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Samsung 全新「C43J89」超寬曲面屏顯示器採用了 43 吋 VA 面板,比例為32:10,屏幕解像度為 3840 x 1200,1800R曲率弧度,更新率達到了120Hz、5ms反應時間,支援8位色,典型亮度為亮250cd/m2(非最高亮度) ,靜態對比對3000:1,可視角度為 178 度,並支援 Samsung Eye-Saver、無閃爍等技術。
「C43J89」屏幕大小與兩組比例為16:10 的 24 吋顯示器相同,同時顯示器的像素點距為 0.27mm,適合文字工作者使用,另外「C43J89」顯示器可以同時連接 2 台主機或者設備。擴充能力方面,「C43J89」顯示器提供了一組HDMI 2.0、一組 DisplayPort 1.2、兩個Type-C、三組USB 3.0及一個 3.5mm 耳機輸入孔。

隨著在全球優質記憶體的需求不斷增長,Samsung 將繼續擴展下一代 10nm 級 DRAM 陣容。自 2014 年第一款 8Gb LPDDR4 投入量產以來,Samsung 已開始轉向 LPDDR5 標準,用於即將推出的 5G 和 AI 人工智能移動應用。
據 Samsung 指出,8Gb LPDDR5 的數據速率高達 6,400 Mb/s,是現有旗艦移動設備 LPDDR4X 晶片、4266Mb/s 速率的 1.5 倍。隨著傳輸速率的提高,新的 LPDDR5 可以在一秒鐘內發送 51.2 GB 的數據,或大約 14 個全高清視頻檔案 ( 每個3.7GB )。
2018-07-16

Samsung、SK Hynix 及 Micron 三大廠在 NAND Flash 及 DRAM 近乎佔了全球 95% 的產能,Samsung 的市場份額更維持在 45-50% ,因此在 2017 年 Samsung 的業績瘋漲不停,晶片業務為其帶來了最大的貢獻,DRAM 價格持續上漲更為 Samsung 帶來了更大的利潤。
面對記憶體產品的缺貨以及 DRAM 晶片的高需求,Samsung 為了加速 18nm 產品的出貨速度,強行縮短了部分流程,早前更有消息傳出 Samsung 18nm 記憶體模組產品存在瑕疵和隱患,需要召回用於 18nm DRAM 晶片生產的記憶體。
2018-07-10

Samsung 全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加,由 64 層提升至 96 層, Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸,並擁有更高功率及性能。同時,首次使用了Toggle DDR 4.0接口,能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度,比上代 64 層堆疊提升了 40%。
全新 V-NAND 相較 64 層 NAND Flash 在性能上有所增強,主要是因為工作電壓已從 1.8V 降至 1.2V,同時新的 V-NAND 是迄今為止的數據寫入速度最快,達到 500 μs,比上一代寫入速度提高了約 30%,而對讀取訊號的反應時間則顯著減少到50μs,新的工作電壓應有助於延長筆記本電腦的電池壽命,並降低從 Desktop 及數據中心系統的整體功耗。

“韓國時報” 獲得內部人士的消息,表示 Samsung 及 SK-Hynix 已成為中國儲存晶片製造商的工業間諜目標,並企圖竊取兩大韓國 DRAM 巨頭的重要研發技術及知識產權。在半導體領域,專利對公司的成本結構由關重要,因此必須保護他們花費數十年建設的專利成果。
目前發展 DRAM 的三大廠分別是韓國的 Samsung、 SK-Hynix 和美國的 Micron,因為專利技術門檻高,三大廠死守技術。為了發展 DRAM 和 NAND Flash 技術,中國大陸更到台灣挖角人才,早前紫光集團更因為以 3-5 倍的薪資挖角 10 位台灣高級工程師,陷入竊取商業機密的嫌疑,紫光也針對這個事件發表聲明。
