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據了解,PS5026-E26 控制器支援 PCIe Gen 5 x4 通道,NVMe 2.0 標準,採用 TSMC 12nm 制程,FCCSP 576封裝,核心面積16x16mm,晶片內建了 2 顆 ARM Cortex-R5 核心及 3 個專用 IP 核心,支援 DDR4 / LPDDR4 緩存,最高支援 32TB 容量。
性能方面,PHISON PS5026-E26 控制器最高連續取速度 12GB/s,連續寫入速度 11GB/s,4K 隨機讀取 1,500,000 IOPS,4K 隨機寫入 2,000,000 IOPS。

PS5026-E26 採用最新 12nm、自家 CoXProcessor 2.0 架構,且支援 PCIe Dual Port、SR-IOV、與 ZNS 等功能,能為全球的客戶提供超高效能並兼顧低功耗與彈性客製化的需求,非常適合資料中心 (Datacenter)、雲端伺服器 (Cloud Server)、邊緣運算系統 (Edge Computing)、以及電競運算市場 (Gaming Computing Market) 等。
PHISON 董事長潘健成表示,群聯在 2019 年推出全球首款 PCIe Gen4 SSD 控制晶片 E16,成功打響 PHISON 在控制晶片的領先地位,PHISON 新世代的 PCIe Gen5 SSD 控制晶片將維持技術領導地位,目前 PCIe Gen5 SSD E26 控制晶片已完成設計Taped-Out,並預計於 2022 下半年開始量產,初期將推出 M.2、U.3、E1.S、以及E3.S 等尺寸規格,以滿足電競以及伺服器等市場需求。

其實 PHISON 早前已出貨 PS5018-E18 控制給 CORSAIR、GIGABYTE 等合作伙伴,但這些早期版本僅支援最高 96 層 3D TLC NAND Flash (eg., Micron B26N),不過 PHISON 已推出了新版 PS5018-E18 控制器,追加 176 層 3DTLC NAND Flash 顆粒,實現了對176 層3D TLC NAND 的支持(eg., Micron B47R 顆粒),並且大幅改善了隨機讀取的延遲,在低隊列深度下實現了35%的性能提升。
作為全球領先的NAND閃存控制器集成電路與存儲解決方案提供商之一,群聯電子股份有限公司今日宣布旗下PS5018-E18 PCIe Gen4主控已開始向。結合E18主控與176層NAND閃存,官方宣稱可達成7400 MB/s的順序讀取和7000 MB/s的順序寫入速度。`

Phison 全新 PS2251-18 ( U18 ) USB 3.2 Gen 2x2 晶片與 USB 3.2 Gen 2x1 PS2251-17 ( U17 ) 晶片是目前全球首款原生 USB 3.2 隨身碟控制晶片,採用 26mm x 60mm PCBA 小尺寸設計,但卻可以提供高達 4TB 大容量,與具備 USB Type C 連接器的各種裝置相容 (桌機 、Mac、筆電、平板、手機、遊戲主機),而使用 USB Type A 轉接器可相容於 USB 2.0、USB 3.0、USB 3.1 傳輸介面。
U18 與 U17 同樣基於 DRAM-less 設計,毋須橋接控制器,降低成本及簡化 PCBA 尺寸,傳輸速度為外接式傳統硬碟的 15 倍,而且安靜無聲,與搭載橋接控制器的傳統外接式 SSD 固態硬碟相比,功耗降低了 56%。

據 PHISON 董事長潘建成表示,PHISON 在效能級 SSD 市場上表現亮眼,自 2019 年聯手 AMD 推出首款 28nm 制程「PS5016-E16 」PCIe 4.0 SSD 控制器後,至今已出貨約 150 萬顆。
緊接,PHISON 將會有第二代 PCIe 4.0 SSD 控制器 PS5018-E18 上市,改用 12nm 制程、性能亦提升至 7GB/s,10 月底正式量產。
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