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AMD Zen 3 APU 確定 8 月 5 日正式零售 Ryzen 7 5700G / Ryzen 5 5600G 盒裝登場
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AMD 1 日公佈將於 8 月 5 日正式發售零售盒裝 Zen 3 APU 處理器,包括 Ryzen 5 5600G 與 Ryzen 7 5700G,規格與早前公佈的 OEM 版本相同,售價分別為 256 美元與 359 美元,拆約 HK$2,010 與 HK$2,785,不過入門級 Ryzen 3 5300G 並不會有零售價版本。

Ryzen 5000G 與 Ryzen 4000G 差異主要在 CPU Core 方面,由 Zen 2 升級 Zen 3 微架構令 IPC 性能提升了約 19%,遊戲性能提升 9~39% 不等,但 GPU 方面則沒有改動,仍舊有的 RX VEGA 繪圖核心。

Ryzen 5 5600G 為 6 核心、12 線程,CPU 核心時脈為 3.9GHz Base / 4.4GHz Boost,內建 VEGA 7 繪圖核心,GPU 時脈最高為 1.9GHz,最高 TDP 為 65W。
64 核心、代號 Chagal 計劃 9 月發售 AMD Ryzen Threadripper 5990X 處理器
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雖然 Ryzen 5000 系列已推出了一段時間,但一直沒有 Ryzen Threadripper 5000 系列的消息,近日 Twitter 爆料大神們透露了 Ryzen Threadripper 5000 處理器 ,保持最高 64 核心、沿用 AMD TRX40 主機板平台,很大機會在今年 8 發正式發佈、9 月開售。

據了解, Ryzen Threadripper 5000 處理器代號為 Chagal,將升級至 Zen 3 微架構,IPC 性能相較上代 Ryzen Threadripper 3000 處理器提升約 19 %,將沿用 TRX40 處理器接口,舊有 AMD TRX40 主機板只需更新 BIOS就能支援。
USB-IF 公佈 USB-C 2.1 新規格登場 新增 48V 電壓 最高 240W 供電能力 USB-IF 25 日公佈全新 USB-C Revision 2.1 標準,新標準其中一個最大改動是可提供更高的電力給裝置使用,由現時最高 20V 提升至最高 48V,最大電流則保持在 5A,令 USB-C 最高供電能力提升至 240W,需要更新通過 Rev 2.1 的 USB-C 線材。

目前 USB-C 的最高 PD 供電能力為 100W,對於一般 Notebook 用家來說已經足夠,但對於具備高階 GPU 的電競 Notebook 則並不足夠,因此 USB-IF 25 日公佈了 USB-C Revision 2.1 標準,其中一個主要改動是新增 Extended Power Range (EPR) 擴展功訊範圍。
AMD 未有計劃推出 Ryzen 3 5000 蘇媽︰產能不足 高階 CPU 型號優先
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AMD 執行長 Lisa Su 在摩根大通會議上透露,由於產能無法 100% 滿足整個市場,AMD 現在會優先供應高階商用、遊戲市場 CPU,只能犧牲低階至入門級 CPU 市場,暫時未有計劃入門級 Ryzen 3 5000 型號。

儘管 AMD 近期 CPU 供應已經有所改善,熱門型號 Ryzen 5 5600X 與 Ryzen 9 5900X 售價亦開始回落,但並不代表 AMD 完全解決,事實上在入門級型號 Ryzen 3 3100 / Ryzen 3 3300X、Ryzen 3 3200G / Ryzen 5 3400G 仍然很難買到,一 U 難求。

AMD 執行長 Lisa Su 早前在摩根大通會議上被問及低階 CPU 市場,她認為 AMD 在低階 CPU 市場上做得不夠好,主要是產能無法 100% 滿足下,公司只能優先供應利潤較高的高階 CPU 型號,今年內未有計劃推出新的低階 CPU 型號。
PHISON 推出新版 PS5018-E18 SSD 控制器 追加 176 層 3D TLC 支援 性能再提升 35% PHISON 26 日宣佈推出新版 PS5018-E18 控制器,能支援全新 176 層 3D TLC NAND Flash,能大幅改善了隨機讀取的延遲,在低隊列深度下實現了 35% 性能提升,並且可實現最高 7,400MB/s Read、7,000MB/s Write 連續順序讀寫能力,新版本 PS5018-E18 控制已開始向製造商合作夥伴出貨。

其實 PHISON 早前已出貨 PS5018-E18 控制給 CORSAIR、GIGABYTE 等合作伙伴,但這些早期版本僅支援最高 96 層 3D TLC NAND Flash (eg., Micron B26N),不過 PHISON 已推出了新版 PS5018-E18 控制器,追加 176 層 3DTLC NAND Flash 顆粒,實現了對176 層3D TLC NAND 的支持(eg., Micron B47R 顆粒),並且大幅改善了隨機讀取的延遲,在低隊列深度下實現了35%的性能提升。

作為全球領先的NAND閃存控制器集成電路與存儲解決方案提供商之一,群聯電子股份有限公司今日宣布旗下PS5018-E18 PCIe Gen4主控已開始向。結合E18主控與176層NAND閃存,官方宣稱可達成7400 MB/s的順序讀取和7000 MB/s的順序寫入速度。`
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