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雙屏幕更適合遊戲玩家 Samsung 申請「可折疊雙屏幕手機」專利
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不少「手遊」玩家為了能夠擁有更佳的遊戲體驗,都會追求大型的的手機顯示屏,外媒 GSMArena 發現 Samsung 最新申請了一項「可折雙屏手機設計」雙屏手機設計,玩家可以在一個屏幕上運行遊戲,而另一個就用作進行遊戲控制,與任天堂的 3DS 遊戲機相類似,但運行的就是 Android 系統。

Samsung 還提到畫家創作多數會使用一個繪圖板去設計,若只有單一的屏幕會阻礙畫家創作,如果手機提供了兩個屏幕,在配合 S Pen 操控筆的話就可以在一邊屏幕畫,另一邊屏幕顯示,即能夠將使用體驗進一步優化。
連衣服也要智能?! Samsung 正式獲批「智能服裝」專利
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現時人們的生活都趨向「智能化」,Samsung 在近幾年一直希望能夠開拓可穿戴智能服裝的概念,在近日 Samsung 就獲得一項「智能服裝」專利,該專利描述了一件「智能服裝」包含了能量收集技術,收集後的能量或可以轉化為電源為其他產品提供電力所需。

據了解,Samsung最新「智能服裝」專利於 2017 年 6 月 2 日申請,描述中提到「可穿戴電子設備操作方法」是利用運動去產生能量,「智能服裝」上包括了位於正中央及雙手的3組處理器、7組傳感器及 3 組能量攫取器,另外在衣服背面就提供了一個電源位置。
Samsung 2017Q4 營利創新高達 149 億美元 摩根士丹利預告記憶體晶片景氣將到頂
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金融資訊服務公司FnGuide最新的數據調查顯示,Samsung 受惠於表現強勁的晶片業務,今年第四季度業績有望創紀錄,並預計Samsung 在10月至 12 月的營業利潤將達 16.3 萬億韓元(約合149億美元),比去年同期增長了77.2%。遠遠高於 Samsung 前一季度 14.5 萬億韓元的營業利潤。

Samsung今年第三季度的運營利潤達到創公司記錄的14.53萬億韓元(約合128億美元),較去年同期的 5.2 萬億韓元增長 179%,亦意味著 Samsung今年第四季度的運營利潤將再創歷史新高。

韓國本土券商預計,Samsung 今年的營收有望達到 240 萬億韓元,運營利潤將超過55萬億韓元。分析師還預計,受益於晶片業務持續增長的推動,Samsung 明年的運營利潤將有望達到 70 萬億韓元。
用作取代手機 microSD 擴充卡 Samsung 下代旗艦手機將使用 512GB eUFS
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Samsung 最新宣佈已經開始批量生產業內首款 512GB eUFS 解決方案,以用於下一代移動設備,採用 Samsung 最新的 64 層 512-Gigabit V-NAND 晶片,為即將推出的旗艦智能手機及平板電腦提供新的 512GB eUFS 封裝 。

Samsung 全新 512GB eUFS 解決方案由 8 片主控制器封裝而成,使用 Samsung 64 層 512Gb V-NAND 晶片,是以往 48 層 V-NAND 256GB eUFS 的兩倍,全新的高容量 eUFS 可讓旗艦型智能手機能夠存儲大約 130 段 10 分鐘的 4K Ultra HD ( 3840 x 2160 ) 視頻影片,而 64GB eUFS 只能存儲大約 13 部出高十倍之多。

性能方面,Samsung 官方資料顯示 512GB eUFS 的連續讀取最高可達 860MB/s、寫入 255MB/s,隨機讀取為 42,000IOPS、寫入 40,000 IOPS,能夠在 6 秒內將 5GB 的全高清視頻片段傳輸到 SSD,速度比典型的 microSD 卡提高了 8 倍,讓用戶可以享受無縫的多媒體體驗,更有奕地進行高解析度連拍、文件及視頻下載雙應用程式搜索模式等。
比第一代 10LPE 提高 10% 性能 Samsung 開始生產第二代 10nm 晶片
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Samsung 在日前正式宣佈其代工業務已經開始大批量生產基於第二代 10nm FinFET 工藝成功由「10LPE」過渡 「10LPP」技術的系統 SoC 產品「10LPP」,「10LPP」與第一代 10nm 工藝技術「10LPE」相比,可提高 10% 性能及降低 15% 功耗,最新位於韓國華城市的「S3」晶圓廠亦將會加速生產 10nm 以及下一代的 7nm 工藝產品。

由於全新的 10nm「10LPP」工藝是源自第一代「10LPE」技術,可大幅縮短由開發到批量生產的所需時間,並擁有更顯著的初始製造良率,從優化了新產品的生產過程。通過從「10LPE」向「10LPP」的過渡,Samsung 將能夠更好地為客戶提供更高性能的產品,為公司帶來更具優勢的產品競爭力。

Samsung 表示,採用「10LPP」工藝技術設計的 SoC 將用於計劃於明年年初推出的數字設備,並預計將在全年範圍內獲得更廣泛的應用。Samsung 還宣佈,位於韓國華城市的最新生產線「S3」正準備加速生產 10nm 及以下工藝技術,「S3」生產線是 Samsung 代工業務的第三家晶圓廠,另外還有繼位於韓國 Giheung的「S1」晶圓廠和位於美國奧斯汀的「S2」晶圓廠,Samsung 下一代 7nm FinFET 工藝技術與 EUV(Extreme Ultra Violet)亦將會在「S3」晶圓廠大量生產。
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