DUV 光刻機也要禁了 打擊中芯、長江長鑫
【再出手 ... 😆】美國國會 7 日正式送交《MATCH 法案》（Multilateral Alignment of Technology Controls on Hardware Act），將進一步升級對中國的半導體出口管制，針對華為、中芯國際、長江存儲、長鑫存儲及華虹半導體等 5 家中國半導體企業，計劃實施近乎全面的先進晶圓製造設備（WFE）出口禁令，當中包括了 DUV 光刻機等關鍵設備，原因是「加強美國國家安全」。
據提出《MATCH 法案》的美國眾議員 Michael Baumgartner 表示：
「China has made it abundantly clear that it intends to dominate the technologies that underpin both our economy and our national defense. The United States cannot afford to leave open back doors that allow the Chinese Communist Party to acquire the tools it needs to leap ahead in semiconductor manufacturing. I introduced the MATCH Act to ensure that America and our allies move in lockstep to close these gaps, defend our technological edge.
中國意圖相當明顯，就是要主導支撐美國經濟和國防的各項技術。美國絕不能允許中國共產黨透過後門獲得半導體製造的領先優勢，並確保美國及其盟友步伐一致地堵塞這些漏洞，以捍衛美國的技術優勢。」
該法案最具殺傷力的部分在於其涵蓋範圍顯著擴張。以往的管制重心主要集中在 7 納米以下的 EUV 極紫外光刻設備，但《MATCH 法案》將紅線大幅向前推移，直接封鎖了目前支撐中國主流生產線的浸潤式 DUV 光刻機以及低溫蝕刻等關鍵技術。更令業界震驚的是，法案不僅禁止新設備的銷售，還進一步切斷了售後維修與技術支援。
法案中明文規定了為期 150 天的通牒期限，要求荷蘭、日本等擁有關鍵半導體技術的盟友必須在限期內與美國的管制標準達成一致。若相關國家未能同步跟進，美國將單方面動用「外國直接產品規則」（FDPR），強制對所有含有美國技術或軟件的海外設備實施禁運，迫使「盟友」必須就範，堵死所有可能的規避路徑，確保封鎖網沒有任何破綻。
法案中還隱含了一項精準的動態調整邏輯，即所謂的「75% 自給率」門檻，只有當中國在特定設備領域的本土化率超過 75% 時，才會考慮解除相關出口限制。這種機制反映出美方的策略已轉向「精準脫鈎」，不再耗費資源封鎖中國已經實現技術突破的領域，而是將火力集中在光刻機等中國短期內絕對無法自給的技術上。
對中國半導體產業而言，這無疑是沉重打擊。在失去外籍工程師支援與原廠零件供應的情況下，國產設備商如上海微電子、北方華創是否能及時填補巨大的技術缺口，將成為未來數年產業發展的關鍵，同時迫使中國進行更激進的「全本土化」轉型。但在核心光學與材料尚未突破前，這場技術馬拉松的難度已呈幾何級數增加。
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