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HKEPC 實驗室 18 日成功打破兩項全新 Intel Skylake 微架構處理器的世界紀錄,採用全新 Intel Core i7-6700K 配搭 ASRock Z170 OC Formula 主機板、 G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 記憶體、 Antec High Currect Pro 1300W 電源供應器,透過 LN2 極限冷卻至 -180°C 下,成功創下 6.998GHz 處理器核心時脈以及 DDR4-4900 記憶體時脈速度。由於第一代 14nm Broadwell 超頻能力欠佳,不少玩家都對 Skylake 的超頻能力有所保留,看來 Intel 針對 Skylake 微架構作出了重大改良,全新 Intel Core i7-6700K 在風冷下穩跑 4.8GHz 4C 、 8T 並非難事,相較上代 Haswell 的超頻表現更佳,而在 LN2 極限超頻方面,由於今代處理器已沒有 Cold Bug 問題令晶片可以在更低溫下運作, HKEPC 實驗室取得了一顆體質優秀 Intel Core i7-6700K 工程樣本,配搭 ASRock Z170 OC Formula 主機板,在冷卻至 -180°C 下成功達至 6.998GHz 核心時脈,相較舊有紀錄 6.805GHz 提升了接近 200MHz 。
據負責此次超頻實驗的 John Lam 表示,全新 ASRock Z170 OC Formula 採用了 18 相位供電模組設計,由於 Skylake 微架構的放棄 FIVR 設計回復至外部 VR ,主機板供電設計變得非常重要,就算在極限超頻下處理器的工作電壓高達 1.888v 仍能保持穩定,同時採用可靠性高的 ANTEC High Currect Power 電源供應器,亦是達成紀錄的主要關鍵所在。
2015-08-18
2015-08-17
2015-08-11
Samsung 10 日發佈最新開始量產第三代 V-NAND Flash 記憶體正式量產,其採用 48 層 3D Vertical NAND 推壘式架構 Flash 記憶體,其容量高達 256 Gb ,與 Toshiba 月初時推出 BiCS Flash 記憶體一拼高下。本年 7 月底 Intel 及 Micron 聯合發佈革命性記憶體技術 - 「 3D XPoint 」,其標榜相對傳統 NAND Flash 記憶體存取速度快千倍以上,容量亦能增加十倍左右,雖然現時仍處於研發階段,但對於其他廠商來說,其競爭力足以令傳統記憶體技術受到動搖。
Toshiba 隨即於本月 4 日發佈全球首款 48 層 BiCS 3D 推壘式架構 Flash 記憶體,其容量達 256 Gb ,令市場關注。 Samsung 亦採取相應行動於 10 公開發佈旗下第三代 V-NAND (3D Vertical NAND) 記憶體,由上代 32 層 3-bit MLC 推壘至 48 層 3-bit MLC ,容量提升至 256 Gb ,能滿足現時對大容量的儲存需求。
G.Skill 最新發佈兩款針對高階平台而推出的 DDR4 記憶體 Trident Z 及 Ripjaws V ,特別為 Intel 最新第 6 代 Core 處理器及 Z170 主機板度身打造, Trident Z 及 Ripjaws V 同樣換上全新型格的散熱片設計,務求為用家提供穩定及極致效能的記憶體配置。G.Skill 最新推出專為 Intel 第 6 代 Core 處理器而生的 Trident Z 及 Ripjaws V 記憶體模組產品,全新 Trident Z DDR4 記憶體系列由銀、黑所組成的兩面雙色風格打造,散熱外殼表面加上工藝 CNC 切割及髮絲紋處理,並配合一體成形的鰭片式設計,有助於空氣流通達至快速散熱之效。
同時, Trident Z 記憶體模組系列由 Samsung 高質量 IC 打造,配合 G.Skill 的開發技術及自家 IC 篩選流程,保證能為用家提供超頻性、兼容性及穩定性的體驗。全系列 Trident Z 將支援最新一鍵超頻 XMP 2.0 軟體,並提供由 DDR4 2800MHz 至高達 DDR4 4000MHz 的完整規格,將過往只出現於極限超頻的 4000MHz 高速度規格帶到大眾電腦市場,體驗極致的效能表現。