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【嵌入式儲存救星!!】比 eFlash 快 1000 倍 Samsung 大規模量產 28nm 工藝 eMRAM
文章索引: Samsung
Samsung 最新宣佈已經開始大規模生產首款商用 eMRAM ( 嵌入式磁隨機存取儲存器 ),該產品基於 28nm FD-SOI 工藝技術,可廣泛應用於 MCU 微控制器、IoT 物聯網、AI 人工智能領域,並計劃在今年擴大高密度新興的非易失儲存器 (eNVM) 解決方案,包括 1Gb EMRAM 晶片。

MRAM 一種非易失性的磁性隨機儲存器,除了 MRAM,還有 eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM 等次世代存儲器,能夠用於通用微控制器(MCU)、物聯網、工業、消費類電子、汽車等,提升數據保存的能力。

Samsung 指出,eFlash (嵌入式閃存) 要進步已經非常困難,由 SLC、MLC、TLC、QLC 到 OLC 技術 ,雖然密度越來越高,但是相對來說壽命亦越來越短,主控和算法不得不進行越來越複雜的補償。
【容量、時脈將達到 DDR4 兩倍以上】 Samsung、SK-Hynix 計劃今年底發佈 DDR5 模組
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DDR4 記憶體基本上在 PC 平台已非常普及,各 DRAM 廠商都開始為為新一代「DDR5」作好準備,其中,兩大 DRAM 廠 Samsung 及 SK-Hynix 已計劃在 2019 年底之前發佈 DDR5 產品,Samsung 將專注生產用於移動設備上的「DDR5」產品,而 SK-Hynix 則專注於台式機市場。

在 2 月中舉行的 ISSCC 國際固態電路會議,SK-Hynix 首次介紹全新基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶片,設計師 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正積極量產 16Gb DDR5 SDRAM 模組產品,全新的新 DDR5 SDRAM 模組製造節點為 1Ynm,基於四金屬 DRAM 工藝,封裝面積 76.22 平方毫米,是一款16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM,工作電壓為1.1V。

至於Samsung,在會上則詳述了一些關於 LPDDR5 SDRAM 的計劃,採用 10nm 工藝、工作電壓僅 1.05V,同時提供高達 7.5G/s 的速度,主要將用於移動設備上,包括筆記本電腦、平板電腦及智能手機等產品。
【儲存空間大升級!!】1TB 容量手機要來了 Samsung 量產 1TB eUFS 2.1 晶片
文章索引: Samsung
現時的智能手機除了用作即時通訊之外,其實亦可以充當相機或攝影機拍攝相片及影片,當需要儲存更多檔案的時候,手機內置容量的大小亦變得非常重要,為了滿足對儲存容量需求大的用家,Samsung 最新就宣佈將會量產首款 1TB eUFS 2.1 晶片,基於第五代 V-NAND 技術打造,讀取速度高達 1000MB/s,寫入速度也高達 260MB/s,看來智能手機很快就可以追得上筆記本電腦的的速度及儲存容量了。

Samsung 全新 1TB eUFS 2.1 晶片能夠為下一代移動應用帶來更優秀的使用體驗,在相同封裝尺寸 ( 11.5mm x 13.0mm ) 內,1TB eUFS 解決方案將先前 512GB 版本的容量提升了一倍,將 16 個堆疊的 Samsung 512Gb V-NAND Flash 與新開發的專用 Flash主控集合在一起。相比之下,目前高階手機常用的 64GB eUFS 只能儲存大約 13 段 4K UHD ( 3840 x 2160 ) 影片,而全新 1TB eUFS 2.1 晶片的容量,則可以錄製 260 段時長 10 分鐘的 4K UHD ( 3840 x 2160 )影片。

不僅在儲存容量方面有所提升, 1TB eUFS 還具有出色的傳輸速度,新的 eUFS 讀取速度高達 1,000MB/s,寫入速度也高達 260MB/s,連續讀取速度是主流 2.5 吋 SATA SSD 的兩倍。此外,1TB eUFS 的隨機讀取最高可達 58,000 IOPS,較 512GB 版本的提高了 38%,至於隨機寫入最高可達 50,000 IOPS,傳輸大量多媒體檔案時就更加快捷。
【非凡升級!!寫入速度比 970 Evo 提高 53%】 Samsung 發佈全新 970 EVO Plus SSD
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Samsung 旗下推出的 970 EVO SSD 以卓越的性超而聞名,自去年推出以來吸引到不少用家購買,Samsung 最新宣佈推出進階版的 970 Evo Plus 產品,升級採用 96 層 3D NAND Flash,不僅能夠提高效能,同時亦進一步將功耗降低。

Samsung 自 2015 年將第一款 NVMe SSD 引入消費市場,不斷改良SSD 的設計、性能及技術等層面,Samsung 全新第 5 代 V-NAND 技術是業界首發支援 Toggle DDR 4.0 傳輸介面的 V-NAND 快閃記憶體,傳輸速率高達1.4Gbps,相較上代 64 層堆疊的 V-NAND 快閃記憶體來說,足足提升了 40%,同時工作電壓亦由 1.8V 降至 1.2V。

規格方面,全新 Samsung 970 Evo Plus SSD 採用 M.2 (2280 ) Form Factor、PCIe Gen 3.0x4 接口 ,支援 NVMe 1.3 傳輸,備有 250GB、500GB、1TB、2TB 儲存容量,並分別搭配 512MB LPDDR4 DRAM ( 250/500GB )、1GB LPDDR4 DRAM ( 1TB )、2GB LPDDR4 DRAM ( 2TB ) 緩存。
首款消費級 QLC SSD、比 860 EVO 更抵買 Samsung 全新 860 QVO SSD 歐洲網店偷步上架
文章索引: Samsung
Samsung 在今年 10 月舉行的「Samsung Tech Day 2018」大會上公佈了最新 SSD 的路線圖,最關鍵之一就是透露了將會帶來首款消費級的 QLC SSD 的產品,當中的一款「860 QVO SSD」在歐洲幾間網上零售商就提前上架,備有最大 4TB 儲存容量,提供高達550 MB/s、520 MB/s 連續讀寫效能,預計將在12月份正式開賣。

Samsung 官方的介紹,QVO 代表著“ Quality and Value Optimized ”(質量和價值優化),意思即是高質量、低價格, QLC NAND 相比TLC NAND 在數據儲存密度增加了 33%,可以降低每單位容量的驅動器成本。

全新「860 QVO SSD」是一款標準 2.5 吋的 SATA III 硬碟,儲存容量備有1TB、2TB 及 4TB,速度方面,「860 QVO SSD」的連續讀寫最高可達 550 MB/s Read、520 MB/s Write,隨機讀寫最高可達 96,000 IOPS Read、89,000 IOPS Write,並擁有 1,440 TBW 寫入壽命。
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