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用作取代手機 microSD 擴充卡 Samsung 下代旗艦手機將使用 512GB eUFS
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Samsung 最新宣佈已經開始批量生產業內首款 512GB eUFS 解決方案,以用於下一代移動設備,採用 Samsung 最新的 64 層 512-Gigabit V-NAND 晶片,為即將推出的旗艦智能手機及平板電腦提供新的 512GB eUFS 封裝 。

Samsung 全新 512GB eUFS 解決方案由 8 片主控制器封裝而成,使用 Samsung 64 層 512Gb V-NAND 晶片,是以往 48 層 V-NAND 256GB eUFS 的兩倍,全新的高容量 eUFS 可讓旗艦型智能手機能夠存儲大約 130 段 10 分鐘的 4K Ultra HD ( 3840 x 2160 ) 視頻影片,而 64GB eUFS 只能存儲大約 13 部出高十倍之多。

性能方面,Samsung 官方資料顯示 512GB eUFS 的連續讀取最高可達 860MB/s、寫入 255MB/s,隨機讀取為 42,000IOPS、寫入 40,000 IOPS,能夠在 6 秒內將 5GB 的全高清視頻片段傳輸到 SSD,速度比典型的 microSD 卡提高了 8 倍,讓用戶可以享受無縫的多媒體體驗,更有奕地進行高解析度連拍、文件及視頻下載雙應用程式搜索模式等。
比第一代 10LPE 提高 10% 性能 Samsung 開始生產第二代 10nm 晶片
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Samsung 在日前正式宣佈其代工業務已經開始大批量生產基於第二代 10nm FinFET 工藝成功由「10LPE」過渡 「10LPP」技術的系統 SoC 產品「10LPP」,「10LPP」與第一代 10nm 工藝技術「10LPE」相比,可提高 10% 性能及降低 15% 功耗,最新位於韓國華城市的「S3」晶圓廠亦將會加速生產 10nm 以及下一代的 7nm 工藝產品。

由於全新的 10nm「10LPP」工藝是源自第一代「10LPE」技術,可大幅縮短由開發到批量生產的所需時間,並擁有更顯著的初始製造良率,從優化了新產品的生產過程。通過從「10LPE」向「10LPP」的過渡,Samsung 將能夠更好地為客戶提供更高性能的產品,為公司帶來更具優勢的產品競爭力。

Samsung 表示,採用「10LPP」工藝技術設計的 SoC 將用於計劃於明年年初推出的數字設備,並預計將在全年範圍內獲得更廣泛的應用。Samsung 還宣佈,位於韓國華城市的最新生產線「S3」正準備加速生產 10nm 及以下工藝技術,「S3」生產線是 Samsung 代工業務的第三家晶圓廠,另外還有繼位於韓國 Giheung的「S1」晶圓廠和位於美國奧斯汀的「S2」晶圓廠,Samsung 下一代 7nm FinFET 工藝技術與 EUV(Extreme Ultra Violet)亦將會在「S3」晶圓廠大量生產。
Samsung 預告明年 CES 2018 大會上 將展示 150
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Samsung Electronics 三星電子預告將會在明年 CES 2018 展示基於 Micro-LED 技術的電視機,將會是一款配備 4K 超高清解像度的 150" Micro-LED 電視原型,Micro-LED 被認為是下一代顯示技術,全新陣容能夠為 Samsung 在顯示技術方面提高競爭力,同時瞄準頂級高端電視市場。

據了解,Samsung 希望能夠將 Micro-LED 技術的電視機引入到家庭影院,目前這種技術已應用在電影院中,Micro-LED 面板用上固態 LED 元件蝕刻在 Silicon Substrate 之上,其尺寸小於 100 微米 (μm),每顆 LED 晶片可做為一個畫素,它可以透過 RGB 三基色自發光顯示像素的單個晶片來實現,Micro-LED 將會成為 LCD 及 OLED 的下一代顯示技術,其體積更小、重量更輕, 隨著此技術的進一步發展,Micro-LED 面板將實現更高的像素密度,並且不會有著 OLED 長時間使用所出現的 “老化”殘影問題,亦擁有比 OLED 更低的功耗。
挑戰對手 Intel 3D Optane SSD Samsung 推出 SZ985 Z-NAND SSD
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Intel 近期動靜多多,除了大家非常關注的新處理器及晶片之外,Intel 亦針對儲存裝置產品與 Micron 研發了全新的 3D Xpoint,當中的 Optane SSD 更號稱理論讀寫速度及壽命都是普通 SSD 的千倍,作為 NAND Flash 晶片的龍頭大廠 Samsung 就推出了 Z-NAND 技術予以還撃,發佈全新 SZ985 Z-NAND SSD 產品,並將會以比對手 Optane P4800X SSD 更低的價格出售。

Samsung 全新 SZ985 是首款基於 Samsung Z-NAND 技術的 SSD 產品 ,提供了一個獨特的電路設計及控制器,相比起現時的 NVMe SSD 延遲降低了 5.5 倍,備有 800GB 容量選擇,採用 HHHL Form Factor、PCIe Gen3 x4 介面,官方資料顯示其連續讀寫速度可達 3.2 GB/s Write 及 3.2 GB/s Read,隨機讀寫速度則可達 750K IOPs / 170K IOPs。

外媒 Tom’s Hardware 就以 Intel Optane SSD 及 Samusng SZ985 兩者作比較,在速度方面,Samusng SZ985 SSD 明顯在連續讀寫及隨機讀寫方面擁有更高效能,但在讀寫指令 Random Read 及 Random Write Latency 方面,Optane SSD 均為10μs、Samusng SZ985 則為 20 /16μs,兩者相較一般 NVMe SSD 介乎 110-120μs 之間均有優勢。
行業領先!!超過 Intel 及台積電投資總和 Samsung 今年半導體設備投資達 260 億美元
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IC Insights 最新公佈的預測顯示,今年半導體行業總投資支出增長 35%,達到 908 億美元,當中 Samsung 去年在半導體設備投資方面投入了 113 億美元,預計 2017 年投資將增長一倍以上,達到 260 億美元,並表示今年 Samsung 是史無前例在半導體行業投資最多的半導體廠商。

IC Insights估計,今年 Samsung 的 260 億美元半導體投資將分成幾部分, 包括 140 億美元的3D NAND Flash 投資(包括在平澤工廠的產能大幅增長)、70 億美元的 DRAM 投資(用於流程遷移和彌補遷移造成的容量損失的額外容量)、50 億美元代工(用於提升 10nm 製程)。

圖片顯示了自 2010 年以來 Samsung 為其半導體部門的投資,這是該公司第一年為半導體部門投資了超過 100 億美元。在 2016 年花費了 113 億美元之後,預計今年的投資將會大幅增加。
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