【華為再次遙遙領先 ... ㊙️】中國媒體報導，原來華為早於 2021 年已提交 2nm 製程的國產專利申請，聲稱可在沒有 EUV 技術下，僅以 DUV 光刻機結合 SAQP（自對準四重圖案化），將晶片閘極距縮至 21nm 以下，可實現 2nm 製程晶片。在 DUV 技術上，華為可說是遙遙領先。

 

據中國《快科技》報導，在全球先進製程的發展路線中，5nm 以下節點普遍轉向 EUV 工藝，DUV 光刻微縮到 7nm 已經非常困難，但這顯然不是中國的極限，未來有可能一路推進至 2nm 等級。

 

據了解，華為早在 2021 年就發表相關研究，並提交專利申請，介紹 SAQP（自對準四重圖案化）技術，主張在沒有 EUV 光刻機的情況下也能達到 2nm 級製程。

 

該專利指稱，利用 DUV 光刻機配合 SAQP 製作的晶片，可將閘極距縮至低於 21nm，這正是 2nm 製程的門檻水準。報導亦強調，坊間不少文章把 SAQP 翻譯為「四重光刻」是錯誤的；「四重圖案」並不等於「四重光刻」，兩者差之千里。四重光刻無論在技術或成本上都不可接受，幾乎沒有實際可行性。

 

報導又指出，2nm 製程並非華為等機構的終點。華為亦申請了大量關於 GAA 環繞柵極電晶體及 CFET 互補堆疊電晶體的相關專利；其中 CFET 更被公認為從 1nm 以下至 0.1nm 節點的關鍵技術之一。

 

另外，該文章也提醒，以上主要屬於技術專利，並不等同於相關技術已準備量產。文中更提出：「當國內以 DUV 路線做出 2nm 晶片時，台積電、三星、Intel 等公司卻需要動用昂貴的 EUV，甚至 High-NA EUV 光刻機來生產晶片，究哪邊會更怕競爭力不足呢？」

 

 

 

資料來源:

 

• 無需EUV也能在2nm製程國產專利4年前已準備