首款 16Gb DDR5 DRAM，及後 SK Hynix 與 System On Chip 開發公司等不同企業共同運營現場分析研究室，並通過共同執行系統級別測試（System Level Test）及各種模擬測試完成了新產品的性能驗證。與此同時，SK Hynix 還與多間公司緊密合作，進行了包括 RCD 2 )、PMIC 3 ) 等構成模組的主要部件的兼容性驗證，在經過各種驗證及相容性測試後，目前已經可以推出市場。

根據官方的資料顯示，SK Hynix 最新推出的全球首款 DDR5 DRAM 產品基於 1Ynm 製程 ( 相當於 14nm 至 16nm ) 的 16Gb DDR5 DRAM 晶片，用上 TSV ( through-silicon-via ) 封裝技術可大幅增加 DDR5 的容量，單條最高可達到 256GB 容量。不僅如此，全新 DDR5 的產品工作電壓亦由上代 DDR4 的 1.2V 降到 1.1V，成功減少了 20% 的功耗。

在 CES 2020 大會上，SK Hynix 曾展示過全新 64GB 容量的「 DDR5 RDIMM ECC」記憶體實物，官方給出的資料傳輸速率為4800MHz，性能比現在的 DDR4 記憶體高出不少，SK-Hynix 日前再公佈了有關即將推出的 DDR5 記憶體的更新，最高可達 8400MHz、最大密度為 64Gb，新的 DDR5 記憶體將會在今年量產，絕對是一個讓人振奮的消息。

目前主流 PC 電腦平台使用的記憶體規格為 DDR4，不過各大 DRAM 廠已經進入並即將量產下一代 DDR5 記憶體的晶片，早在 2018 年 11 月，SK-Hynix 就宣佈開發了業界首個基於 JEDEC 標準的 1Ynm 16Gb DDR5 DRAM，SK Hynix 官方的資料顯示，2013 年由 DDR3 轉到 DDR4 的時代，記憶體頻寬增加了 33%，而在即將到來的 DDR5 時代，SK Hynix 的目標是使每個 DIMM 的頻寬增加 50% 以上。

SK-Hynix 最新就公佈了關於即將推出的 DDR5 記憶體的更資料，新的 DDR5 標準非常靈活，規格表中提到，DDR5 的記憶體速度範圍涵蓋了 3200MHz 至 8400 MHz。相比之下，DDR4 記憶體普遍介乎 1600MHz 至 3200MHz 的速度範圍，當然亦有製造商推出高達 5000MHz 的 DDR4 記憶體，但數量不算多。

《韓聯社》19 日報導了關於南韓武漢肺炎確診病例，新增的 15 個確診病例來自大邱市及毗鄰的慶尚北道，更令人驚訝的是 15 個新增確診病例中，其中一位出現肺炎徵兆曾與半導體大廠 SK-Hynix 員工有密切接觸，而另一名新進員工則出現肺炎病徵，導致目前 SK-Hynix 關閉該兩名員工曾經出入及使用過的建築物，並通報需要隔離的員工由原本約 280 人一口氣提升至 800 多人。

SK-Hynix 在 19 日表示，一名新進員工在出現感冒症狀後曾前往 SK-Hynix 內部的診所就醫，而公司診所發現該員工有肺炎徵兆，立即轉送利川醫院進行武漢肺炎採檢，SK-Hynix 隨即亦將該內部診所封閉，而與該名新進員工一起接受過教育訓練的約 280 人則需要在家進行 14 天的自我隔離。

在今日 SK-Hynix 再證實，另一名新進員工與 19 日在大邱市確診的一名武漢肺炎患者有密切接觸，該公司位於南韓京畿道利川市的教育培訓中心需要即時封鎖，並進一步擴大隔離人數至 800 多人。