【沒了 ⚠️】外媒報道，全球最大動漫盜版網站 HiAnime 遭瓦解，負責該平台營運的 7 名負責人在越南落網。今次是美國、日本與越南三國執法部門的跨境執法合作，預計涉案人士將被引渡至美國受審。該網站巔峰時期流量驚人，月活躍用戶突破 1.5 億人，甚至超越了不少正版串流平台。

根據執法機構與第三方流量數據顯示，HiAnime 的前身最早可追溯至知名盜版網站「Zoro.to」。該網站為了規避版權方的追查與法律制裁，曾於 2023 年 7 月更名為「Aniwatch」，隨後在 2024 年 3 月再度改名為「HiAnime」。在關閉前不久，該網站剛被美國貿易代表辦公室（USTR）列入年度「惡名市場」（Notorious Markets）名單。

調查數據指出，該盜版集團自 2020 年至 2026 年 4 月期間，總共營運了超過 100 個相關的非法影視網站，未經授權上傳超過 26,000 部受版權保護的影視作品，並透過網站廣告賺取高達約 1,285 萬美元（折合約港幣 1 億元 / 新台幣 4.1 億元）的不法收益。

【通關即退 😡】Steam 平台一向以保障消費者權益著稱，因此設立了「2 小時退款機制」，讓玩家買了「垃圾 Game」也可以申請退款。然而，有獨立遊戲開發者公開批評，不少精緻的獨立遊戲小品正被這個機制「玩爛」。大量玩家在花費約一個半小時完全通關後，隨即利用「遊玩不足 2 小時」的條款申請全額退款，甚至有買家在退款備註中公開炫耀。

據開發者 Zoroarts 公布的營運數據顯示，雖然《Paddle Paddle Paddle》在 Steam 平台上獲得高達 90% 的「好評」，但該作的退款率卻異常飆升至 21%。截至目前為止，該作品的累計退款數量已突破 5.5 萬份。

更有玩家在遊戲評論中留言：「GREAT GAME , finished within 1:40 hrs (refunded)」，炫耀自己只花了 1 小時 40 分鐘便高速通關，並成功獲得退款。這舉動無疑是「殺人誅心」，把開發者氣得半死。

【自爆 !? 😱】近日，一名電腦砌機店的員工分享，他正在維修客戶的一部 PC 時，將側板強化玻璃放置在紙箱上。在沒有任何外力碰撞的情況下靜置了 40 分鐘，玻璃卻突然發生「自我毀滅式」的碎裂現象。他將影片上載至 Reddit 論壇後，隨即引來 PC 玩家圈子的熱烈討論。有機箱廠商指出，自爆通常都有這三大主因，即使沒有外力碰撞亦會發生。

據 Reddit 論壇用戶 YourLocalSheep 表示，事發時他正在店內進行維修工作，一塊強化玻璃側板在紙箱上靜置了約 40 分鐘，突然在無外力介入的情況下自行碎裂成顆粒狀。若非整個過程被影片拍下，恐怕根本沒人會相信。

該帖文發佈後，隨即引發 DIY 電腦玩家圈子對強化玻璃側透機箱安全性的廣泛討論。至於為何強化玻璃會突然破裂？有機箱生產商向 HKEPC 透露，強化玻璃之所以會發生非外力引起的「自爆」，主要可歸咎於以下三大因素：

【買不起 😭】TrendForce 最新調查報告顯示，2026 年第三季的 DRAM 合約價格預計上漲 13% 至 18%，NAND Flash 合約價格則預計上漲 10% 至 15%。儘管價格持續攀升，但相比第二季接近 60% 的漲幅，這次升幅放緩並非源於供應鏈產能改善，而是消費端已達承受極限。有台灣記憶體大廠更向 HKEPC 表示︰「媽的，漲成這樣誰買得起」。

據 TrendForce 報告指出，消費者需求疲軟與市場承載力已到達臨界點。2026 年 Q2 不論是 DRAM 還是 NAND 的升幅接近六成，令 PC 與手機製造商進口意願降低，亦難以持續吸收高昂的儲存裝置成本。與此同時，終端消費者對於價格持續調升已產生抵觸情緒，拒絕再為相關硬件支出的上漲而「埋單」。

儘管消費端市場需求轉弱，但記憶體晶片整體供應依然緊張。主要原因在於記憶體廠商策略性地將產能向利潤更高的伺服器相關產品傾斜，導致消費級產品的可用產能進一步縮減。在供應面排擠下，即便 PC 與智能手機市場需求不振，產品價格仍難以出現實質性的回落。

【2nm 不是夢 😱】中國媒體報道，近日中芯國際傳出重大突破，藉著「自對準四重圖案化（SAQP）」與「微影-蝕刻-微影-蝕刻（LELE）」的混合圖案化技術（Patterning Approach），試圖在後段製程（BEOL）中突破物理限制，以更小的線寬與更高的電晶體密度，實現 2nm ~ 3nm 先進製程晶片的量產。

據《新浪財經》報道，中芯國際（SMIC）在缺乏極紫外光（EUV）微影設備的困境下，現時只能依賴深紫外光（DUV）浸潤式微影系統。不過，最近傳出中芯已找到突破方法，透過 EDA 設計與多重曝光的協同最佳化，將以往需要 SAQP 處理的圖案層改用 LELE 處理，令晶片製程技術可達到 TSMC 3nm 至 2nm 之間的水平。

報道引述了半導體機構 Multiple Patterns 的最新研究報告，指經過技術提升後，中芯國際未來幾代製程皆不需要依賴 EUV 微影，就能夠達到 N+4 到 N+6 製程。同時，間距也會持續縮進，電晶體密度亦會一路上升，N+6 預計能做到 305Mtr/mm2，大約是 1.21.305Mtr/mm2。