Intel 在公佈了 7nm 製程要延期後一度讓外界極度擔憂，不過在昨晚舉行的「Intel Architecture Day 2020」，Intel 就重磅發佈了全新的 10nm SuperFin 技術，官方指出是有史以來最強的單節點內性能增強，帶來的性能提升可與全節點轉換相媲美，在SuperFin 技術的加持下，幾乎等效於讓 10nm 製程變成接近 7nm 製程。

在「Intel Architecture Day 2020」上，首席架構師 Raja Koduri 表示，經過多年來持續在 FinFET 電晶體技術方面精益求精的努力，Intel 正重新定義該技術，以實現史上最大的單節點內技術升級，提供等同轉換至全新製程節點技術的效能改進。

Intel 全新的 10nm SuperFin 晶體管技術將 Intel 增強型 FinFET 電晶體與 Super MIM（Metal-Insulator-Metal）電容器結合在一起。SuperFin 技術於源極/汲極提供增強的磊晶，改進柵極製程和額外的柵極間距，透過以下方式實現更高的效能：

● 提升源極和汲極結構的磊晶生長，從而提升應力並減小電阻，以允許更多電流通過通道

● 改進柵極製程以驅動更高的通道遷移率，使得電荷載子更快速地移動

●額外的柵極間距選項，可為需要極致效能的特定晶片功能提供更高的驅動電流

● 新型薄阻障層將通孔電阻降低了 30%，增強了互連效能

● 與業界標準相比，Intel 的 Super MIM 電容於相同的佔用面積，提供 5 倍的容值，從而降低電壓驟降情況，並顯著提高產品效能。該技術由一種新型 Hi-K 介電材料所實現，該材料堆疊在厚度僅為數埃（10-10 公尺）的超薄層中，形成重複的「超晶格」結構。這是一項業界首創的技術，領先於其他製造商的現有製程能力

Intel 聲稱，通過 SuperFin 晶體管技術等創新的加強，10nm 製程可以實現節點內超過 15% 的性能提升，而根據台積電之前公佈的數據顯示，其 5nm 製程相對於其之前的 7nm 製程的性能提升也只有 15%。

如果說，之前 Intel 第一代 10nm 製程的性能已經可以和台積電 7nm 工藝相媲美，那麼基於 SuperFin 晶體管技術的 10nm 製程在性能上，可能已經可以與台積電的 5nm 製程相媲美。而這也是為何 Intel 將 SuperFin 晶體管技術稱為「有史以來最為強大的單節點內性能增強，帶來的性能提升可與全節點轉換相媲美」。

至於在命名方式上，Intel 在不斷打磨 14nm 製程節點一事導致外界在 14nm 後加上了多個「+」號，為了在未來的新製程上不再被「+」號困擾， Intel 官方在今次介紹新的 10nm+ 製程時刻意命名為「10nm SuperFin」，簡稱 10SF，至於再下一代 Intel 就不用「10nm++」作介紹了，10nm SuperFin 之後的下一代工藝稱為「10nm Enhanced SuperFin」，簡稱 10ESF。

據 Intel 透露，10nm SuperFin 技術率先會用於即將發佈的全新第 11 代 Core 系列「Tiger Lake」移動版處理器中，預計 OEM 廠商將會在今年 Q4 節慶季節推出搭載 Tiger Lake 處理器的新行動電腦產品。