雖然之前有許多消息稱今年 Intel 及 AMD 都會推出支援 DDR5 記憶體的平台，但是目前來看最快都要等到明年，因為 Samsung 最新宣佈將在 2021 年量產 DDR5 記憶體，並將率先為 DRAM 記憶體顆粒生產引入 EUV 工藝，有望可為新的記憶體帶來更快的速度及更高的性能。

在半導體製造之中，光刻機是不可或缺核心設備，最先進的極紫外光刻機更多用於復雜的邏輯晶片製造及處理器製造中，例如台積電去年 10月宣佈已開始大規模生產基於 7nm+ EUV 光刻技術的晶片，AMD 即將推出的 Zen 3 處理器及 Intel 計劃明年推出的 7nm 產品就會用上 EUV 技術。

EUV 技術是利用波長較短的紫外線將圖案刻入矽中，與傳統的多製版方法相比，EUV 技術具有精度高、減少重複步驟、提高製版精度等優點，將可以實現更好的性能和更少的缺陷晶片的產量，反過來就可降低了晶片製造商的成本，並縮短了開發時間。

日前，Samsung 就宣佈成功將 EUV 極紫外光刻機應用到 DRAM 記憶體顆粒的製造當中，已經出貨 100 萬第一代 10nm EUV 級 (D1x) DDR4 DRAM 模組，並完成全球客戶評估，為今後高階 PC、手機、企業級伺服器等應用領域開啟新大門。

在 2021 年，Samsung 更會大規模量產基於 D1a DDR5 和 LPDDR5 DRAM 記憶體，隨著 DDR5、LPDDR5 市場明年的擴張，Samsung 將進一步加強與領先的 IT 客戶和半導體供應商在優化標準規格方面的合作，加快在整個記憶體市場向 DDR5、LPDDR5 記憶體的過渡。

與 DDR4 記憶體相比，DDR5 記憶體一大優勢就是更快，速度會從 DDR5-4800 起跳，然後 12-18 個月就會提升一次，很快就能達到 DDR5-5200、DDR5-5600 的速率。

不過速率提升只是 DDR5 規範中的一部分，更重要的實際上是 DDR5 記憶體的密度，16Gb 核心容量只是起步，很快會達到 24Gb，接著就是 32Gb，單條可以做到 256GB。

在設計上，DDR5 記憶體的針腳與 DDR4 記憶體的設計非常類似，底部都是帶有曲度的長段不一的 288 個針腳，不過布局及引腳定義有所不同，因此無法通用。

不少 PC 用家都比較想知道電腦系統甚麼時候會支援 DDR5 記憶體，在 CES 2020 SK-Hynix 曾展示了帶有 ECC 的 64GB DDR5 RDIMM 可糾錯記憶體，時脈為 4800MHz，但這款 DDR5 記憶體並不是面向消費級市場的，首先支援的應該會是 Intel Xeon Sapphire Rapids 平台，可能會部署到超級電腦當中。

至於 AMD 的伺服器產品亦計劃帶來 7nm 工藝 Zen3 架構的 Milan 及 5nm 工藝 Zen4 架構的 Genoa，由於 AMD 給出關於 Zen4 架構 Genoa 的消息依然很少，究竟會仍舊支援 DDR4 還是 DDR5 仍未能獲得確認。

當然會有玩家認為 DDR5 記憶體很快就會發佈，現在購買 DDR4 記憶體已經不值得了，但事實可能並非如此，即使明年 DDR5 記憶體大規模量產，但要消費級平台能夠支援仍要多等一段時間，DDR4 記憶體在未來一、兩年仍會是主流，因此盲目地等待 DDR5 記憶體是不可取的。

那麼，最終會是 Intel 平台還是 AMD 平台先「跑出」支援 DDR5 記憶體，答覆最快在 2021 年就會正式揭曉。