Samsung B-Die DDR4 記憶體顆粒有著高頻、低時序、吃電壓等幾大特性深受玩家愛戴，在近年不少廠商推出的高頻記憶體都會用上 Samsung 的 B-Die 顆粒，不過B-Die顆粒很快就會成為歷史，Samsung 日前公佈了最新的產品指導說明書，透露了 B-Die 今年上半年將陸續停產，並會由新款的 A-Die、E-Die顆粒接替。

Samsung B-Die是 Samsung生產的一種記憶體 DRAM 顆粒，與其他 DRAM 顆粒相比有更高頻、低時序、吃電壓的特性，同時有不俗的超頻能力，一條普通的DDR4-2133 隨便就可以跑到DDR4-3200甚至4000，成為超頻界的火熱顆粒，加上在過去幾年INTEL 及 AMD推出的新處理器對記憶體頻率的要求越來越高，基本都是DDR4-2666以上，因此Samsung B-Die 更成為高階用家追捧的產品。

隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量，記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要，Samsung 亦不得不調整公司的方向，最新公佈的 B-Die顆粒即將進入 EOL 狀態，取而代之的是更密集的M-Die及A-Die產品。

M-Die及A-Die可增加記憶體的密度，與目前B-Die顆粒相比，新顆粒主要變化在於容量。單顆可以做到16Gb或32Gb，即2GB或4GB容量，最高能做到單條32GB容量，而B-Die只有單顆8Gb（1GB），單條容量最高只能到16GB。

不過，Samsung 官方暫未公佈具體詳情，究竟M-Die及A-Die在超頻方面能否超越B-Die，還是擁有相同的效能，就有待Samsung 日後公佈吧。