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【高達 3.2GB/s!!】1 秒內傳輸 82 部 FHD 影片 Samsung 第三代 HBM2E 記憶體「Flashbolt」
文章索引: Samsung
目前,高階及主流級的 NVIDIA GeForce RTX 20 系列及 AMD Radeon RX5000 系列繪圖卡都已經搭載了新一代的 GDDR6 記憶體,至於相對更高階的 Titan V、Radeon VII 繪圖卡就採用了另一款的 HBM2 記憶體,在上週,JEDEC 就正式發佈了全新升級、第三版的 HBM2E 記憶體標準「JESD235C」,作為儲存晶片生產大廠的 Samsung 亦隨即宣佈推出名為 Flashbolt 的第三代 HBM2E 記憶體,HBM2E 單顆最大容量為 16GB,由 8 顆 16Gb 的 DRAM 顆粒堆疊而成,單個封裝可實現 16GB 容量,最高可提供 3.2Gbps 的穩定數據傳輸速度,預計新的 HBM2E 記憶體將在今年上半年開始量產。

Samsung 在 2019 年 3 月宣佈成功研發了業界首款符合 HBM2E 規範的記憶體,HBM2E 是 HBM2 的升級版標準,HBM2 的最大數據傳輸速度可達 2.4Gbps ,在此之前使用 HBM2 記憶體的繪圖卡分別有 AMD Radeon VII 及 NVIDIA Titan V,其中 Radeon VII 的記憶體介面為 4096-bit 、頻寬最高可達 1TB/s,至於Titan V 的記憶體介面為 3072-bit、頻寬也達到了 653GB/s。

至於 JEDEC 最新發佈的第三版 HBM2E 標準「JESD235C」,電壓依舊保持在 1.2V,不過其針腳頻寬提高到 3.2Gbps,較前一代最高 2.4Gbps 的最大數據傳輸速度提升 33%。按照 JEDEC 給出的設計規範,單 Die 最大可達 2GB、單堆疊 12Die 能達到 24GB 的容量,將其配備在支援四堆疊的 GPU 繪圖晶片上,便可為繪圖卡提供 1.64TB/s 的總頻寬。
【齊齊燒大錢?!】晶片設計至少投資 10 億美元 台積電、Samsung 2nm 成本上漲或無人用得起
文章索引: Samsung
「有競爭才會有進步」不但可以在「Intel vs AMD 處理器市場」及「NVIDIA vs AMD 繪圖卡市場」的競爭中可見,其實 TSMC 台積電及 Samsung 兩大晶圓代工廠亦在正在「制程工藝競賽」,目前台積電在晶圓代工行業已把競爭對手的差距拉得非常大,老大的地位毋庸置疑,不過日前有消息指 Samsung 將採用降價策略搶客,而兩廠之爭更延續到 3nm、2nm 工藝,在最樂觀的情況下在 2024 年 2nm 工藝將會正式量產,可惜的是即使解決 2nm 工藝技術研發的難題,但由於成本直線上漲,恐怕全球也沒幾家用得起。

有別於以往間隔多年推出一代全新工藝,兩大晶圓代工廠 TSMC 台積電及 Samsung 都改變打法,一項重大工藝進行部分優化升級之後,就會以更小的數字命名。作為韓系晶片組大廠龍頭的 Samsung 在工藝方面非常激進,6nm、5nm、4nm、3nm 等都已勢如破竹準備量產,至於對手 TSMC 在較早前就宣佈的 3nm 製程發展相當順利,後續的 2nm 研發亦開始啟動,預計 2024 年能夠投產。

儘管 10nm 以下晶片製造工藝的突破已經愈加艱難,但 TSMC 台積電作為晶片組領先企業並沒有因此而放緩研發的步伐。在去年 7 月時已宣佈 3nm 製程的開發進展順利,並且已經與早期客戶就技術定義進行了接觸,預期 3nm 制程可進一步鞏固 TSMC 在行業的領導地位。
【CES 2020】加入指紋辨認解鎖、讀速超 1GB/s Samsung 推出 T7 Touch 便攜式 SSD
文章索引: Samsung
Samsung 除了在 CES 2020 大會上展出了「可能是目前唯一一款 MLC NAND 的 PCIe 4.0 SSD」980 PRO 新品之外,同時還展示了新一代便攜式 SSD,型號「 T7 Touch 」,一如其名自帶了指紋識別傳感器,可用於辨認解鎖、加密數據,當然也有無指紋版本,讀寫速度超過 1GB/s,是上代 T5 SSD 的兩倍。

Samsung 全新「 T7 Touch 」採用了時尚、緊湊的外觀設計,鋁質外殼可承受 2 米高度跌落,備有經典黑及時尚銀兩種顏色可供選擇,便攜式設計重量只有 58g,提供了 500GB、1TB、2TB 容量,採用 USB 3.2 Gen 2 介面連接。

「 T7 Touch 」在密碼保護和 AES 256-月bit 硬件加密的基礎上,還率先將內置指紋識別功能引入了 Samsung SSD 之中,每台「 T7 Touch 」均配備“動感 LED”,用戶只需簡單的一掃就即可確定設備是否處於連接狀態。
【CES 2020】MLC NAND、讀取最高 6.5GB/s!! Samsung 首款 PCI-E 4.0 M.2 SSD 980 PRO
文章索引: Samsung
在 2019 年 AMD 發佈了全新的 Ryzen 3000 系列桌面級處理器及 X570 晶片組平台之後,正式將高速 PCIe 4.0 傳輸帶到消費級市場,各品牌廠家都陸陸續續推出了 PCIe 4.0 的儲存裝置,今年 Samsung 也要加入戰團了,在 CES 2020 大會上展示了自家的全新「980 Pro」M.2 SSD,是 Samsung 首款支援 PCIe 4.0 的消費級 SSD,採用了 MLC NAND Flash,讀取速度最高可達 6.5GB/s。

據了解,全新旗艦消費級「980 Pro」PCIe 4.0 M.2 SSD 是基於 Samsung 最新第六代 V-NAND 及自家主控制器,備有 250GB、500GB 及 1TB 三款儲存容量可供選擇,使用的是 2bit MLC 顆粒。

速度方面,「980 Pro」的連續讀取速度最高可達 6500 MB/s 、連續寫入速度最高可達 5000 MB/s,速度比目前採用 Phison E16 主控制器的 PCIe 4.0 SSD 快很多。
【加價先兆?!】部份 DRAM、NAND 生產線暫停 Samsung 晶圓廠 2019 最後一日發生停電事故
文章索引: Samsung
目前 DRAM、NAND Flash 價格處於一個很敏感的拐點階段,不過在踏入 2020 年的首日就有消息指出 Samsung 位於韓國華城的 DRAM 及 NAND Flash 工廠在本週二突然遭遇停電事故,導致部份晶片生產線暫停,目前正在檢查生產線以備重新啟動,對於斷電事故可能造成的損失,知情人士稱雖然沒有造成重大破壞,但預計會有數百萬美元的損。

Samsung 的消息稱,在韓國當地 2019 年 12 月 31 日下午位於華城的晶片工廠發生斷電事故,持續大約一分鐘,導致其部分生產線暫停,目前正在檢查生產線以備重新啟動,並評估造成的損失。

據媒體報導,此次斷電是因為區域電力傳輸電纜出現問題,受影響的包括 Line 12 的 NAND Flash 晶片廠、Line 13 的 DRAM 晶片廠、Line 11 及 Line 13 的 LSI 晶片廠,目前相關的 DRAM 及 NAND Flash 生產線已經暫停,預計需要大約 2 至 3 天時間才能全面恢復,這代表將會損失最多三天的產能,而這無疑將會使得 Samsung 本月的 DRAM 及 NAND 產能的供應受到影響。
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