2019-01-03
【為緩減價格跌勢茅招盡出】
三大 DRAM 廠齊齊減產維持獲利空間
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 DRAMeXchange

在踏入 2018 年第二季 NAND Flash 價格開始由升轉跌,同時亦拖累 DRAM 模組,以往屬於產業旺季的下半年 DRAM 模組的價格大幅下修,加上出現庫存過剩及市場需求萎縮的狀況,在供應需求不平衡的情況下,2019 年 NAND Flash、DRAM 產品跌勢難擋,三大 DRAM 廠商 Samsung、SK Hynix 及 Micron 齊齊採取減產措施,將資本支出保持在高位。

 

根據記憶體儲存研究 DRAMeXchange 最新調查,2018 年第四季 DRAM 合約價格較前一季大幅修正約 10% 後,2019 年由於 PC、伺服器與智慧型手機等終端產品需求疲軟,因此 DRAM 主要供應商紛紛放緩新增產能的腳步,以期減緩價格跌勢。

 

DRAMeXchange 指出,與實際位元生產量最相關的指標為各供應商的資本支出計畫,而 2019 年 DRAM 產業用於生產的資本支出總金額約為 180 億美元,年減約 10%,為近年來最保守的投資水位。

 

DRAM

 

其中,兩家韓系廠商最先宣布將放緩 2019 年投資計畫,市占最大的 Samsung 半導體 2019 年 DRAM 投資總金額約在 80 億美元,主要用在先進製程(1Ynm) 的持續轉進以及新產品的開發。投片計弗劃是 Samsung 近年來最保守的一次,目前決議終止平澤廠(Line18)擴產計畫,將使 2019 年位元成長達到歷年新低,約在 20% 水位。

 

市占第二名的 SK Hynix 在 2019 年 DRAM 投資金額也降低到約 55 億美元,主要用以持續轉進新製程與提升良率為主。但由於中國無錫新廠才剛落成,因此該廠全年仍有約 30-40K 產能提升,根據 DRAMeXchange 計算, SK Hynix 2019 年位元成長約 21%,稍微高過 Samsung。

 

而市占第三的 Micron,近日才宣布下修 2019 年資本支出至約 30 億美元,並且將 2019 年的生產位元成長目標由原先的近 20% 下修至 15% 水位,以期改善庫存持續升高的狀況。而 Micron 目前不論是在瑞晶(台灣美光記憶體)、華亞科(台灣美光晶圓科技)、原 Elpida 廣島廠等都沒有擴產計畫,2019 年投片水準維持在每個月 350K 的水準,而位元成長將僅來自 1Ynm 的持續轉進。DRAMeXchange 認為,Micron 因為成本結構與兩大韓系廠相較偏弱,因此對於承受價格持續下跌的空間較小,才會有較大動作的反應。在連續兩年供給位元成長都僅有 15% 的情況下,美光市占持續被壓縮。

 

DRAM

 

供應商放緩新增產能、避免削價競爭,以維持獲利空間

 

從三大廠商下修2019年資本支出的營運方向可以看出,在寡占市場中由於沒有新進競爭者的威脅,各供應商選擇透過調整產出,來避免削價競爭。從獲利表現來看,Samsung 與 SK Hynix 生產 DRAM 的毛利仍有近8成,Micron也有6成以上的水準,因此各廠在獲利仍豐厚的情況下,選擇保守看待2019年的生產展望,也是較為合理的作法。

 

至於需求端,2019年第一季受到連假以及淡季效應的影響,將會是最為疲弱的季度,而且目前也沒有跡象顯示第二季之後需求會有所改善。在中美貿易戰持續延燒的大前提下,市場仍充滿不確定性,基於上述供需預測,DRAM價格仍將逐季修正,2019年第一季價格下修幅度約為15%,第二季預期將收斂至10%以內,而下半年除非需求明顯改善,否則價格仍將維持約5%的季度下修。

 

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