NAND Flash 及 DRAM 市場在去年雙雙出現齊旺的現像，Samsung、SK Hynix 及 Micron 三家大廠「賺到開巷」，然而在 2018 年 NAND Flash 及 DRAM 在價格出現分歧走勢，受到傳統淡季衝擊及 64/72 層 3D NAND 產能穩定擴張影響，NAND Flash 產品合約價已連續兩季下跌，可惜的是 DRAM 價格依舊未有出現下跌的跡象，當中佔據 DRAM 市場最大比重的 Samsung ，竟然被爆出通過控制記憶體產能延緩或者防止記憶體降價。

Samsung、SK Hynix 及 Micron 三大廠在 NAND Flash 及 DRAM 近乎佔了全球 95% 的產能，Samsung 的市場份額更維持在 45-50% ，因此在 2017 年 Samsung 的業績瘋漲不停，晶片業務為其帶來了最大的貢獻，DRAM 價格持續上漲更為 Samsung 帶來了更大的利潤。

面對記憶體產品的缺貨以及 DRAM 晶片的高需求，Samsung 為了加速 18nm 產品的出貨速度，強行縮短了部分流程，早前更有消息傳出 Samsung 18nm 記憶體模組產品存在瑕疵和隱患，需要召回用於 18nm DRAM 晶片生產的記憶體。

為了提供更快的據傳輸速度，Samsung 最新宣佈已開始批量生產第五代 V-NAND 記憶體晶片，全新第五代 V-NAND 採用 96 層堆疊設計，單 Die 容量為 256Gb，在使用“Toggle DDR 4.0” 接口時， Samsung 全新 256 Gb 在儲存及記憶體傳輸數據的速度最高可達到 1.4 Gbps，相較 64 層 NAND Flash 增加了 40%，並可實現更低的功耗及大幅減少寫入延遲。

Samsung 全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加，由 64 層提升至 96 層， Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸，並擁有更高功率及性能。同時，首次使用了Toggle DDR 4.0接口，能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度，比上代 64 層堆疊提升了 40%。

全新 V-NAND 相較 64 層 NAND Flash 在性能上有所增強，主要是因為工作電壓已從 1.8V 降至 1.2V，同時新的 V-NAND 是迄今為止的數據寫入速度最快，達到 500 μs，比上一代寫入速度提高了約 30%，而對讀取訊號的反應時間則顯著減少到50μs，新的工作電壓應有助於延長筆記本電腦的電池壽命，並降低從 Desktop 及數據中心系統的整體功耗。

全球半導體專利戰不斷升溫，在昨日才剛剛報導 Micron 在中國侵權訴訟敗訴，最新由“韓國時報”的報導指出，韓國 DRAM 巨頭 Samsung 及 SK-Hynix 涉嫌遭受中國公司竊取 DRAM 研發的先進技術，該中國公司試圖侵犯 Samsung 及 SK-Hynix 的專利，企圖藉此獲取先進的技術知識。

“韓國時報” 獲得內部人士的消息，表示 Samsung 及 SK-Hynix 已成為中國儲存晶片製造商的工業間諜目標，並企圖竊取兩大韓國 DRAM 巨頭的重要研發技術及知識產權。在半導體領域，專利對公司的成本結構由關重要，因此必須保護他們花費數十年建設的專利成果。

目前發展 DRAM 的三大廠分別是韓國的 Samsung、 SK-Hynix 和美國的 Micron，因為專利技術門檻高，三大廠死守技術。為了發展 DRAM 和 NAND Flash 技術，中國大陸更到台灣挖角人才，早前紫光集團更因為以 3-5 倍的薪資挖角 10 位台灣高級工程師，陷入竊取商業機密的嫌疑，紫光也針對這個事件發表聲明。

為了保持在高性能運算領域的領先地位，Samsung 最新宣佈將會 ARM 合作將拓展 7/5nm FinFET 工藝技術，基於 7nm LPP 工藝下構建 ARM Cortex-A76 晶片組，預計 CPU 時脈速度超過3 GHz +，未來亦會轉向 5nm LPE 工藝。

Samsung的7LPP工藝技術將在2018年下半年初步生產，第一款 EUV 極紫外光刻工藝技術及其關鍵IP正在開發中，預計將於2019年上半年完成。由於7LPP工藝技術的創新，Samsung 的5LPE技術將實現更大的面積擴展及超低功耗優勢。

ARM稱，7nm 的 Cortex-A76時脈速度超過3 GHz +，比10nm Cortex-A75 只有 2.8GHz 提升 35% 的速度，電力使用量可下降多達 40%。ARM 將 Cortex-A76 稱為“筆記本級” 處理器，可用於更強大的設備，而不僅僅是手機之上。

Samsung 最新宣佈推出新一代小外形 NGSFF NVMe SSD ，新型的 8TB NVMe NF1 SSD 針對下一代數據中心和企業伺服器系統而設，並特別為數據密集型分析及虛擬化應用進行了優化，預計可提高數據中心的效率。

Samsung 全新 8TB NVMe NF1 SSD 採用 16 顆 Samsung 512-GB NAND 封裝，每顆都堆疊在 16 層 256 Gb 3-bit V-NAND 晶片上，實現了 8TB 容量、並以 11cm x 3.05cm 超小的尺寸設計，相比起以往用於超大型伺服器及超薄筆記本電腦常用的 M.2 NVMe SSD 提供多兩倍的容量，NF1 SSD 有望取代傳統的2.5吋NVMe SSD，為現有伺服器基礎架構系統提高三倍密度，從而在最新的 2U 機架伺服器中實現了前所未有的 576TB 容量儲存空間。

NF1 SSD 採用全新的高性能控制器，支援 NVMe 1.3 及 PCIe 4.0 接口，可實現 3,100 MB/s 的連續讀取速度和 2,000MB/s 的寫入速度，這些速度分別是典型 SATA SSD 的五倍和三倍，隨機讀取速度為 500,000 IOPS、寫入為50,000IOPS，利用新的 NF1 儲存解決方案，企業伺服器系統可以在2U機架空間內執行超過 100 萬 IOPS，該 SSD 還包括一個 12GB LPDDR4 DRAM，以實現更快、更節能的數據處理。