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Samsung 與 ARM 合作拓展 7/5nm 工藝!! Cortex-A76 將實現 3GHz+ 運算性能
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為了保持在高性能運算領域的領先地位,Samsung 最新宣佈將會 ARM 合作將拓展 7/5nm FinFET 工藝技術,基於 7nm LPP 工藝下構建 ARM Cortex-A76 晶片組,預計 CPU 時脈速度超過3 GHz +,未來亦會轉向 5nm LPE 工藝。

Samsung的7LPP工藝技術將在2018年下半年初步生產,第一款 EUV 極紫外光刻工藝技術及其關鍵IP正在開發中,預計將於2019年上半年完成。由於7LPP工藝技術的創新,Samsung 的5LPE技術將實現更大的面積擴展及超低功耗優勢。

ARM稱,7nm 的 Cortex-A76時脈速度超過3 GHz +,比10nm Cortex-A75 只有 2.8GHz 提升 35% 的速度,電力使用量可下降多達 40%。ARM 將 Cortex-A76 稱為“筆記本級” 處理器,可用於更強大的設備,而不僅僅是手機之上。
採用全新 NF1 Form Factor 設計 Samsung 推出 8TB NGSFF NVMe SSD
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Samsung 最新宣佈推出新一代小外形 NGSFF NVMe SSD ,新型的 8TB NVMe NF1 SSD 針對下一代數據中心和企業伺服器系統而設,並特別為數據密集型分析及虛擬化應用進行了優化,預計可提高數據中心的效率。

Samsung 全新 8TB NVMe NF1 SSD 採用 16 顆 Samsung 512-GB NAND 封裝,每顆都堆疊在 16 層 256 Gb 3-bit V-NAND 晶片上,實現了 8TB 容量、並以 11cm x 3.05cm 超小的尺寸設計,相比起以往用於超大型伺服器及超薄筆記本電腦常用的 M.2 NVMe SSD 提供多兩倍的容量,NF1 SSD 有望取代傳統的2.5吋NVMe SSD,為現有伺服器基礎架構系統提高三倍密度,從而在最新的 2U 機架伺服器中實現了前所未有的 576TB 容量儲存空間。

NF1 SSD 採用全新的高性能控制器,支援 NVMe 1.3 及 PCIe 4.0 接口,可實現 3,100 MB/s 的連續讀取速度和 2,000MB/s 的寫入速度,這些速度分別是典型 SATA SSD 的五倍和三倍,隨機讀取速度為 500,000 IOPS、寫入為50,000IOPS,利用新的 NF1 儲存解決方案,企業伺服器系統可以在2U機架空間內執行超過 100 萬 IOPS,該 SSD 還包括一個 12GB LPDDR4 DRAM,以實現更快、更節能的數據處理。
【招兵買馬】仿效 Apple  Samsung 計劃開發自家 GPU 晶片
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不僅是桌面級電腦,現在連手機及平板都需要 GPU 繪圖晶片去應付「手機遊戲」及提升系統的運算效率,繼 Apple 在去年宣佈研發自家 GPU 晶片後,最新有消息指其最大競爭對手 Samsung 亦將可能仿效,並正在尋找 Qualcomm、AMD 及 NVIDIA 的人才,將組建一支新的 GPU 團隊,為其 Galaxy 手機和其他設備設計內部 GPU。

儘管 Samsung 在北美的設備已經使用 Snapdragon 處理器多年,但該公司還開發了用於國際型號的 Exynos 處理器,至於在圖形方面 Samsung 仍然在所有的手機和平板電腦中使用 ARM 的 “Mali” GPU 系列。

根據 LinkedIn 上的招聘訊息顯示,Samsung 正在招聘大量圖形晶片工程師去研發自家的 GPU,隨著需要為手機、平板電腦等大量產品的 Graphics IP 以及在汽車、機器學習和人工智能等市場上的拓展,Samsung 需要發展自己的 GPU 亦並不意外。
業界首間採用 16Gb DRAM 單晶片 Samsung 批量生產 64GB RDIMM 記憶體
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Samsung 最新宣佈將會開始批量生產 16Gb 單晶片 64GB 的 DDR4 記憶體解決方案的模組,屬於雙列直插式 RDIMM 記憶體,主要用於企業及雲端伺服器應用,配合大型數據中心的高速移動、物聯網、深度學習、人工智能等技術,Samsung 將與其他領先企業如 HPE 及 AMD 一起提供更快、更密集、更具可擴展性的集成解決方案。

截至目前,由於 8Gb 記憶體晶片的容量限制,目前最大的 RDIMM 只能達到 32GB 容量,若果需要提升系統的配置,成本將會更高,並需要在額外的性能及兼容性之間作出平衡,隨著 Samsung 最新的 64GB RDIMM 記憶體推出將可解決以上問題,採用 16Gb 單晶片 DDR4 模組,三星可以生產更高容量的 “單片” 雙列 DIMM,並達成 DDR4-2666 RDIMM 記憶體。

Samsung 基於16Gb 的 64GB RDIMM 是首款 JEDEC 標準配置中提供高容量、高性能和低功耗,Samsung 16Gb 單晶片 64GB RDIMM 的性能比 8Gb 單晶片的性能提高了一倍、密度高達兩倍,速度高達 2666MT/s。此外,與 2 x 32GB RDIMM 相比,它的功耗降低了 19%。
基於 10nm 工藝、比上代提高 39% 效能 Samsung 首款 32GB DDR4-2666 SoDIMM
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Samsung 官方正式宣佈已開始大規模生產業內首款 32GB DDR4 記憶體,適用於小型雙列直插式 SoDIMM 記憶體模塊的遊戲筆記本電腦,新的 SoDIMM 基於 10nm 工藝製造,提供更大的容量、更高的速度和更低的能耗,為 PC 級遊戲電腦帶來更快速的處理能力。

Samsung 全新 32GB DDR4 記憶體採用 10nm 級別工藝製造,是一款全新的記憶體解決方案,可讓個人電腦製造商可以構建更快速度的遊戲筆記本電腦,其電池續航時間更長,超越傳統移動工作站,同時維持現有的個人電腦配置。Samsung 表示,與 2014 年推出的基於 20nm 8Gb DDR4 的 Samsung 16GB SoDIMM 相比,新款 32GB 模塊的容量提升了一倍,並提高了 11% 的速度及 39% 的運作效能。

Samsung 最新的 16GB 千兆位(Gb)DDR4 DRAM 晶片 ( 前後各安裝 8 顆晶片 ) 共有 16顆,32GB 容量的 SoDIMM 記憶體可讓遊戲筆記本電腦的速度達到 2,666 Mbps,在同時配置兩組 32GB DDR4 記憶體模組的 64GB 筆記本電腦,在主動模式下功耗不到4.6W,閒置時功耗低於 1.4W。Samsung 補充說,與目前配備 16GB 模組的遊戲筆記本電腦相比,這分別將功耗降低了 39% 及 25% 以上。
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