Qualcomm 31 日發佈 Snapdragon 616 中階流動處理器，與上代 Snapdragon 615 的規格基本上相同，其最大分別加入 X5 LTE 制式技術，大大強化流動數據傳輸效率。

Qualcomm 最新推出的 Snapdragon 616 處理器主要針對中階市場設計，其採用八組 ARM Cortec A53 芯片組成， 28nm 工藝制程及 64 bit 架構，以兩組不同時脈的四核心芯片組成高效省電的架構，分別採用 1.7GHz 及 1.2GHz 時脈，依據用家不同需求而即時轉換核心以優化各方面效能。另外，其內建 Adreno 405 GPU ，其提援 OpenGL ES 3.1 、動態硬體曲面細分技術及幾何著色器，對運行大型立體遊戲能提升表現。

另外， Snapdragon 616 基本上架構及規格與上代 Snapdragon 615 一樣，但內建通訊芯片則有所優化，集成 X5 LTE 制式，支採 LTE FDD 、 LTE TDD 、 WCDMA (3C-HSDPA, DC-HSUPA) 、 CDMA1x 、 EV-DO 、 TD-SCDMA 及 GSM/EDGE 等，此外亦支援 LTE Cat. 4 制式， 2x10MHz Carrier Aggregation ( 雙載波聚合技術 ) 。

Qualcomm 這個名字早年於流動裝置市場聲名大噪，手機市場上大部份 Android 智能手機均採用 Qualcomm Snapdragon 系列處理器，但近年雄佔市場的 Qualcomm 皇位搖搖欲墜。

台灣的 MediaTek 漸漸於正規市場上佔一席位，而韓國廠商 Samsung 及中國廠商 Huawei 均備有自家的流動處理器，另外因為旗下高階處理器 Sanpdragon 810 過熱問題，種種因素令 Qualcomm 市佔降低。

Qualcomm 面臨重大壓力，日前宣佈策略檢討，考慮即將重組公司結溝，並積極節流削減約 14 億美元支出，並將裁減 4500 名全職員工，約佔員工總數的 15% 之多，令市場關注。

Qualcomm 旗艦級高階 Snapdragon 810(QS810) 流動處理器備受各界批評其溫度高，引致很多採用處理器的智能手機受到牽連，引致大部份旗艦手機出現銷售欠佳的情況。

據業內人士指， Qualcomm 將加快研發下一代旗艦級 Snapdragon 820(QS820) 流動處理器以取代出現過熱問題的 QS810 ，近日已火速將樣本發往客戶進行測試，相信該 QS 820 將大力全開加快整個生產進程。

最新的 QS820 處理器效能進一步提升，將採用最新的 ARMv8 核心架構，具備 64bit 運作能力，並向後兼容 32bit 運作能力，主要集中加強電力功耗的效率轉換，其開發代號為「 Kryo 」。

流動處理器生產商 Qualcomm 自推出旗艦級 Snapdragon 810 處理器引發市場關注，其原因並不是因為性能超卓、耗電率低等等優點，而是微型的流動處理器一直遇到的發熱問題，其發熱程度令驚訝。

近日，有外媒報導配備 Qualcomm Snapdragon 810 處理器的智能手機內部發出高熱，令用家抱怨聲四起，引發不同社交平台、 Blog 及論壇等多方批評，有網友新購入 Sony Xperia Z4 後，運作一段時間後，發現機體發熱不正常，續以專門監測內部硬件應用程式「 CPU Z 」進行監測，所得出的數據驚人，內部溫道高達 58-67 度，所發出的熱力異常。

現時市場上亦有多部旗艦機種採用 Snapdragon 810 處理器，如 HTC One M9 及 Sony Xperia Z4 (Xperia Z3+) 等曾經出現過熱問題，雖然早前 Sony 稱 Xoeria Z4 所採用的 Snapdragon 810 處理器為 2.1 修正版，但其發熱的問題仍然持續，相信要解決過熱這問題仍需一段時間。

物聯網 (IoT) 即將成下一代科技重要浪潮，有報告指出物聯網相關裝置出貨量將達到 50 億台數字，各大廠商由 2014 年開始進入市場， Intel 最早於 2014 年開發如 SD 大小的「 Edison 和鈕扣般的「 Curie 」物聯網芯片，率先進入 IoT 市場。

其後 Samsung 亦於早前推出針對物聯開發的 ARTIK 微型芯片，提供三款不同尺吋 / 效能定位不同物聯網市場，其競爭對手 Qualcomm 不惶多讓，事隔兩天後即時進行發佈，亦宣佈針對性推出兩款專用芯片進攻物聯網市場。