Team Group 推出全新「T-Force XCALIBUR RGB」圖騰特別版記憶體模組，設計理念沿自皇者之劍置於散熱片上，頂端全幅 120°超廣角導光燈條設計，再加上獨特圖騰元素，令 RGB 燈光效果更精緻細膩，可支援 ASUS、ASRock、GIGABYTE、MSI等主機板大廠進行燈光同步技術，效果相當出眾。

繼 Samsung 及 Micron 宣佈推出新一代 1Ynm 工藝的 DRAM 記憶體晶片後，SK Hynix 最新亦宣佈已開發出 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 記憶體，支援高達 3,200Mbps 的數據傳輸速率，與上一代 1Xnm DRAM 相比，全新的 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 的生產率提高了 20%，功耗降低了 15% 以上。

SK Hynix 全新的 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 為客戶提供了最佳的性能和密度，新產品最高可提供 3,200Mbps 傳輸，官方表示是現時 DDR4 接口中最快的數據處理速度，生產效率上提升了 20%，性能也是目前最快的。同時採用了 “4-Phase Clocking” 方案，擁有雙倍的 Clock Signal 以提高數據傳輸速度和穩定性。

此外，新的 1Ynm DRAM 記憶體晶片還顯著提高了 Sense Amp. Control 傳感器精準度，調整了晶體管結構，降低了數據錯誤的可能性，同時 SK Hynix 還在電路中增加了一個低功耗電源，以防止不必要的功耗，使得數據傳輸的出錯率降低。

DRAM 記憶體自2016年下半年開始價格就不斷飆升，至 2018 年連續上漲 9 個季度，然而在過去幾個月 DRAM 市場表現冷清，加上供過於求的態勢出現，在過去一個月內 DRAM 現貨價格大幅下滑，4GB及 8GB 記憶體模組的價格分別下跌了 10%，並且可能進一步下降到 2019 年第一季度，平均單價跌幅可能達到 20%，對於用家而言是個天大的消息。

記憶體儲存研究DRAMeXchange調查指出，10 月現貨價格延續 9 月份跌勢持續走弱，由於 DRAM 市場供過於求才剛開始，不排除 11 月與 12 月價格將續下探，明年首季將進入淡季，加上終端產品出貨量下修與庫存等因素，合約價的議定將是嚴峻挑戰。

DRAMeXchange 資深協理吳雅婷指出，現貨價格今年初起持續走弱，整體 10 月價格也延續 9 月份跌勢持續走弱。以最新報價來看，主流交易顆粒 1G*8 的現貨價已跌至 6.946 美元，與合約價有 5% 價差，預告後續合約價將繼續下滑。

在本週美國政府對中國 DRAM 製造商福建晉華集成電路公司頒佈禁售令，指控福建晉華涉嫌盜取美國半導體公司 Micron 的知識產權及擁有中共政府背景，禁止美國公司向福建晉華提供產品及技術供應，在美國頒佈禁售令後數天，台灣晶片製造商聯華微電子公司表示，將暫停與中國合作夥伴福建晉華的研發活動。

根據美國禁售令的公告，福建晉華集成電路公司可能對美國的國家安全構成威脅，美國商務部指出，福建晉華涉嫌盜取 Micron 的儲存晶片技術，對美軍系統重要零件供應商的長遠經濟生存能力構成重大風險，將其列入出口管制實體清單，是繼 4 月份美國政府對中興通訊實施禁售令以來，又一起針對中國科技企業的禁售。

在美國頒下禁售令後，聯華微電子公司也會遵守美國政府的規定，在最新發表的一份聲明中表示，“聯華電子將遵循所有政府規定，暫時停止我們為福建晉華進行的研發活動，直到有關當局獲准恢復。”

在較早前 Intel 宣佈在消費級平台的全新第 9 代 Core處理器將升級支援 128GB 容量 DDR4 記憶體，打破以往僅能提供 64GB 記憶體容量的限制，對於伺服器平台來說 128GB 容量只是很小的一部份，Samsung 最新公佈即將為伺服器推出首款 256GB RDIMM 記憶體，並較現時的記憶體提供更高性能及更低功耗。

Samsung 表示將會進一步拓展記憶體核心業務，正開始出樣採用其 16-Gbit 晶片打造全新的 256GB RDIMM 記憶體，新的 DDR4 RAM 模組 RDIMM ( Registered DIMM ) 專為基於 AMD EPYC 系列處理器及 Intel Cascade Lake 核心的 Xeon Scalable 處理器伺服器而設，單條就可提供 256GB 容量，與1 28GB LRDIMM 相比，可提供更高的效率和效能。

Samsung 256GB RDIMM 記憶體採用 3DS 三維堆疊封裝，基於 10nm 16Gb DDR4 DRAM，並且由通過 TSV 接口（穿矽通孔）彼此連接的四層晶體管組成，在這種情況下，單晶片的容量為 8 GB（64 Gbits）每層16Gbit，可將記憶體的最大容量提高一倍。256GB RDIMM 雙面合共建入 36 顆晶片，每顆晶片提供 8GB 容量，內部封裝了四個 16Gb Die，由 IDT 4RCD0229K 晶片管理，並支援 ECC 記憶體技術。