針對Intel 最新推出的「Xeon W-3175X」處理器，CORSAIR 發佈了全新頂級的 Vengeance LPX DDR4 記憶體套裝，最多可以搭配 12 條 16GB DDR4 模組，組成 192GB 記憶體容量，能夠應付超級工作站及發燒級的 28 核心「Xeon W-3175X」處理器平台。

CORSAIR 全新 Vengeance LPX DDR4 192GB 套裝提供了四款型號，分別為DDR4-2666 CL16、DDR4-3200 CL16、DDR4-3600 CL18 及 DDR4-4000 CL19，工作電壓為1.20V 及 1.35V，每個套裝由 12 條 16GB 容量的記憶體組合而成，在全新「Xeon W-3175X」處理器及其他允許 UDIMM 操作的 LGA3647 處理器上能夠以六通道模式運行。

「Vengeance LPX DDR4 記憶體套裝」採用薄型散熱器設計，全黑色的散熱器由陽極氧化鋁材質製成，同時每個套裝都配有兩個 Vengeance Airflow 散熱系統，能夠用於目前唯一支援「Xeon W-3175X」處理器的 ASUS ROG Dominus Extreme主機板之上，將記憶體運行時的廢熱帶走。

Intel Xeon W-3175X 處理器自從去年發表以來一直是備受高端電腦族群關注的旗艦商品，除了其多達 28 核心、56 線程的處理器性能以外，首次亮相的六通道記憶體技術也是一大亮點，G.Skill 亦特別針對 Intel Xeon W-3175X 處理器，打造出一系列六通道 Trident Z Royal 高階 DDR4 記憶體套裝，全系列將提供 6 支或 12 支裝的套裝選擇，引領玩家由四通道的領域邁向全新六通道高階規格。

G.Skill 全新 Trident Z Royal 皇家戟六通道 DDR4 記憶體套裝專為 Intel 最新旗艦級 Xeon W-3175X 處理器打造，其中最高規格由 Samsung B-die 顆粒打造的 DDR4-4000 頻率 CL17-18-18-38 1.35V 192GB(12x16GB)套裝，提供高端工作站使用者及多媒體創作者最頂級的尖端配備。

根據 G.Skill 官方測試結果顯示，Trident Z Royal 皇家戟六通道 DDR4 記憶體套裝在 Xeon W-3175X 處理器以及 ASUS ROG Dominus Extreme 主機板上通過嚴密驗證，在 DDR4-4000 CL17 高速下，擁有高達 122GB/112GB 的驚人讀/寫速度。

現時的智能手機除了用作即時通訊之外，其實亦可以充當相機或攝影機拍攝相片及影片，當需要儲存更多檔案的時候，手機內置容量的大小亦變得非常重要，為了滿足對儲存容量需求大的用家，Samsung 最新就宣佈將會量產首款 1TB eUFS 2.1 晶片，基於第五代 V-NAND 技術打造，讀取速度高達 1000MB/s，寫入速度也高達 260MB/s，看來智能手機很快就可以追得上筆記本電腦的的速度及儲存容量了。

Samsung 全新 1TB eUFS 2.1 晶片能夠為下一代移動應用帶來更優秀的使用體驗，在相同封裝尺寸 ( 11.5mm x 13.0mm ) 內，1TB eUFS 解決方案將先前 512GB 版本的容量提升了一倍，將 16 個堆疊的 Samsung 512Gb V-NAND Flash 與新開發的專用 Flash主控集合在一起。相比之下，目前高階手機常用的 64GB eUFS 只能儲存大約 13 段 4K UHD ( 3840 x 2160 ) 影片，而全新 1TB eUFS 2.1 晶片的容量，則可以錄製 260 段時長 10 分鐘的 4K UHD ( 3840 x 2160 )影片。

不僅在儲存容量方面有所提升， 1TB eUFS 還具有出色的傳輸速度，新的 eUFS 讀取速度高達 1,000MB/s，寫入速度也高達 260MB/s，連續讀取速度是主流 2.5 吋 SATA SSD 的兩倍。此外，1TB eUFS 的隨機讀取最高可達 58,000 IOPS，較 512GB 版本的提高了 38%，至於隨機寫入最高可達 50,000 IOPS，傳輸大量多媒體檔案時就更加快捷。

雖然 DDR4 記憶體在 PC 系統中已非常普及，但其實仍有不少用家正在使用 DDR3 記憶體，以為 DDR5 仍然有一段時間才來?! SK Hynix 最新就透露了已正研發 DDR6 記憶體，預期速率非常驚人將可達 12Gb/s，亦即是 DDR6-12000。

去年，SK Hynix 宣佈開發了16 gigabit（2GB）的 DDR5 DRAM 晶片原型，該晶片的功率僅為1.1V，相比現有的 DDR4 記憶體，DDR5 記憶體消耗能源減少 30%，速度卻高達 5,200 Mbps，表示 DDR5 一秒鐘內能處理 41.6 gigabytes 的數據、或是 11 個 3.7 gigabytes 的電影檔。DDR5 最快將會在 2020 年量產，而於後續的產品呢?

一位來自 SK Hynix 的研究員 Kim Dong-Kyun 日前接受訪問時提到，預計公司在 2020 年將帶來DDR5-5200 記憶體，並正努力開發更創新、更觸目的DDR5新品，不僅會進一步在數據傳輸帶來速度上的提升，同時更會將DRAM技術與晶片系統如CPU 工藝相結合， 開發了一種多相位同步技術，通過在IP電路中放置多個相位，可以將晶片中高速運行期間的電壓保持在低水平，從而實現低電壓下運行更高的頻率。

現時多媒體影音娛樂的需求不斷增加，手機內建的儲存容量亦成為用家購買時考慮的一個重要因素，Toshiba 最新就宣佈已啟動業界首款符合通用快閃記憶體 (UFS) Ver.3.0 標準的嵌入式快閃記憶體設備的樣品出貨，新系列產品採用 Toshiba 96 層 BiCS FLASH 3D快閃記憶體，提供 128GB、256GB 和 512GB 三種儲存容量，具備高速讀取和寫入效能及低功耗特點，適用於行動裝置、智慧手機、平板電腦和擴增/虛擬實境系統等應用領域。

Toshiba 指出，旗下首款 UFS Ver.3.0 標準的嵌入式快閃記憶體設備在符合 JEDEC 標準的 11.5 x 13mm 封裝中整合了 96 層 BiCS FLASH 3D 快閃記憶體和控制器，該控制器執行錯誤校正、耗損均衡、邏輯位址向實體位址的轉換以及瑕疵區塊管理等功能，便於簡化系統開發。

全新UFS Ver.3.0快閃記憶體備有 128GB、256GB 及 512GB 三款容量，同樣符合 JEDEC UFS Ver.3.0 標準，包含 HS-GEAR4，每個通道理論介面速度最高可達11.6Gbps（2 通道=23.2Gbps），雙通道那就是 23.2Gbps，換算一下即 2.9GB/s，同時具備抑制功耗增加功能 ，512GB 容量的循順讀取和寫入效能分別比上一代設備提高了約 70%和 80%。