SiS 25 日宣佈運軍 SSD 控制晶片組市場，其子公司 LinkVast 將推出可外掛式 DRAM 固態硬碟控制器，包括支援 8 Channel 的 LVT820 及 4 Channel 的 LVT815 ，現時已向業者提供產品樣本及設計參考供戶客作驗証測試，並預計於 2009 年第二季量產。

LVT820 和 LVT815 晶片採用 SATA II 介面設計，最高傳輸速度可達 3Gbps ，分別提供八通道 (64 位元 /64CE) 及四通道 (32 位元 /32CE) 的記憶體架構模式，適合製造成各種規格和容量的 SSD 固態硬碟；支援高達十六位元除錯修正碼技術 (16-bit ECC technology) 的機制設計，能有效提升快閃記憶體的容錯率；加上先進的動態及靜態均勻抹除寫入技術 (Dynamic & Static Wear Leveling technologies) ，更能延長固態硬碟的使用年限。

LVT820 和 LVT815 晶片使用了富彈性的快閃記憶體介面設計，能支援各快閃記憶體晶圓廠所提供先進主流的 SLC 與 MLC 快閃記憶體，其外掛式 DRAM 架構的設計，不僅有效提昇讀寫效能，與非外掛式 DRAM 的控制器晶片相較，在隨機寫入 (Random Write) 效能上，有高達 100 ~ 200 倍的差異；同時亦解決現今市場上非外掛式 DRAM 之固態硬碟控制器，在作業系統做多工處理時可能發生系統停頓的現象，由於大幅降低快閃記憶體的抹寫次數因而大大增長了 SSD 固態硬碟壽命。