2026-10-05
俄羅斯宣布要興建 12 吋晶圓廠
要完全自主研發 量產 14nm 先進製程
文: 編輯部 / 新聞中心
文章索引: IT快訊

【14nm 先進製程 🫤】俄羅斯總統普京宣布,為加速推進本土晶片自主供應鏈,計劃興建一座採用 300mm(12 吋)晶圓、製程技術最高達 14 納米(nm)的新型半導體晶圓廠。此項目為俄國新籌建的「聯合微電子公司」(United Microelectronics Company,簡稱 UMC / ОМК)整體發展戰略核心。整個微電子產業發展計畫預計至 2036 年將投入高達 1.101 萬億盧布(約合數百億美元),並獲俄羅斯政府與國有最大銀行 Sberbank 全力注資支持。

 

據俄羅斯媒體《Компьютерра》報導,該座 12 吋晶圓代工廠的前期工程評估預計於 2027 年正式啟動。在隨後的兩年間,俄方將著手確立晶圓廠的基礎工程架構及基礎製程技術規範,其中包括挑戰推進至 14 納米節點的技術方案。整座晶圓廠的建設工程預計在 2036 年前竣工。

 

根據「聯合微電子公司」(ОМК)的藍圖,該計劃並非僅限於單一晶圓製造廠,而是三線並進,同時推動三項涵蓋電子產業不同生產環節的重點設施︰

 

▪️12 吋半導體晶圓廠: 專注於前端晶圓加工與積體電路製造,最高目標為推進至 14 納米製程,預計 2036 年前完工。

 

▪️電子模組生產廠: 預計於 2027 年破土動工,主要生產完整的組裝部件,包括電源管理單元、顯示系統、衛星導航及射頻(RF)系統等,規劃於 2028 年第三至第四季率先投入營運。

 

▪️OSAT 外包半導體封裝與測試廠: 負責後端晶片封裝、功能測試,以及封裝載板與各類模組基板的製造,預定於 2031 年完成建設。

 

在資金配置方面,該計畫在 2036 年前將共計投入 1.101 萬億盧布,資金來源將由俄羅斯政府財政預算與該國銀行巨頭 Sberbank 共同承擔。首階段於 2027 年預計撥款 1,700 億盧布,其中 Sberbank 提供 410 億盧布,其餘 1,290 億盧布全數由俄國政府財政支出。

 

根據俄羅斯在 2022 年公布的半導體發展規劃,原本預計於 2026 年實現 65nm 量產、2027 年突破 28nm、2030 年攻克 14nm,但實際上俄羅斯目前仍然只能量產 90nm 晶片,而這次希望在 2036 年完成 14nm 晶圓廠,亦與早前公布路線圖中預計於 2030 年達成 14nm 量產有明顯落差。

 

 

 

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