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【採用 QLC NAND、 2880TB 寫入壽命】 Samsung 870 QVO SSD 8TB 賣 899.99 美元
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對於 QLC SSD,大多數用家都會表示「不了」,但正如之前的 TLC SSD 一樣是不可逆轉的趨勢,只能慢慢接受,Samsung

最新就發佈了第二代基於 QLC NAND Flash 的「870 QVO SATA SSD」,全新的「870 QVO SATA SSD」具有高達 8TB 的容量,以大容量的賣點搶灘消費類儲存器市場,相比上一代 860 QVO,Samsung 指出「870 QVO SATA SSD」具有更加出色的隨機速度及穩定的性能。

Samsung 官方指出,過去消費者不得不在提供卓越性能的 SSD 及傳統上提供更大容量的 HDD 之間作出取捨,然而,全新的「870 QVO SATA SSD」能夠可靠地提供兩全其美的選擇,使其成為優先考慮性能和價值的主流 PC 用戶以及需要高容量水平的專業用戶的最佳選擇。
標示 256GB 只有 32GB、龜速 10MB/s  教你分真假 SAMSUNG EVO Plus SD Card
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市場上出現了假的 SAMSUNG EVO Plus 256GB SD Card,無論包裝與產品外觀都與真卡非常相似,但實際容量與讀寫速度都是產假的,雖然作業系統會認出為 250GB,但實際卻只能寫入 29.4GB,而且讀寫速度只有約 10MB/s ,與真卡 100MB/s Read、90MB/s Write 相距甚遠。

教授大家如何分辨 SAMSUNG EVO Plus 真卡和假卡,先從包裝外觀作出比較,仔細觀察可以發現 256 字體明顯不同,真卡字體較細、假卡字體較粗,另外最下面的標語亦有不同,真卡寫著「Faster Speeds for High resolution photos and 4K UHD vidoes」,強調是為了 4K 錄影而生,假卡寫著「For advanced read speed, more photos and Full HD videos」,停留在 Full HD 時代。

真卡的外觀與假卡有所不同,圖上真卡的表面印刷精美,字體較清楚美觀,256 字體和包裝較幼身。
【堅持用 MLC!!】最高 6.5GB/s R、5.0 GB/s W Samsung 全新 980 PRO Gen4 SSD 8 月上市
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隨著 AMD 正式發佈了全新的 B550 主機板後,亦正式將支援 PCIe 4.0 傳輸的功能下放到主流平台之上,市面上當然亦不乏支援 PCIe 4.0 的儲存裝置,不過 Samsung 就一直未有推出消費級的 PCIe 4.0 SSD。日前,在網上有消息指 Samsung 在 CES 2020 發佈的全新「980 Pro PCIe 4.0 SSD」 已通過韓國無線電研究所認證,預計這款 M.2 SSD 將會在未來 1~2 個月正式公開發售。

Samsung 在年初舉行的 CES 2020 大會上低調展出了全新旗艦消費級「980 Pro PCIe 4.0 SSD」,根據之前的消息,「980 Pro」是基於 Samsung 最新第六代 V-NAND 及自家主控制器,採用標準 M.2 2280 尺寸設計,同時堅持採用 MLC NAND Flash,極有可能亦是目前唯一一款用上 MLC NAND Flash 的 PCIe 4.0 SSD,亦因此最大容量只可做到 1TB。

「980 Pro PCIe 4.0 SSD」備有 250GB、500GB 及 1TB 三款儲存容量可供選擇,速度方面,目前已知 980 PRO 將提供 6.5GB/s 連續讀取速度、5.0 GB/s 連續寫入速度,相比上代 970 PRO 的 3.5GB/s、2.7GB/s 提升多達 85%,亦比目前採用 Phison E16 主控制器的 PCIe 4.0 SSD 速度快得多。
【腦場掃地僧 ㊙️】間代理麻煩過 HE !! 買三叔 860 EVO / 970 EVO PLUS 記得留盒
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三叔嘅 860 EVO / 970 EVO PLUS 雖然賣得唔平,但卻不乏玩家追捧,主要係 V-NAND TLC 寫入壽命較長,加上 5年保養、好多人寧願畀多少少錢都出佢。

腦場好多都係 EASYWALL 代理嘅貨,因為佢番貨最平,不過貧僧收到風呢,間代理麻煩過 HE,唔止要單、仲要有盒,好多 USER 上到去畀佢彈鐘,所以大家記得 Keep 盒啊,再唔係貴少少搵強仔代理貨。

HK$420 (250GB) / HK$649 (500G) / HK$1,160 (1TB)
【📈】單條 256GB 、DDR5-4800 起跳 Samsung 明年大規模量產 DDR5 記憶體
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雖然之前有許多消息稱今年 Intel 及 AMD 都會推出支援 DDR5 記憶體的平台,但是目前來看最快都要等到明年,因為 Samsung 最新宣佈將在 2021 年量產 DDR5 記憶體,並將率先為 DRAM 記憶體顆粒生產引入 EUV 工藝,有望可為新的記憶體帶來更快的速度及更高的性能。

在半導體製造之中,光刻機是不可或缺核心設備,最先進的極紫外光刻機更多用於復雜的邏輯晶片製造及處理器製造中,例如台積電去年 10月宣佈已開始大規模生產基於 7nm+ EUV 光刻技術的晶片,AMD 即將推出的 Zen 3 處理器及 Intel 計劃明年推出的 7nm 產品就會用上 EUV 技術。

EUV 技術是利用波長較短的紫外線將圖案刻入矽中,與傳統的多製版方法相比,EUV 技術具有精度高、減少重複步驟、提高製版精度等優點,將可以實現更好的性能和更少的缺陷晶片的產量,反過來就可降低了晶片製造商的成本,並縮短了開發時間。
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