AMD 8 日正式發佈 Ryzen 5000 系列 Zen 3 微架構 CPU，IPC 性能相較上代大幅提升 19%，並且在遊戲性能上帶來明顯提升，不再讓 Intel CPU 專美，令不少現有 AMD 平台用家熱切期待升級，不過並非所有 AM4 主機板都能立即升級 Ryzen 5000 系列，現時已確定 500 系列主機板可以順利過渡，但舊有 B450 / X470 用家要升級恐怕要等明年再說了。

據了解，AMD 現時已經向主機板廠商提供 AGESA 1.0.8.0 版本，為 A520 / B550 / X570 主機板平台提供 Ryzen 5000 處理器支援，但這個版本只是給用家過 POST 及 Boot 機用，AMD 會在 11 月 5 日正式發佈日提供 AGESA 1.1.0.0 最終版本讓大家升級。

雖然 NVIDIA GeForce RTX 30 系列勢在必得，但 AMD 看來對自已的 Radeon RX 6000 系列信心滿滿，現在傳出新卡雖然沿用 256bit GDDR6 記憶體，記憶體頻寬不及 RTX 3080/3090，傳聞 AMD 將會有全新 Infinity Cache 技術可解決 VRAM 頻寬不足問題。

據了解，AMD 將於 10 月 28 日發佈全新 Radeon RX 6000 系列，包括 RX 6900 (Navi 21)、RX 6800 (Navi 22) 及 RX 6700 (Navi 23)，採用 RNDA 2 GPU 微架構號稱性能較上代提升 50%，不過記憶體規格上看來將會是新卡的最大弱點。

相較 NVIDIA GeForce RTX 3070 / 3080 / 3090 具備 256bit GDDR6 / 320bit GDDR6X / 384bit GDDR6X，AMD Radeon RX 6700 / 6800 / 6900 只擁有 128bit GDDR6 / 192bit GDDR6 / 256bit GDDR6，在記憶體頻寬上兩者有著明顯距離。

之前有消息指 Intel 將會在明年初舉行的 CES 2021 大會上發佈第 11 代 Core 系列 Rocket Lake-S 處理器，取代只是發佈了短短半年的 Comet Lake-S 系列，不過最新的消息看來 Rocket Lake-S 的推出時間又有調整了，外媒 HDTecnologia 稱獲得業內人仕提供的一份 Intel 新品路線圖，上面透露了新一代 500 系列晶片組發佈時間被安排在「10th week of 2021」，時間點即 2021 年 3 月的第一、第二個星期左右的時間，預計同時間將會一同帶來全新的「Rocket Lake-S」系列處理器。

據了解，全新的第 11 代 Core「Rocket Lake-S」系列處理器將會是將會是 Intel 最後一代採用 14nm 製程的 Desktop 版處理器，雖然未有升級新的製程，不過官方表示將會換上全新的核心架構（傳聞為 Cypress Cove），最高提供 8 核心、16 線程，並會進一步提高 Boost 時脈。「Rocket Lake-S」被視為對前一仳「Comet Lake」功能升級版，不僅會搭載 Xe 繪圖核心，同時亦將有望支援原生 PCIe 4.0 ( 20 條通道 ) 傳輸，以及兼容 USB4 規範的 Thunderbolt 4。

雖然一直有傳 400 系列晶片組主機板可以支援「Rocket Lake-S」系列處理器，不過外媒 HDTecnologia 從某主機板廠商手上獲得的 Intel 路線圖，上面就提到新一代 500 系列晶片組會在 2021 年推出，新的 500 系列晶片組將包括 W580、Z590、H570、B560 及 H510。

越是接近 AMD 發佈全新 Zen3 構架的時間，就越有更多關於 Ryzen 5000 系列處理器的新消息流出，日前才剛剛有內地玩家流出 Ryzen 9 5900X 處理器的 CPU-Z 測試，而在相隔不久的時間 CPU Monkey 網站就一口氣將爆出了多款 Ryzen 5000 系列處理器的跑分成績，當中 Ryzen 9 5950X 不僅榮升單核之皇，Ryzen 5000 系列更包攬了 CineBench R20 單核測試頭三位。

的資料，分別出現了 4 款尚未發佈的 Ryzen 5000 系列處理器，分別為 Ryzen 9 5950X、Ryzen 9 5900X、Ryzen 7 5800X 及 Ryzen 5 5600X，並顯示了以下的規格：

㊙️ 3.7GHz 基礎時脈、4.9GHz Boost 時脈

目前，AMD 及 Intel 都雙雙部署全新「DDR5 計劃」，如無意外的話最快在明年就會有支援 DDR5 記憶體的非消費級平台推出，作為全球三大 DRAM 半導體廠之一的 SK Hynix 在今日宣佈正式推出全球首款 DDR5 DRAM 產品，率先推出的初版 DDR5 DRAM 支援 4800 ~ 5600 Mbps 的傳輸速度，比上一代初版的 DDR4 快 1.8 倍，頻寬也高達 4 1.6GB/s，工作電壓亦降至 1.1V， 配合 TSV 封裝能夠組成容量高達 256GB 容量的 DDR5 模組。

早在 2018 年 11 月 SK Hynix 已成功開發旗下首款 16Gb DDR5 DRAM，及後 SK Hynix 與 System On Chip 開發公司等不同企業共同運營現場分析研究室，並通過共同執行系統級別測試（System Level Test）及各種模擬測試完成了新產品的性能驗證。與此同時，SK Hynix 還與多間公司緊密合作，進行了包括 RCD 2 )、PMIC 3 ) 等構成模組的主要部件的兼容性驗證，在經過各種驗證及相容性測試後，目前已經可以推出市場。

根據官方的資料顯示，SK Hynix 最新推出的全球首款 DDR5 DRAM 產品基於 1Ynm 製程 ( 相當於 14nm 至 16nm ) 的 16Gb DDR5 DRAM 晶片，用上 TSV ( through-silicon-via ) 封裝技術可大幅增加 DDR5 的容量，單條最高可達到 256GB 容量。不僅如此，全新 DDR5 的產品工作電壓亦由上代 DDR4 的 1.2V 降到 1.1V，成功減少了 20% 的功耗。