2020-08-17
【10nm 改新名 !?】Intel 洗底唔再用加號
10nm+ 叫 10SF、下代 10nm++ 叫 10SFE
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 處理器 INTEL

Intel 在公佈了 7nm 製程要延期後一度讓外界極度擔憂,不過在昨晚舉行的「Intel Architecture Day 2020」,Intel 就重磅發佈了全新的 10nm SuperFin 技術,官方指出是有史以來最強的單節點內性能增強,帶來的性能提升可與全節點轉換相媲美,在SuperFin 技術的加持下,幾乎等效於讓 10nm 製程變成接近 7nm 製程。

 

在「Intel Architecture Day 2020」上,首席架構師 Raja Koduri 表示,經過多年來持續在 FinFET 電晶體技術方面精益求精的努力,Intel 正重新定義該技術,以實現史上最大的單節點內技術升級,提供等同轉換至全新製程節點技術的效能改進。

 

10nm SuperFin

10nm SuperFin

 

Intel 全新的 10nm SuperFin 晶體管技術將 Intel 增強型 FinFET 電晶體與 Super MIM(Metal-Insulator-Metal)電容器結合在一起。SuperFin 技術於源極/汲極提供增強的磊晶,改進柵極製程和額外的柵極間距,透過以下方式實現更高的效能:

 

● 提升源極和汲極結構的磊晶生長,從而提升應力並減小電阻,以允許更多電流通過通道

● 改進柵極製程以驅動更高的通道遷移率,使得電荷載子更快速地移動

●額外的柵極間距選項,可為需要極致效能的特定晶片功能提供更高的驅動電流

● 新型薄阻障層將通孔電阻降低了 30%,增強了互連效能

● 與業界標準相比,Intel 的 Super MIM 電容於相同的佔用面積,提供 5 倍的容值,從而降低電壓驟降情況,並顯著提高產品效能。該技術由一種新型 Hi-K 介電材料所實現,該材料堆疊在厚度僅為數埃(10-10 公尺)的超薄層中,形成重複的「超晶格」結構。這是一項業界首創的技術,領先於其他製造商的現有製程能力

 

10nm SuperFin

10nm SuperFin

10nm SuperFin

 

Intel 聲稱,通過 SuperFin 晶體管技術等創新的加強,10nm 製程可以實現節點內超過 15% 的性能提升,而根據台積電之前公佈的數據顯示,其 5nm 製程相對於其之前的 7nm 製程的性能提升也只有 15%。

 

如果說,之前 Intel 第一代 10nm 製程的性能已經可以和台積電 7nm 工藝相媲美,那麼基於 SuperFin 晶體管技術的 10nm 製程在性能上,可能已經可以與台積電的 5nm 製程相媲美。而這也是為何 Intel 將 SuperFin 晶體管技術稱為「有史以來最為強大的單節點內性能增強,帶來的性能提升可與全節點轉換相媲美」。

 

10nm SuperFin

 

至於在命名方式上,Intel 在不斷打磨 14nm 製程節點一事導致外界在 14nm 後加上了多個「+」號,為了在未來的新製程上不再被「+」號困擾, Intel 官方在今次介紹新的 10nm+ 製程時刻意命名為「10nm SuperFin」,簡稱 10SF,至於再下一代 Intel 就不用「10nm++」作介紹了,10nm SuperFin 之後的下一代工藝稱為「10nm Enhanced SuperFin」,簡稱 10ESF。

 

10nm SuperFin

10nm SuperFin

 

據 Intel 透露,10nm SuperFin 技術率先會用於即將發佈的全新第 11 代 Core 系列「Tiger Lake」移動版處理器中,預計 OEM 廠商將會在今年 Q4 節慶季節推出搭載 Tiger Lake 處理器的新行動電腦產品。

 

10nm SuperFin

10nm SuperFin

分享到:
發表評論