自從 Intel 及 Micron 在 2015 年開始合作研發 3D XPoint 技術以來，外界一直非常期待能夠推出基於這種技術打造的記憶體，Intel 在去年宣佈將會推出Optane DIMM 的儲存設備並在近日正式公佈相關資料，「Optane DC Persistent Memory」 備有 128 GB、256 GB 及 512 GB，相比現有的記憶體提供更大的儲存容量、持久性及更高的數據傳輸效率。

Intel 全新「Optane DC Persistent Memory」 DIMM 記憶體適合用於伺服器中的 DDR4 插槽，基於 3D XPoint 技術的“堆疊”性質，可以提供更好的性能。「Optane DC Persistent Memory」DIMM 記憶體結合了 DRAM 及 NAND Flash 兩者之間的優點，具有 DRAM 的速度及低延遲，同時亦能夠提供 NAND Flash 的耐用度，即使在斷電的情況下仍具有數據儲存的能力。

非易失性儲存器通常用於固態驅動器和 USB 隨身碟（NAND），而易失性存儲器通常用於系統記憶體（DRAM），由於 Optane DIMM 記憶體是一種非易失性儲存器，所以這種類型的儲存設備在設備關閉時仍能保存數據，並非如一般的記憶體一樣會失去未儲存的資料，而 Intel 就將兩者結合並打造成 DIMM 記憶體外形的產品，同時其寫入續航能力比 NAND Flash 更好。

Intel 未有正式公佈 Optane DC Persistent Memory 記憶體的實際規格，雖然使用標準的 DDR4 外形，但現階段只能支援 Intel 下一代 Xeon 平台。新的 Optane DC 記憶體標準正處於抽樣階段，並將在年底前發佈給零售合作夥伴，Intel 計劃在 2019 年將其廣泛應用於數據中心客戶。