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📈 正式踏入 DRAM 傳統旺季 📈 2018 下半年 DRAM 價格繼續升💸 💸
文章索引: DRAMeXchange
進入下半年,各大 DRAM 廠已陸續洽談第三季合約價格,根據 DRAMeXchange 調查顯示,受惠於買方急欲增加庫存水位以及第三季傳統旺季需求來臨,即便供給位元成長逐季增加,平均銷售單價仍可望小幅上揚。

DRAMeXchange 資深研究協理吳雅婷指出,回顧第二季,各供應商陸續轉進 1X 或 1Y 奈米製程,雖然陸續傳出有良率不甚穩定或量產品出現品質疑慮的狀況,但相較第一季,供貨位元季成長仍有 3.2%。然而,就買方而言,由於庫存尚未達到安全水位,因此仍有相對穩健的拉貨動能,帶動 DRAM 整體均價呈現微幅季成長。

展望第三季,由於 1X 或 1Y 奈米的比重將持續增加,DRAMeXchange 預估,第三季供貨位元成長可望達 4 .8%,但在旺季需求的支撐下,DRAM 價格仍會持續小幅上揚,帶動第三季 DRAM 總產值續創新高。
旺季需求動能平淡 跌幅大於先前預期 2018 下半年 NAND Flash 市場價格續跌
文章索引: DRAMeXchange
根據 DRAMeXchange 最新的調查顯示,下半年 NAND Flash 市場受需求動能相對平淡,以及供應商 64/72 層 3D NAND 良率及產出繼續提升影響,市場將從原先預期的供給緊縮來到接近供需平衡的狀態,預期各產品合約價仍將續跌。

回顧 2018 年上半年 NAND Flash 市場狀況,受到傳統淡季衝擊及 64/72 層 3D NAND 產能穩定擴張影響,各類產品合約價已連續兩個季度下跌,各供應商也在這段期間內藉由對高容量產品提供價格誘因,吸引客戶增加搭載容量,以刺激旺季需求進一步成長,同時稍微放緩今年的擴產計畫,試圖力挽價格走跌態勢延續至下半年。

然而,從需求面來看,第三季雖屬傳統旺季,但來自智慧型手機、筆記型電腦及平板電腦的需求分別呈現 0-1%、0-1% 及 9-10% 的季成長,動能相對平淡,供應商試圖透過進一步降價刺激需求,卻也讓價格跌幅大於先前預期。
受淡季價跌幅影響 第一季 NAND Flash 品牌商營收季減 3%
文章索引: DRAMeXchange
記憶體儲存研究 DRAMeXchange 表示,2018 年第一季隨著需求進入淡季循環,促使價格向下修正,第一季 NAND Flash 品牌廠營收季減 3%,第二季市場仍處於小幅供過於求的狀態,eMMC/UFS、SSD 等合約價持續下跌,但供應商希望透過更具吸引力的報價以刺激中高容量產品如 256GB SSD、128/256GB UFS 更高的位元需求成長,因此預計各供應商的營收表現仍可持穩。

展望下半年,在傳統旺季、Apple 新機備貨的需求助陣下,促使 NAND Flash 市場價格波動將回到較穩定的狀態。事實上,受先前高漲的價格衝擊,NAND Flash 需求成長壓抑近一年,目前的價格走勢有助於 OEM 在電腦、智慧型手機等新一代的產品採用更高容量產品,進而持續推動 NAND Flash 需求的穩健成長。

記憶體儲存研究 DRAMeXchange 表示,2018 年第一季隨著需求進入淡季循環,促使價格向下修正,第一季 NAND Flash 品牌廠營收季減 3%,第二季市場仍處於小幅供過於求的狀態,eMMC/UFS、SSD 等合約價持續下跌,但供應商希望透過更具吸引力的報價以刺激中高容量產品如 256GB SSD、128/256GB UFS 更高的位元需求成長,因此預計各供應商的營收表現仍可持穩。
受價格持續上揚帶動 第一季全球行動式記憶體產值再創新高
文章索引: DRAMeXchange
根據記憶體儲存研究 DRAMeXchange 調查顯示,去年下半年智慧型手機的新機發表並未如預期帶來換機效應,因此自去年第四季中開始,市場提早進入傳統淡季。品牌廠在歷經 3 個月的庫存水位調節後,於今年二月底才見市場需求轉旺,並重啟拉貨動能,其中又以旗艦新機需求的大容量記憶體居多。整體而言,第一季受到智慧型手機市場回溫、新機發表,以及行動式記憶體平均單價上漲的影響,全球行動式記憶體產值來到 84.35 億美元,較去年第四季提升約 5.3%,一反以往第一季營收衰退的軌跡,再度刷新歷史記錄。

展望第二季行動式記憶體產值表現,儘管合約價格漲幅趨緩,但受惠中國四大品牌 HUAWEI、小米、OPPO、vivo 的需求持續看旺,以及 Android 陣營、Apple 陣營旗艦新機主流搭載容量上升的影響,預估第二季行動式記憶體總產值仍有機會較第一季成長。

以個別供應商的營收表現來看,Samsung 作為全球第一大的 DRAM 供應商,第一季及第二季的報價都因而較過去幾季收斂,報價上的受限讓 Samsung 另謀出路,透過積極行銷大容量記憶體並且結合自家先進奈米製程技術,成功取得多數的大容量訂單,交出第一季營收 47.66 億美元的亮眼成績,鰲占市場龍頭寶座。製程進度上,三星的行動式記憶體幾乎已全採用 18nm 製程,僅少數 LPDDR3 eMCP 組合還有微量供應 20nm 產品。
中國三大陣營 2018 年投入 DRAM 試產 預計 2019 年將成為中國記憶體生產元年
文章索引: DRAMeXchange
DRAMeXchange 記憶體儲存研究指出,中國記憶體產業目前以長江存儲、合肥長鑫以及晉華集成三大陣營為主,以目前的進度來看,其試產時間預計將在 2018 年下半年,隨著三大陣營的量產的時間可能皆落在 2019 年上半年,揭示著 2019 年將成為中國記憶體生產元年。

合肥長鑫的廠房已於去年 6 月封頂完工,去年第三季開始移入測試用機台,試產時程將會落於今年第三季,量產則暫定在 2019 年的上半年。此外,由於合肥長鑫直攻三大 DRAM 廠最重要產品之一的 LPDDR4 8Gb,之後面臨專利爭議的可能性也較高,為了避免此一狀況,除了積極累積的專利權外,初期可能將鎖定於中國銷售。

另外,專注於利基型記憶的晉華集成,在 2016 年 7 月宣布於福建省晉江市建 12 吋廠,投資金額約 53 億美元,以目前進度來看,其利基型記憶體的試產延後至今年第三季度,量產時程也將落在明年上半年。
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